激光工艺

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黑鹰巨制 | 光伏18罗汉闯关IPO !来源:黑鹰光伏 发布时间:2018-04-04 20:50:30

电池技术向PERC技术升级产业化的重要核心设备。)、MWT激光打孔设备等。 如今,新工艺、新技术成为太阳能电池提效的关键方式,而激光加工是高效太阳能电池产业化的重要支撑。手握多个核心技术的帝尔激光

协鑫集成金刚线高效黑硅PERC叠加MBB量产化效率达20.8%,功率超过300W来源:摩尔光伏 发布时间:2018-04-02 09:17:56

PERC电池也走向产业化,双面多晶PERC技术风险低、兼容性好,组件工艺易匹配。跟单晶相比,多晶双面率与单晶相差无几,可以达到70%,未来还是有进一步的优化空间。多晶PERC与MBB技术或半片技术叠加
还可以其他叠加新技术。盛健介绍,MBB技术让电池效率增加0.2%,正面银浆单耗下降25%。从焊接工艺来说,国内多主栅串焊机采用传统焊接法,趋于成熟,制程良率等指标接近常规水平。协鑫集成MBB组件可靠性

装家庭光伏之前你必须要了解的光伏商业模式大全!来源:晶太阳 发布时间:2018-03-27 09:50:57

,光伏金融平台的出现,不可避免。光伏电站投资是资本密集型业务,对资金极度饥渴。除了银行贷款融资外,融资租赁、产业基金、股权众筹等众多创新的光伏融资方式,将会刺激光伏金融平台的出现。 促使分布式光伏商业模式
主要原因之一是其高昂的系统成本,因此光伏发电必须依靠补贴才能保证效益。近年来,作为光伏系统造价中占比最大的光伏组件受原材料成本下降、技术工艺升级等因素影响成本逐年下降。近10年时间,中国光伏发电的

年产能250MW!大海光伏全自动半片组件生产线正式来源:光伏头条 发布时间:2018-03-20 12:48:35

在光伏市场上的竞争力。 据了解,莱芜科林二期半片组件项目产能达250MW,采用最先进的电池片激光划片设备,划片后电池片零损伤。此外,大海光伏还引进4000型高速电池片焊接机、全自动半片组件流水线
、高精度机器人排版机、12焦组件外观测试仪等国内外顶尖设备,且进行前后三道超高空间分辨率EL检测,产线兼容PERC单多晶组件以及焊带贴膜组件生产技术。通过将国内领先的技术、全自动化生产设备以及成熟工艺

P型硅电池效率超过26% 详解ISFH的POLO-IBC技术来源:PV兔子 发布时间:2018-02-27 10:52:19

金属接触区域开孔 背面蒸镀铝电极,然后溅射氧化硅 最后使用化学法除去分隔沟中的金属,完成被电极的分离。 整套工艺可以说还是相对复杂,并且使用了多次光刻和需对准的工艺。ISFH的技术人员也了解这一问题,目前正研究如何使用激光技术替换掉光刻。

中来光电2018新产品技术鉴定会在泰州圆满落幕来源:索比光伏网 发布时间:2018-02-12 11:00:44

提高电池的短路电流; 3、优化栅线的烧结工艺,降低栅线与电池表面的接触电阻,从而提高电池的填充因子; 4、采用离子注入技术整合整线工艺,简化工艺制程,提高良率,避免前后掺杂互相影响,最大化发挥N型

P型单晶电池转换效率达26.1% 创下新记录来源:pv-tech 发布时间:2018-02-11 14:06:44

多晶硅由一块内置多晶硅区域彼此分离,该区域使用实验室工艺进行处理。ISFH指出介质背面反射激光消融,类似于目前的生产技术。 创下记录的电池在经过ISO 17025认证的校准和测试中心ISFH-
哈梅林太阳能研究所(ISFH)和汉诺威莱布尼茨大学在一块经过特殊处理的叉指p型单晶硅片背面使用了多晶硅脱氧 多晶硅氧化物触点工艺,实验室电池转换效率达到26.1%,创下记录。 POLO触点单晶硅

晶科能源首席科学家王琪——探究“迷”一样的PERC电池生产状况来源:pv-tech 发布时间:2018-02-02 14:16:38

仅仅是对背表面沉积和激光开背等工艺进行优化。太阳能电池生产线上的每一步骤均需相互配合。PERC技术并非即时解决方案,而需要时间来完成转型。我们同时还涵盖了单晶/多晶领域,毫无意外地,在太阳能电池工艺阶段

晶科能源:再度刷新多晶电池量产平均效率的世界记录来源:世纪新能源网 发布时间:2018-02-02 14:12:37

力,微观上使电池表面结构更加均匀统一,大幅提高光子利用率。同时,该技术进一步改善电池表面钝化水平,降低少数载流子的复合速率。新的背钝化工艺,能有效地提升电池片的电压及电流收集能力,大幅降低由激光制程造成的

在纸张和PET上“印刷”多晶硅,工艺温度低于150℃来源:日经BP社 发布时间:2018-02-02 14:11:25

形成过程在内的工艺温度不会超过150℃。在按照这种方法制作的TFT中,只照射一次较高能量激光制作的NMOS的载流子迁移率为2.6cm2/Vs、PMOS的载流子迁移率为3.9cm2/Vs。通过反复照射多次
溶剂中制成的;(2)在温度为100℃的环境下,照射波长为365nm的紫外线(UV),然后使CPS聚合形成聚硅烷;(3)向聚硅烷层照射数十纳米的准分子激光,变成多晶硅。据介绍,在上述过程之后,包括TFT