抗LeTID性能

Temperature Induced Degradation)测试，两款产品在测试中均表现亮眼，展示出晶科产品不俗的抗LeTID性能。 本次电池LeTID测试参考了即将发布的IEC 63202-1

(光诱导衰减)和抗LeTID(光照和高温诱导衰减)性能，热斑保护和质量追踪Tra.QTM激光识别码，以防止伪造。 Q CELLS的首席执行官金熙喆 (Charles. Kim )先生表示：再次被权威

和特有的钝化技术制造，这是Q.ANTUM技术的核心关键。为了提升产品质量和可靠性，Q.ANTUM技术结合了其他尖端技术和安全特性，如出色的抗PID(电势诱导衰减)，抗LID(光诱导衰减)和抗LeTID

半片组件，其运用了行业首家实现量产的双面复合膜钝化吸杂技术、SE选择性发射极、低温烧结工艺和加强电注入工艺。多种先进技术的运用，使得Jaeger系列产品拥有更佳的抗LID、抗LeTID表现，以保证最低

半片组件，其运用了行业首家实现量产的双面复合膜钝化吸杂技术、SE选择性发射极、低温烧结工艺和加强电注入工艺。多种先进技术的运用，使得Jaeger系列产品拥有更佳的抗LID、抗LeTID表现，以保证最低

行业的发展和不断佐证，LeTID的存在逐渐被认可接受，特别是在某些高温的沙漠和湿热地区，抗LeTID产品便尤为重要。正泰一直坚持使用严苛的标准对组件产品进行管控，确保组件产品在行标甚至高于行标的严苛

2689/04.19的 LeTID认证证书的企业。 协鑫集成组件研发部总经理郭奇志在颁证现场表示，获得全球首批LeTID标准认证表明协鑫集成鑫单晶组件具有优异的抗LeTID性能，协鑫集成已成为少数

LID(光诱导衰减)和抗LeTID(光照和高温诱导衰减)性能，热斑保护和质量追踪Tra.QTM激光识别码，以防止伪造。Q.ANTUM DUO技术结合了精密的半电池切割技术和创新的焊线互连技术
SNEC展会上推出新款产品Q.PEAK DUO-G7太阳能组件，该款组件结合了Q CELLS专有的Q.ANTUM DUO技术和12栅线技术。 这款组件可提供出色和持久的高性能，120片半片电池组件

造型美观，耐遮蔽性能出色。对空间有限、存在遮蔽问题的户用及工商业屋顶系统来说，更具吸引力。 根据第三方测试数据，阿特斯单、多晶组件均表现出了优异的抗LeTID(光热衰减)性能。这让阿特斯成为少数几家

这种高温地区，尤其要重视组件的抗LeTID(光热衰减)性能，而N型双面组件由于：1)采用N型硅，没有P型硅中B-O缺陷复合，具有高少子寿命，受LeTID衰减影响较p型硅小;2)N型双面组件可以让部分近