晶体管

光伏逆变器早期散热方案如图1，热源为BOOST侧晶体管和逆变侧晶体管，晶体管与散热器间为2mm厚陶瓷垫片。为获得更好的导热效果，陶瓷垫片两个底面要预先涂导热膏。在安装时为定位各陶瓷垫片，又需要事先将2个陶瓷

级方式的转换机等，作为250kW（支持直流600V）机型达成了业界顶级的最大转换效率97.4％。该方式的原理是利用4个IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）功率半导体来形成交流正弦波。将交流波形分成3部分

芯片。IGBT中文全名绝缘栅双极型晶体管，是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品。 　　南车株洲所IGBT事业部总经理刘国友向记者解释，不同功率等级的IGBT芯片有不同的尺寸大小，一般来说

晶体管，是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品。南车株洲所IGBT事业部总经理刘国友向记者解释，不同功率等级的IGBT芯片有不同的尺寸大小，一般来说，功率等级越高，芯片的尺寸就会越大。以8英寸

基于分子设计的高分子半导体高阶结构控制。 一般来说，作为应用于有机薄膜太阳能电池和有机晶体管的半导体材料，低分子材料的载流子迁移率更高，容易使器件表现出高性能。与非晶硅相比，低分子有机半导体的

基于分子设计的高分子半导体高阶结构控制。一般来说，作为应用于有机薄膜太阳能电池和有机晶体管的半导体材料，低分子材料的载流子迁移率更高，容易使器件表现出高性能。与非晶硅相比，低分子有机半导体的载流子迁移率

演讲，阐述了逆变器企业对功率半导体寄予的期望。该公司采用SiC二极管的逆变器通过减少开关损耗和导通损耗，大幅降低了转换损失。虽然目前仍需组合使用IGBT（绝缘栅双极型晶体管），但今后，通过完全采用SiC

（绝缘栅双极型晶体管），但今后，通过完全采用SiC，估计损耗还将减少60％左右。 坂本介绍说，采用SiC二极管并没有造成成本大幅上涨。如果能全部使用SiC，成本反而有可能降低。 坂本向功率

IGBT，是一种实现电能转换和 控制的电力电子器件，中文名叫绝缘栅双极型晶体管。自从1897年科学家发现电子这个物质后，人们一直在探索如何利用并控制这个神奇的粒子来造福人类，1904年，科学家发明

最终将成为石墨烯商业化的救命稻草。三星并不是唯一研究石墨烯的科技公司，IBM、诺基亚和SanDisk公司的研究人员都在尝试用石墨烯材料创造新型传感器、晶体管和存储器。石墨烯的未来前景如何？石墨烯最大的
，这一点与其他导电材料完全不同。石墨烯研究正在向让电子产品与生物系统融合的方向转变。换句话说，石墨烯产品可以植入你的身体中，读取神经系统信息或同细胞对话。不过，虽然研究人员相信石墨烯将用于下一代电子产品，但整个行业都在使用传统硅芯片和晶体管制造电子产品，他们接纳石墨烯速度可能很缓慢。