晶体硅片

、照单全收的苦恼和尴尬，鑫单晶G3无论是外观还是内在的位错密度，都无限接近直拉单晶硅片，为日趋多元化的光伏材料市场提供了一个极具竞争力的高效产品。 从晶体学上讲，区别单晶和多晶的关键在于晶体结构是否无限

使用、照单全收的苦恼和尴尬，鑫单晶G3无论是外观还是内在的位错密度，都无限接近直拉单晶硅片，为日趋多元化的光伏材料市场提供了一个极具竞争力的高效产品。 从晶体学上讲，区别单晶和多晶的关键在于晶体
铸锭单晶(cast-mono wafer)，是指采用多晶铸锭炉，在常规多晶铸锭工艺的基础上加入单晶籽晶，定向凝固后形成方型硅锭，并通过开方、切片等环节，最终制成单晶的硅片。基于该技术路线，保利协鑫

，Knight先生说，我们两家公司已经是数十年晶体生长和设备专业技术最突出的代表。相信随着单晶硅片的加速采用，以及此许可协议的达成，将为光伏市场带来颠覆性的积极影响。 京运通董事长兼首席执行官冯焕培说：这种连续

DUO-G6采用大硅片尺寸，可以获得更高的功率输出。 【中国上海，2019年5月29日】韩华新能源(以下称为 Q CELLS或公司)是世界上最大的太阳能电池和组件制造商之一，将于2019年6月4日至6日再度
组件Q.PEAK DUO-G6，它采用较大尺寸的硅片制造，功率增加约6%。 同时展出的还有全黑高效单晶半片电池太阳能组件Q.PEAK DUO BLK-G5和多晶半片电池太阳能组件Q.PLUS DUO RSF

：30+4+20+4+1+2+5+2+10=78GW，全球总需求：108-113GW，扣除薄膜5GW，晶体硅组件的总需求103-108GW! 明年美国的税收优惠政策将减少，会刺激抢装，类似于2016年，会达到15GW的
，部分改造为单晶Perc，部分停产，而单晶硅片扩产缓慢，目前只有70GW的供应量，抑制了单晶电池的供应，是一种结构性矛盾。另一个原因，上半年海外需求占大头，日本、印度的财务年度是3月底，欧洲下半年

。 此次破纪录的太阳电池采用了大面积工业级磷掺杂的直拉N型硅片衬底，集成超薄遂穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术，利用量子遂穿效应和表面钝化，实现面积为244.62平方厘米的电池正面光电转换效率达到
中国首次经第三方权威测试机构认证光电转换效率超24.5%的单结晶体硅双面电池，标志着天合光能在可差异化高效光伏电池技术研究领域迈出了重要的一步，为向客户提供高效高可靠低成本的光伏组件产品打下了坚实的基础

电池效率新的世界纪录。 此次破纪录的太阳电池采用了大面积工业级磷掺杂的直拉N型硅片衬底，集成超薄遂穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术，利用量子遂穿效应和表面钝化，实现面积为244.62平方厘米的电池正面
商业化光电转换效率达24.58%的i-TOPCon太阳电池，是中国首次经第三方权威测试机构认证光电转换效率超24.5%的单结晶体硅双面电池，标志着天合光能在可差异化高效光伏电池技术研究领域迈出了重要的一步

的组件。 图为晶体硅太阳电池产业链 根据中国光伏协会《关于光伏行业所谓的高耗能问题分析》一文的测算，光伏发电从硅石到系统的总能耗为1.52kwh/Wp。中国西北部的太阳能资源
(Energy Payback Time) = 1.52/1.3 = 1.17年(能量回收期EPT= 制造光伏系统的全部能耗/光伏发电系统年发电量) 即在晶体硅电池实现发电后，只需要1.17年就可以收回

、马来西亚、斯里兰卡、智利等有百兆瓦的需求，暂估10GW，海外合计需求：30+4+20+4+1+2+5+2+10=78GW，全球总需求：108-113GW，扣除薄膜5GW，晶体硅组件的总需求
的原因是，单晶硅正在迭代多晶硅产品，多晶电池从去年100GW大幅萎缩到目前的40GW水平，部分改造为单晶Perc，部分停产，而单晶硅片扩产缓慢，目前只有70GW的供应量，抑制了单晶电池的供应，是一种

龙头企业;在半导体产业实现8-12英寸大硅片制造用晶体生长及加工装备的国产化，并取得半导体材料装备的领先地位;在工业4.0方向，公司为半导体产业、光伏产业和LED产业提供智能化工厂解决方案，满足了客户对
。分析师预计，在光伏行业，未来多晶黑硅、铸锭单晶、直拉单晶将三分天下。 鑫单晶硅片如今每月实际产能达3000万片，销量逐月递增50%，且以强劲势头挺进。目前鑫单晶的不少下游客户已投入百万片级量产;多家