意法半导体公司(STMicroelectronics)12月1日发布了光伏发电逆变器(PCS)用的1200V耐压新型绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
1200V耐压的新型绝缘栅双极晶体管
成了最适合硬开关电路(可直接切断及导通直流电的开关)的绝缘栅双极晶体管。因能使切断电路时的超电势最小化及消除振荡,因此不仅可减少电力损失,还可简化电路设计。
工作温度范围比原有产品高,最高可达
为PSH50YA2A6。该产品采用混合构造,即二极管部分配备SiC制肖特基势垒二极管(SBD)、晶体管部分配备采用三菱电机自主开发的CSTBT(利用载流子积聚效应的IGBT)构造的第七代IGBT
、价格便宜,但是由于控制用功率晶体管存在着管压降,当充电电压较低时会带来较大的能量损失。另外当控制元件断开时,输入电压将升高到发电单元开路电压的水平,因此串联控制器适用于千瓦级以下的portant
做到南车光伏,南车创造。IGBT,中文名绝缘栅双极型晶体管。指甲大小的芯片却是包括光伏逆变器、高速动车组、巨型船舶等变流装备的核心器件,技术门槛之高,被业内公认为现代变流工业皇冠上的明珠。它是电力电子
,真正做到南车光伏,南车创造。 IGBT,中文名绝缘栅双极型晶体管。指甲大小的芯片却是包括光伏逆变器、高速动车组、巨型船舶等变流装备的核心器件,技术门槛之高,被业内公认为现代变流工业皇冠上的明珠
美国科瑞公司日前表示,该公司C2M系列1200伏、80毫欧碳化硅场效应晶体管被日本Sanix公司选用于新型9.9千瓦三相太阳能逆变器,以加强商业光伏系统的竞争力。 Sanix公司总经理藤原浩
,也就是说二极管和晶体管均使用了SiC,而非原来的Si。此次三菱电机采用了自主制造的功率半导体模块,将先于其他公司上市全SiC光伏逆变器。原来的产品采用通过三台逆变器制造模拟正弦波的分段控制逆变器方式。与
的纪录,其原动力来自全SiC化,也就是说二极管和晶体管均使用了SiC,而非原来的Si。此次三菱电机采用了自主制造的功率半导体模块,将先于其他公司上市全SiC光伏逆变器。
原来的产品采用通过三台逆变器
晶体管使用Si的产品,其电力转换效率为96%。
注2)此次还改进了找出最大功率点的MPPT(Maximum Power Point Tracking)控制算法。这样在遇到以前最大功率点因剧烈天气
式回路则把升压后的直流电压等价地转换成常用频率的交流电压。逆变器主要由晶体管等开关元件构成,通过有规则地让开关元件重复开-关(on-off),使直流输入变成交流输出。 尚普咨询行业分析师
效果。此外,A8还会使用20纳米制造工艺,功耗和体积将进一步降低。虽然A7是双核配置,但是其晶体管数量已经与四核Cortex A15相近,A8同样会延续这样的设计。由于苹果对A系列处理器与iOS系统