晶体硅电池
。其中，硅材料电池中的晶体硅电池又分为单晶硅和多晶硅电池两大类，占据了90%左右的市场份额。众所周知，单晶硅电池光致衰减(LID)一直是困扰行业的一大难题，特别是近年来新开发和产业化的钝化发射极和局部背
钙钛矿电池。其中，硅材料电池中的晶体硅电池又分为单晶硅和多晶硅电池两大类，占据了90%左右的市场份额。众所周知，单晶硅电池光致衰减(LID)一直是困扰行业的一大难题，特别是近年来新开发和产业化的钝化发射极
推向N区，与N区的电子复合），复合之后以光的形式辅射出去，即电致发光。当被施加正向偏压之后，晶体硅电池就会发光，波长1100nm左右，属于红外波段，肉眼观测不到。因此，在进行EL测试时，需利用CCD
方法。其原理如下：晶体硅电池外加正向偏置电压，电源向太阳电池注入大量的非平衡载流子，电致发光依靠从扩散区注入的大量非平衡载流子的不断复合而发光，利用CCD(CMOS)相机捕捉这些光子，通过计算机处理后
如下所示，从我国光伏市场情况看，多晶电池组约占我国晶体硅电池市场份额的80以上，因此这里以多晶电池产业链进行分析其全周期的生产能耗。
图1晶体硅太阳电池产业链
2.能耗计算边界条件
以原料硅砂
，可以计算出光伏发电的能量回收期：
TP = 1.52/1.3 = 1.17年
即在晶体硅电池实现发电后，只需要1.17年就可以收回生产过程中所消耗的电力，先进产能则仅需1年左右。而太阳能组件的
停滞在研发阶段。而铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光电转换效率居各种薄膜太阳能电池之首，接近晶体硅太阳电池，而成本则是晶体硅电池的三分之一，目前欧美发达国家已经开始进行小规模生产，我们认为未来发展前景较好
光伏市场情况看，多晶电池组约占我国晶体硅电池市场份额的80以上，因此这里以多晶电池产业链进行分析其全周期的生产能耗。2.能耗计算边界条件以原料硅砂为起点，到制成晶体硅ink"光伏发电系统，全部能量消耗EP
1.3kWh电。由此，可以计算出光伏发电的能量回收期：TP = 1.52/1.3 = 1.17年即在晶体硅电池实现发电后，只需要1.17年就可以收回生产过程中所消耗的电力，先进产能则仅需1年左右。而
我国光伏市场情况看，多晶电池组约占我国晶体硅电池市场份额的80以上，因此这里以多晶电池产业链进行分析其全周期的生产能耗。 图1晶体硅太阳电池产业链2.能耗计算边界条件以原料硅砂为起点，到制成晶体硅
=1.52/1.3=1.17年即在晶体硅电池实现发电后，只需要1.17年就可以收回生产过程中所消耗的电力，先进产能则仅需1年左右。而太阳能组件的质保普遍在25年，有些甚至达30年，太阳能电池在全寿命周期
不少都停滞在研发阶段。而铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光电转换效率居各种薄膜太阳能电池之首，接近晶体硅太阳电池，而成本则是晶体硅电池的三分之一，目前欧美发达国家已经开始进行小规模生产，我们认为未来发展前景
，晶体硅电池就会发光，波长1100nm左右，属于红外波段，肉眼观测不到。因此，在进行EL测试时，需利用CCD相机辅助捕捉这些光子，然后通过计算机处理后以图像的形式显示出来。
给晶硅组件施加电压后，所激发出的
EL(Electroluminescence 电致发光)是检测光伏组件隐裂简单有效的方法，其原理如下：
晶体硅电池外加正向偏置电压，电源向太阳电池注入大量的非平衡载流子，电致发光依靠从扩散区注入
