封装薄膜
文章介绍前驱体质量对钙钛矿薄膜的形貌、晶粒尺寸、结晶度和陷阱态密度起着决定性作用，其的长期稳定性对于钙钛矿太阳能电池(PSCs)的可靠放大具有重要意义。基于此，武汉理工大学钟杰等人提出常用的N,N-
中，以抑制这些副反应链，并有效减轻阳离子和碘离子(I⁻)的有害降解。Th的协同效应使其能够与未配位的Pb²⁺结合，调节结晶过程，从而实现低缺陷密度的高质量薄膜。因此，基于Th的前驱体展现出更长的存储
(认证效率25.68%)，创下TiO₂基平面结构PSCs的效率纪录。而经C8A钝化的p-i-n倒置结构器件更获得27.18%的冠军效率(认证26.79%)，成为真空闪蒸法制备PSCs的最高效率。未封装的
7Li核磁共振谱。e) 含/不含Li-TFSI的C8A溶液1H核磁共振谱。f,g) 含/不含C8A的Ag电极薄膜Ag 3d
X射线光电子能谱。h) 基于C8A与多组分离子主客体相互作用的迁移抑制
~
2的组件的J-V曲线。(f)有效面积为641.4cm 2的模块的J-V曲线。图5. 钙钛矿薄膜和器件的稳定性。在N2气氛中，在一个太阳照射和85
°C加热下，钙钛矿前体溶液(a)不含
(对照)和(B)含GAOA(目标)的吸收边演变。(c)对照和(d)目标钙钛矿薄膜在连续85
°C处理下的伪二维PL光谱演变(e和f)在环境温度(~25 °C和~
25%RH)下钙钛矿微晶的XRD
和氧空位，这些缺陷会在 n-i-p 型 PSCs
的溶液处理过程中阻碍高结晶度和无缺陷钙钛矿薄膜的理想生长，降低其功率转换效率(PCE)和稳定性。本文在
SnO₂薄膜上引入了多巴胺盐酸盐
盐酸盐(DACl)自组装单层(SAM)引入 SnO₂电子传输层与钙钛矿的界面，通过邻苯二酚基团对
SnO₂表面缺陷(如羟基、氧空位)的高效钝化，显著改善钙钛矿薄膜的结晶质量，抑制非辐射复合。2、双
Science刊发整体性优化实现高效率与机械稳健性超薄柔性钙钛矿太阳能电池的最新研究成果。该研究开发了几种策略来提高超薄f-PSC
的机械柔韧性和光伏性能。首先，在钙钛矿薄膜的边界处引入具有低
转移到钙钛矿薄膜中，进一步提高了器件的机械柔韧性。因此，成功制造了一种功率转换效率为21.44%的超薄f-PSC，创纪录的47.8
W g-1单位重量功率值。通过将超薄 f-PSC
层压在预
环境污染。(2) 第二代，薄膜电池技术。以铜铟镓硒 (CIGS)、碲化镉 (CdTe) 和砷化镓 (GaAs)
等材料为代表。虽然历经许多岁月，但看起来还没有硅基电池技术那样遍地都是。原因很多
，不提这些元素的品质贵贱，就薄膜电池技术效率低、成本高 (单 GW 投资 20
亿以上)，无法与晶硅电池性能媲美，目前占比不足 5 %。(3) 第三代，就是本文要讨论的钙钛矿太阳电池
界面，同时钝化两层中的缺陷，从而抑制界面复合损失。此外，这种改性可以降低 CsPbI₃
晶面的表面能，促进钙钛矿结晶，并得到结晶度更高的薄膜。为了增强 PFAT 与钙钛矿之间的相互作用，合成
83.44% 的填充因子(FF)。对于有效面积为 1 cm² 的大面积器件，PCE 达到了 17.41%，而在弱光照条件下，PCE
进一步提高到 41.27%。在室温(RT)、相对湿度(RH)为 5% 的环境中储存 800 小时后，未封装的器件保留了其初始效率的 87.27%。
机制。光照下，钙钛矿晶格膨胀率可达1%，晶界挤压引发材料损伤。2. 石墨烯-PMMA界面耦合技术团队通过聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)将单层石墨烯与钙钛矿薄膜结合，形成机械增强界面：力学性能提升：钙钛矿
发展规划》明确将钙钛矿列为重点技术，建筑与交通领域应用政策陆续出台。2. 技术挑战与应对稳定性瓶颈：尽管华理研究取得突破，但钙钛矿材料仍面临湿热、紫外老化等问题，需进一步封装技术优化;大面积制备：大尺寸组件
薄膜形成过程中使用的工艺：狭缝涂布 (A)、层流空气干燥 (LAD) (B) 和真空退火 (C);(D)
钙钛矿太阳能组件(PSM)逐层结构的截面示意图，包括封装层;(E) 钙钛矿太阳能组件
modules，展示了利用3D打印技术优化钙钛矿太阳能电池(PSCs)大规模制造工艺的创新方法。研究人员通过设计并3D打印一种新型的层流空气干燥器(LAD)，成功解决了大面积钙钛矿薄膜均匀结晶的难题
Poly-2PACz的化学结构。(B)通过UPS测量的ITO上的2PACz和Poly-2PACz薄膜的能级。(C和D)被2PACz(C)和Poly-2PACz(D)覆盖的ITO玻璃基板的c-AFM电流图像。图2.
UV照射之前和之后的1H
NMR光谱。图3.
HTL对薄膜PL特性和器件PCE的影响。(A和B)涂覆在2PACz和Poly-2PACz上的钙钛矿膜的稳态PL(A)和TRPL光谱(B)。(C)基于
