北京汇能精电自主研发的太阳能控制器,其功率晶体管传导散热压紧结构获得了国家实用新型专利。 本实用新型有效地解决了以前只能对单个或两个功率晶体管压紧的问题,同时导入弹簧片可有效提高缓冲能力
后实现产品化的开发品。这些产品通过采用损耗比硅低的SiC和GaN功率半导体元件,均实现了高效率和小型化。确保JET认证的水平欧姆龙开发出了二极管和晶体管都采用SiC、输出功率为5.9kW的全SiC功率
SiC功率调节器将于2015年度投产欧姆龙开发出了二极管和晶体管均采用SiC功率元件的功率调节器。输出功率为5.9kW级,计划2015年度内投产(a、b)。采用了在TO247封装中集成SiC MOSFET
大型功率半导体厂商意法半导体公司3月宣布,将销售采用新一代半导体元件SiC(碳化硅)的功率MOSFET(金属氧化物半导体型场效应晶体管)SCT30N120。新产品的工作温度为200摄氏度,达到业界
%。
此次的高耐压SiC功率MOSFET将在光伏发电用PCS中取代以往的硅IGBT(绝缘栅双极晶体管)。其作用是将太阳能电池板发电的直流电转换成高电压的交流电。
与硅IGBT相比,其优点包括
索比光伏网讯:大型功率半导体厂商意法半导体公司3月宣布,将销售采用新一代半导体元件SiC(碳化硅)的功率MOSFET(金属氧化物半导体型场效应晶体管)SCT30N120。新产品的工作温度为200
双极晶体管)。其作用是将太阳能电池板发电的直流电转换成高电压的交流电。与硅IGBT相比,其优点包括无需使用专用驱动电路即可转换;能以更高的频率工作,可削减PCS功率单元内其他部件的尺寸。由此,可实现PCS
1. 制作单晶硅,一般需要用高纯度的电子级硅(EG)。单晶硅是制造半导体硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。 2. 制作太阳能电池,一般使用太阳能级硅(SG
端,一般功率大的使用三相的IGBT功率模块,功率较小的使用场效应晶体管,同时使用DSP转换控制器来改善所产出电能的质量,让它非常接近于正弦波电流。其最大特点是系统的功率高,成本低。但受光伏组串的匹配和
,该公司总裁兼首席执行官盖瑞o狄克森表示,展望2014年,随着半导体和平板显示设备产业的客户未来更大的投资,以及晶体管和内存技术的变革,将会突显我们更强的优势。而作为美国总部之外的最重要的战略发展基地
总裁兼首席执行官盖瑞o狄克森表示,展望2014年,随着半导体和平板显示设备产业的客户未来更大的投资,以及晶体管和内存技术的变革,将会突显我们更强的优势。而作为美国总部之外的最重要的战略发展基地,应用材料西安
的投资,以及晶体管和内存技术的变革,将会突显我们更强的优势。 而作为美国总部之外的最重要的战略发展基地,应用材料西安全球开发中心亦开始转变。 据应用材料西安公司向记者提供的材料显示
,该公司总裁兼首席执行官盖瑞o狄克森表示,展望2014年,随着半导体和平板显示设备产业的客户未来更大的投资,以及晶体管和内存技术的变革,将会突显我们更强的优势。而作为美国总部之外的最重要的战略发展基地