晶体薄膜
环境更有利于高折射率的获得。此外，还就膜厚和折射率随温度、环境变化的情况进行了详细的讨论。
1引言
氮化硅薄膜制备在太阳能电池生产中起着减少硅片表面的反射、进而增加光的利用率的作用，是晶体
摘要:研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对氮化膜薄膜性能影响，测试了退火后氮化硅薄膜的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明，多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气，并
8个产业，进一步细化到40个重点方向下174个子方向，近4000项细分的产品和服务。其中，太阳能产业也被列入《目录》，主要内容包括以下：
太阳能产品
光伏电池及组件。包括晶体硅光伏电池及组件，柔性
砷化镓、硅基薄膜、碲化镉、铜铟镓硒、钙钛矿、聚光等新型光伏电池和组件。
光伏电池原材料及辅助材料。包括单晶硅锭/硅片，光伏电池封装材料，有机聚合物电极，光伏导电玻璃(TCO玻璃等)，硅烷，专用银浆
能盲目乐观。 而中国光伏最大的海外市场印度却纷争渐起，7月30日印度财政部宣布对中国、马来西亚及部分发达国家进入该国的太阳能光伏产品(包括晶体硅电池及组件和薄膜电池及组件)征收保障性关税。首年
中国光伏企业带来多大的发展空间尚不能盲目乐观。 而中国光伏最大的海外市场印度却纷争渐起，7月30日印度财政部宣布对中国、马来西亚及部分发达国家进入该国的太阳能光伏产品(包括晶体硅电池及组件和薄膜
，光电池成本及售价将会大幅下降。2010 年 以后，由于太阳能电池成本的下降，可望使光伏技术进入大规模发展时期。随着技术的进步，薄膜太阳能电池的发展将日新月异，在未来光伏市场的市场份额将逐步提高。作为性能
最好的薄膜太阳能电池，CIGS 薄膜太阳能电池也将迎来快速发展时期。
1、 CIGS 电池的结构
铜锢稼硒(CIGS)薄膜太阳能电池， 具有层状结构， 吸收材料属于 I -III-VI 族化合物
、天合、林洋等。
其他技术路线： HJT生产工艺已不同于常规晶硅电池技术，需薄膜技术支持，所需设备也大不相同;p-PERT作为p-PERC的替代方案，推广范围及产能均不大;n-PERC尚处在研究中
较小的缺陷电池可实现再利用。然而晶体硅电池十分脆弱，切半过程增加电池片损毁;半片电池在组件中的串联过程也更加复杂、精细化、接头更多，电池破裂的概率增加。不过，半切电池成品率约95%，领先的半切公司如
7月底，印度财政部正式对针对光伏的保障措施调查作出裁决，将对中国、马来西亚及发达国家进入该国的太阳能光伏产品(包括晶体硅电池及组件和薄膜电池及组件)征收保障措施税。 根据《印度时报》的报道，印度
环境更有利于高折射率的获得。此外，还就膜厚和折射率随温度、环境变化的情况进行了详细的讨论。
1引言
氮化硅薄膜制备在太阳能电池生产中起着减少硅片表面的反射、进而增加光的利用率的作用，是晶体
摘要:研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对氮化膜薄膜性能影响，测试了退火后氮化硅薄膜的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明，多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气，并
关键设备进行招标，只要设备检测符合标准即可，补贴方式仍采用初投资补贴，采用晶体硅组件的示范项目补助标准为9元/瓦，采用非晶硅薄膜组件的为8元/瓦。 2012年实际安装4544MW，上半年，金太阳第一批项目
发射极，方块电阻为90～98 / □;
3) 刻蚀及去磷硅玻璃层(PSG);
4) 硅片背面沉积Al2O3 和SiNx 钝化膜：Al2O3 薄膜厚度20 nm，SiNx 薄膜厚度130 nm
;
5) 硅片正面沉积SiNx 减反射膜：SiNx 薄膜厚度78 nm，折射率2.08;
6) 硅片背面激光开窗：180 根线，线宽为40 m;
7) 印刷电极;
8) 高温烧结;
9) 测试分选
