氢气制备

主要是氢气和氯气，通过三氯氢硅的氢还原反应获得多晶硅。这个过程要不断供气和供电，在炉子里多晶硅棒逐渐长大，各个环节都需要大量资源支持。 以乐山为例，其资源在国内享有比较优势。多晶硅生产是高耗能
装机容量为700万千瓦的水电站，乐山电力价格、人工成本处于全国中下游。加上当地有丰富的盐卤、石灰石、煤炭、水资源来制备原料，这些都增加了四川多晶硅未来取胜的砝码。 知情人士透露，四川省有望出台用电

。1955年西门子公司采用化学方法，将粉碎的冶金级硅在硫化床反应器中与HCI气体混合并反应生成三氯氢硅和氢气，Si＋3HCI→SiHC13＋H2。由于SiHC13在30℃以下是液体，因此很容易与氢气
分离。接着，通过精馏使SiHC13与其它氯化物分离，经过精馏的SiHCl3，其杂质水平可低于10-10％的电子级硅要求。提纯后的SiHC13通过CVD原理制备出多晶硅锭。 通过在西门子法工艺

） 用元素合成法制备近似满足化学计量比的p型CulnSe2多晶晶块作为输运源料，用碘或碘化氢气体作为输运剂，以铝片、石墨片、w／A12O2或MO／玻璃作衬底，在封闭系统中进行蒸发
Cu2S／CdS是一种廉价太阳电池，它具有成本低、制备工艺十分简单的优点。因此，在70-80年代曾引起国内外广大光伏科研者的广泛兴趣，以空前热情进行研究。在烧结体Cu2JCdS太阳电池研究的基础上，70年代

是为了降低成本，其优点是能直接制备出适于规模化生产的大尺寸方型硅锭，设备比较简单，制造过程简单、省电、节约硅材料，对材质要求也较低。晶界及杂质影响可通过电他工艺改善；由于材质和晶界影响，电池效率较低。电池工艺主要
发射区的形成和磷吸杂结合，采用快速热过程制备铝背场，用lift一off法制备Ti／Pd／Ag前电极，并加双层减反射膜。1cm2电他的效率AM1.5下达到18．6％。 （2）UNSw电池 uNsw

，2010年EG硅需求会达到26000t左右，现有的多晶硅厂和建设中的多晶硅厂（部分产品为EG硅）已能够满足电子级市场的需要。 1.2多晶硅的制备两大多晶硅制备工艺的形成bbs.solarzoom.com
年贝尔实验室将易于提纯和回收重复使用的氢气（H2）代替难于提纯的Zn还原SiCl4，在钽（Ta）丝上沉积多晶硅，P型电阻率达到1000Ω?cm。 l 1955年西门子公司研究成功了用H2还原