更低开路电压

平台型技术，提效潜力巨大，有望成为下一代主流技术：HJT 电池本征非晶硅层将 N 型衬底与两侧的掺杂非 晶硅层完全隔开，实现了晶硅/非晶硅界面态的有效钝化，带来了相比 PERC 更高的开路电压，从而
，放置硅片的载板按 照设定的速度移动，成膜厚度由载板在腔室内的移动时间决定，所用节拍时间大幅缩短，提高了真空系统使用效率， 产能更高，设备成本相对更低。 但由于非晶硅薄膜沉积过程对各种环境因素的变化

数量、组件功率以及容配比等等。需要特别指出的是单串功率，组件串联数量一方面取决于组件开路电压，另一方面还要考虑当地的极低温度。655组件单串功率约为18.9kW，而445系统单串为12kW，单串功率提升
，CSAR等技术，从核心发电单元出发，提升组件产品的可靠性，降低组件衰减。以及其它一些技术细节上，这些细节使得阿特斯的组件更安全、可靠，衰减更低。 回到应用端，阿特斯的7系列大尺寸高功率组件使单位支架可安装

产业持续的资本投入。HJT技术作为下一代电池片技术，具备开路电压高，温度系数低等多项优点，长期发展趋势具备强确定性。从投产节奏来看，随着HJT部分设备及材料开始国产化，HJT的性价比正不断提升，后续随着
更低的单瓦成本和度电成本。 相比于PERC电池，HIT电池在制备过程对清洁度要求更高，需要对设备和车间做到更高程度的洁净度，因此不能与传统电池的生产车间兼容。整体而言HJT电池生产设备与单晶PERC

，那是不是意味着每串能串的片数多? 答：组件的开路电压与电池片数量成强相关。210mm 600W产品的开路电压低，是因为其电池片数少，由60片电池片封装而成，但是开路电压低就意味着短路电流高，对

情况下，对系统成本影响最大的当属单个组串功率。由于目前逆变器系统电压最高为1500V，根据600W组件开路电压(41.7V)和585W组件开路电压(53.2V)的差异，考虑北方地区冬季气温较低的特点

。 3. 210据悉另一个优势是开压比182要低，那是不是意味着每串能串的片数多? 答：组件的开路电压与电池片数量成强相关。210mm 600W产品的开路电压低，是因为其电池片数少，由60片电池片封装

使182组件的开路电压比210组件高出约12V。 如宋毅锋所言，组件开路电压越低，意味着一台逆变器可以连接的组件块数越多，组串功率更高，对应的BOS成本也将更低，在组件效率不变的情况下，开路电压每

能够实现填充因子和开路电压的显著提升。 纳米异质外延 这个团队使用了名为纳米异质外延(NHE)的工艺，在图形衬底上生长半导体层。团队使用了一个两步生长工艺，首先生长一个GaAs缓冲层弥合硅的孔隙
加拿大的科学家发现了一项具有前景的砷化镓太阳能电池生产技术。让电池直接生长在硅衬底上是一项有前途的策略，能够削减某些技术过高的生产成本。通过使用多孔硅，科学家能够朝着以更低成本生产高性能III-V

的相同器件。两种设备最初都记录了1.14 V的开路电压，但在黑暗中老化20天后，3分钟的设备增加到1.20 V，而20分钟的设备略微下降到1.13 V。 通过对两个装置的检测，研究小组发现，在经过
的性能。 研究小组将此归因于钙钛矿内部一种之前未知的反掺杂过程，这最终导致了更低的重组损失和更好的效率。 该小组利用叶片涂层工艺制备了钙钛矿(甲基铵碘化铅)器件，并比较了分别退火了3分钟和20分钟

升级，在接触性能提升的同时也能有效减少激光在掺杂工艺中对选择性发射极的损伤，降低复合从而使开路电压得以提升。 图5. SOL9671B 展现出更低的金属接触复合 SOL6700B 助力
SOL6700B对氮化硅的刻蚀更为微弱，从而有效提升开路电压。 图7. SOL6700B 非接触型设计带来显著的效率增益 随着客户端对主栅单耗的降低越来越明显，单耗的降低意味着对拉力的挑战