微晶硅膜

成 本低(膜厚只有单晶硅的1/100)、可通过增大禁带宽度提高转换效率(理论值为单晶30%，多晶24%)、没有光致衰降、抗放射性能好等优点，各国都在争相研究开发，并积极探索大面积应用的批量生产
两倍还多，如表2所示。单晶硅太阳电池的平均效率为15%，澳大利亚新南威尔士大学的实验室效率已达24.4%；多晶硅太阳电池效率也达14%，实验室最大效率为19.8%；非晶硅太阳电池的稳定效率，单结6～9

ＬＰＣＶＤ法先在ＳＩＯ２膜生长一层晶粒很小、很薄的多晶硅薄膜，由于采用ＳＩＨ４热分解方法，使得在ＳＩＯ２膜上的选择性生长较弱，晶粒很致密。以这样一层微晶硅膜作为衬底，用ＣＶＤ法生长多晶硅厚膜，便得到了晶粒

。 控制ZMR条件，可使再结晶硅膜中的腐蚀坑密度由1I07cm-2下降到1-2106cm-2，同时（100）晶相面积迅速增加到90％以上。为了满足光伏电池对层厚的要求，在ZMR层上用CVD法生长厚度为
室由不锈钢制成，用无油泵抽真空，其真空度为1.3310-2pa。等离子体由Ar和少量H构成，沉积时压强为810-8pa。沉积的多晶硅膜厚度为200m-1000m。多晶硅晶粒尺寸为20m-50m，沉积

的电磁波光子能量不同，则气体分解粒子的能量不同，粒子生存寿命不 同，薄膜的生成及对膜表面的处理机制不同，生成膜的结构、电子特性及稳定性就会有区别。VHF和微波 PECVD在微晶硅的制备上有一定的优势

三菱电机利用156mm多晶硅太阳能电池片，使光电转换效率达到了18.0％。对此进行评估的是官方认证机构产业技术综合研究所。可在同一面积的情况下，使发电量比以往增加7％，即使是在屋顶面积狭小等
的有限的设置空间，也可以确保足够的发电量。 　　为了提高太阳能电池单元的效率，三菱电机使用了三项自主开发技术。一，通过使用纳米掩膜材料的RIE（Reactive Ion Etching）法

包括：柔性衬底太阳能电池、聚光太阳能电池、HIT异质结太阳能电池、有机太阳能电池、纳米非晶硅太阳能电池、机械叠层太阳能电池、薄膜非晶硅/微晶硅叠层太阳能电池等。 技

不同，薄膜的生成及对膜表面的处理机制不同，生成膜的结构、电子特性及稳定性就会有区别。 yHF和微波PECVD在微晶硅的制备上有一定的优势。 其它主要其新技术还有，离子束淀积a一si薄膜技术

层太阳电池的各子电池中先电流应基本相等；子电池之间的P/N应为高透光高电导的隧道结。 4．新材料探索 探索的宽带隙材料主要有，非晶硅碳、非晶硅氧、微晶硅、微晶硅碳等。这些材料主要于