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当3D打印技术遇上光伏 光伏制造效率要逆天!来源:蜂鸟发现3D打印 发布时间:2018-07-24 10:13:46

打印机将薄膜太阳电池印刷到纸张上,这种电池目前可提供1.5%~2%的电池效率。3D打印技术不仅能打印出分辨力高、导电性好的线,而且能够降低生产成本,可以和高方阻发射极完美结合并应用于各类太阳电池

丝网印刷光伏电池正面电极银浆的流变学研究来源:摩尔光伏 发布时间:2018-07-23 14:48:47

摘要 高效光伏电池要求正银电极细栅密植,要获得线细和形貌好的正面电极,对导电银浆的要求是易过网、流平性好和高宽比大,即对浆料的流变学性能有特殊要求。印刷是一个动态过程,故传统的测试参数黏度和触变

丝网印刷工艺中的悬浮网板技术来源:摩尔光伏 发布时间:2018-07-23 14:46:28

物理特性差异带来的碎片率高和印刷质量差的问题。在太阳能电池产业快速扩张阶段,这些问题被片面追求产能所掩盖。而在行业进入平稳整合阶段,电池片印刷质量和生产成本就成为了焦点。 线印刷质量主要体现在线线

光伏周报 | 行业政策不断 企业半年报预告出炉来源:OFweek太阳能光伏 发布时间:2018-07-23 12:17:53

栅/半片/无热斑等先进光伏电池及组件技术研发及产业化。鼓励开展铁电-半导体耦合、新型叠层、钙钛矿、染料敏化等新型光伏电池技术及组件研发和产业化。支持高强度耐磨金刚石线锯、高效光伏焊带、高可靠性光伏电池

上海良信电器王金贵:光伏行业低压电器使用痛点及应对来源:索比光伏网 发布时间:2018-07-23 09:59:51

,避免银点被长时间灼烧,延长电寿命;主轴密封设计,减少带电粒子进入机构侧的几率,使断路器下进线不降容。研制了U型结构触头,加快电弧分断速度;灭弧栅片增到14片,提供更强的灭弧能力;增加触头开距、运用
元件产品,我们是具有完整产品线的一个品牌。 良信的研发中心。引进了IPD集成开发体系,涵盖了从产品战略、产品规划、产品立项、产品开发到上市、产品生命周期管理的全过程,有效地提高了研发效率。我们引进专家引进

杂草丛生、无人维护,这样的光伏电站又有何意义?来源:北极星太阳能光伏网 发布时间:2018-07-20 17:20:13

,组件上的焊点熔化并毁坏线,从而导致整个光伏组件报废。 在此,我们也要提醒广大家庭光伏电站的用户,安装了光伏电站并不是一劳永逸,在电站变为摇钱树之前,也一定要用心呵护它! 来源:北极星太阳能光伏网(综合)

什么是perc电池?perc太阳能电池原理|技术|生产流程|工艺流程详解!来源:索比光伏网 发布时间:2018-07-20 10:41:39

。 对于PERC电池正面银浆而言,为了配合PERC技术获得更高的转换效率,除了提高接触性能,细线印刷降低线遮光面积等常规性能之外,还需要能够叠加双次印刷,分步印刷,多主栅技术。同时,为了帮助
,Multi wire-多主栅,finger10m-10m线) 各家PERC技术路线 目前,领先厂商的单晶PERC电池的量产效率可以达21.5%左右,多晶PERC的量产效率可达19.7%左右。而截至

有了它 选择性发射极SE技术 PERC量产效率轻易突破22%?来源:摩尔光伏 发布时间:2018-07-19 09:37:52

接触电阻的增大,影响电池的串联。选择性发射极太阳电池的结构设计可以很好地解决这一矛盾。选择性发射极(selectiveemitter,SE)太阳电池,即在金属线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂
有明显的降低,低方块电阻的重掺杂区与金属栅线形成良好的欧姆接触,接触电阻降低,电池的串联电阻得到明显的改善。当激光功率达到50W时,电池的串联电阻有升高的趋势,这一方面是由于过高的激光功率会使磷硅玻璃

韩华分享 | 网罗光伏逆变器知识重点!值得收藏来源:电力电子网 发布时间:2018-07-16 17:02:59

,推挽式逆变器、半桥式逆变器和全桥式逆变器。 5.按逆变器主开关器件的类型分 可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(IGBT)逆变器等。又可将其归纳为半控型逆变器和全
场效应晶体管和绝缘栅双权晶体管(IGBT)等均属于这一类。 6.按直流电源分 可分为电压源型逆变器(VSI)和电流源型逆变器(CSI)。前者,直流电压近于恒定,输出电压为交变方波;后者,直流电流近于恒定

五大领域齐发力 三菱电机创新产品持续抢占市场新高地来源:索比光伏网 发布时间:2018-07-16 16:47:43

应用领域,同年,三菱电机开发了第一款全SiC功率模块,配备在机车牵引系统在日本新干线安装使用。三菱电机SiC功率模块产品线已涵盖额定电流15A~1200A及额定电压600V~3300V,目前均可提供样品。 由于
沟槽栅SiC MOSFET芯片技术, 该技术将进一步改善短路耐量和导通电阻的关系,并计划在2020年实现新型SiC MOSFET模块的商业化。 表面贴装型IPM和第7代IGBT模块(LV100封装