氮化硅薄膜
用于晶体硅太阳电池生产的PECVD技术进展来源：中国新能源 发布时间：2009-06-15 14:52:15
太阳电池要求双面镀膜，正面镀氮化硅，背面镀二氧化硅和氮化硅，这种情况下，灵活的微波间接法就有较大的优势。另一些技术要求在制备出氮化硅薄膜后还进行湿法光化学金属镀膜工艺，这对氮化硅膜的密度和质量要求高了
太阳能光伏技术——晶体硅太阳能电池及材料来源：solarbe.com 发布时间：2007-06-08 17:19:33
结构自始至终占主导地位，其它结构对太阳电他的发展也有重要影响。 以材料区分，有晶硅电池，非晶硅薄膜电池，铜钢硒（CIS）电池，磅化镐（CdTe）电池，砷化稼电他等，而以晶硅电池为主导，由于硅是
。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可
上海物理研究所－廉价多晶硅薄膜太阳电池来源：上海物理研究所 发布时间：2007-06-08 14:47:40
多晶硅薄膜太阳电池，结构为背电极/衬底/制有P-N结的多晶硅薄膜/栅状上电极，在电池入射光表面有氮化硅减反射膜，其特征在于：在衬底和制有P-N结的多晶硅薄膜之间还有重掺P
申请专利号
200610117155.9
专利申请日
2006.10.13
名称
廉价多晶硅薄膜太阳电池
公开（公告）号
CN1933185
公开（公告
