无主栅电池串联技术

降低5um左右，这个也导致了常规电池组件主材的硅成本降低空间非常缓慢。 相比较常规技术，MWT电池无主栅线，减少了3%~4%的正面遮光损失;MWT电池封装成组件时，如图(2)所示，采用导电背板+柔性

隔离。由于无主栅，电池遮光面积减少、正面银浆消耗更低、具有更高的转化效率。 封装方式上，MWT采用基于导电背板的电池封装技术，电池片串联通过金属导电线路，可降低电池片的破碎率，由于不使用焊带，可以

，通过 TCO 薄膜可以实现导电、减反射、保护非晶硅薄膜的作用。 电极金属化：通过丝网印刷在电池正背面印刷银浆制备电极，或通过无主栅/铜金属化技术实现电极金属化。 与 P-PERC、TOPCon

电流。同时，背部采用优化的金属栅线电极，降低了串联电阻。通常前表面采用SiNx/SiOx双层薄膜，不仅具有减反效果，而且对绒面硅表面有很好的钝化效果。目前IBC电池是商品化晶体硅电池中工艺最复杂

Ⅱ即二代经典/全黑高效背接触组件，以MWT+PERC电池技术为基础，以导电箔取代传统焊带，通过导电箔刻线技术，实现电池片自由串联，不受距离、方向限制，相较于传统组件技术可塑性更高。 此次产品升级，正是

Ⅱ即二代经典/全黑高效背接触组件，以MWT+PERC电池技术为基础，以导电箔取代传统焊带，通过导电箔刻线技术，实现电池片自由串联，不受距离、方向限制，相较于传统组件技术可塑性更高。本次产品升级，正是利用

栅需要发挥连接焊带作用的影响，继续增 加主栅数量并保证遮光损失和材料成本不增长已面临着较大的限制。除多主栅技术外，为进一步减少正面遮挡和降低银浆消耗量，无主栅技术和镀铜工艺成为改善异质结电池金属化

2025年，双面组件将占据近40%的市场份额。 叠瓦组件采用导电胶连接电池片的方式带来了许多显而易见的优点，如无主栅/焊带遮挡，无电池片间距，提高受光量，不使用焊带且串联电流显著降低，降低电学损耗等。但

预计今年叠瓦有8GW的产能增加，但是实际产出有限。 叠瓦组件将成品电池片切成数(通常1切5或1切6)后用导电胶相连，叠瓦组件的好处在于，无主栅/焊带遮挡，无电池片间距，显著提高了受光量，不使用焊带且

无需印刷绝缘胶，主细栅一次印刷，电池工序简单;制作组件时，使用金属箔进行电池片互联，精度要求低于无主栅式。 目前中来光电已完成上述三类IBC电池的技术开发，同时也积极开展IBC电池的产业化探索