隐裂、热斑、PID效应，是影响光伏组件性能的三个重要原因，近期为大家所关注。今天来说一下隐裂。
1什么是“隐裂”?
隐裂是电池片的缺陷。
由于晶体结构的自身特性，晶硅电池片十分容易发生破裂。晶体硅组件生产的工艺流程长，许多环节都可能造成电池片隐裂(据西安交大杨宏老师的资料，仅电池生产阶段就有约200种原因)。隐裂产生的本质原因，可归纳为在硅片上产生了机械应力或热应力。
近几年，晶硅组件厂家为了降低成本，晶硅电池片一直向越来越薄的方向发展，从而降低了电池片防止机械破坏的能力。
2011年，德国ISFH公布了他们的研究结果：根据电池片隐裂的形状，可分为5类：树状裂纹、综合型裂纹、斜裂纹、平行于主栅线、垂直于栅线和贯穿整个电池片的裂纹。
晶硅电池隐裂形状
2“隐裂”对组件性能的影响
不同的隐裂，对电池片功能造成的影响是不一样的。
根据晶硅电池的结构，电池片产生的电流要依靠“表面的主栅线及垂直于主栅线的细栅线” 搜集和导出。当隐裂导致细栅线断裂时，细栅线无法将收集的电流输送到主栅线，将会导致电池片部分甚至全部失效。
基于上述原因，对电池片功能影响最大的，是平行于主栅线的隐裂(第4类)。根据研究结果，50%的失效片来自于平行于主栅线的隐裂。
45°倾斜裂纹(第3类)的效率损失是平行于主栅线损失的1/4。
垂直于主栅线的裂纹(第5类)几乎不影响细栅线，因此造成电池片失效的面积几乎为零。
相比于晶硅电池表面的栅线，薄膜电池表面整体覆盖了一层透明导电膜，所以这也是薄膜组件无隐裂的一个原因。
有研究结果显示，组件中某单个电池片的失效面积在8%以内时，对组件的功率影响不大，组件中2/3的斜条纹对组件的功率稳定没有影响。因此，当组件中的电池片出现隐裂后，可能会产生效率损失，但不必谈隐裂“色变”。
3 检测“隐裂”的手段
EL(Electroluminescence，电致发光)是简单有效的检测隐裂的方法。其检测原理如下。
电池片的核心部分是半导体PN结，在没有其它激励(例如光照、电压、温度)的条件下，其内部处于一个动态平衡状态，电子和空穴的数量相对保持稳定。
如果施加电压，半导体中的内部电场将被削弱，N区的电子将会被推向P区，与P区的空穴复合(也可理解为P区的空穴被推向N区，与N区的电子复合)，复合之后以光的形式辅射出去，即电致发光。
当被施加正向偏压之后，晶体硅电池就会发光，波长1100nm左右，属于红外波段，肉眼观测不到。因此，在进行EL测试时，需利用CCD相机辅助捕捉这些光子，然后通过计算机处理后以图像的形式显示出来。
给晶硅组件施加电压后，所激发出的电子和空穴复合的数量越多，其发射出的光子也就越多，所测得的EL图像也就越亮;如果有的区域EL图像比较暗，说明该处产生的电子和空穴数量较少，代表该处存在缺陷(复合中心);如果有的区域完全是暗的，代表该处没有发生电子和空穴的复合，也或者是所发光被其它障碍所遮挡，无法检测到信号。
图中中间扭曲是因为组件尺寸太大，图像采用了拼接方式，属于正常现象。
4小结
1)隐裂有多种，并不是所有的隐裂都会影响电池片的性能;
2)在组件生产、运输、安装和维护过程中，考虑到晶硅组件的易裂特征，还需在各工序段和搬运、施工过程中改进和细化作业流程，减小组件隐裂的可能性。
3)EL是简单有效的检测隐裂的方法。
一、形成组件隐裂的因素
1、生产过程中的隐裂因素
设备因素：在组件生产过程中串焊机、层压机、装装框机对组件都直接施加作用力，参数设置不当或设备出现故障都会造成电池片的隐裂。
原料因素：原料的好坏直接影响着组件的质量，原材料缺陷也是导致组件产生隐裂的主要原因，
工艺参数因素：在组件生产中使用不正确的工艺参数，同样会诱发电池片的隐裂;如焊接温度过高，就很容易使组件产生隐裂，层压参数设置不合理，抽真空压力过大、过快也会导致组件产生隐裂的产生。
2、存储运输中的隐裂因素
组件箱体变形、长期雨水浸透、组件来回搬运等造成箱体歪斜，箱体内单块组件具有活动空间，搬运过程组件晃动造成对角式隐裂。
托盘强度不够，在组件搬运过程中托盘变形，使得组件表面产生受力，导致电池片产生网状隐裂
组件运输过程中，叉车司机暴力装卸、运输车辆大幅颠簸、二次倒运也会造成组件隐裂。
3、安装施工中的隐裂因素
工人安装、清洗过程中操作不规范造成组件隐裂也时发生，如下图施工人员踩在组件上安装，运维人员站在组件上清理组件等不规范的操作都会导致组件隐裂
二、光伏组件隐裂的预防卸货前应先检查组件外包箱的外观是否完整，运输状态是否完好，确保卸货过程中的安全。
