接触电极等技术,提高材料中的载流子收集效率,优化抗反肘膜、凹凸表面、高反射背电极等方式,光电转换效率有较大提高。单晶硅光电池面积有限,目前比较大的为 ∮10至20cm的圆片,年产能力46MW
晶体硅光电池有单晶硅与多晶硅两大类,用P型(或n型)硅衬底,通过磷(或硼)扩散形成Pn结成制作,生产技术成熟,是光伏市场上的主导产品。采用埋层电极、表面钝化、强化陷光、密栅工艺、优化背电极及
。(6)1/N界面缓变以减少界面缺陷。(7)采用pc一n一S1可以减少电池的串联电阻,同时减少长波长光的损失。(8)采用ZnO/AI复合背电极增强对长波长光的反射,增加在电池中的光程,从而增加太阳电池