太阳能插片机

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光伏装备的“湖南奇迹”来源:湖南省政府门户网站 发布时间:2014-04-14 09:02:51

索比光伏网讯:从单一设备发展到单台设备与工艺结合;从整线设备发展到整线设备与工艺结合的整线交钥匙系统方案;占据国内太阳能电池制造装备80%的市场份额,成为国家级光伏全产业链制造规范企业;一次无心
扩散炉和等离子体刻蚀机,以光伏装备作为推动企业进入市场的突破口,在创新开拓的道路上迈出了第一步。无心插柳的转型,让48所成为国内最早从事光伏装备研发生产的单位。但在48所投身光伏产业之后的相当一段时间

48所:光伏装备的“湖南奇迹”来源:湖南日报 发布时间:2014-04-14 08:46:28

; 一次无心插柳的转型,13年的奋力追赶,让中国电子科技集团第四十八研究所(简称48所)创下了光伏装备制造的产业奇迹,成长为国内最大的太阳能电池制造装备供应商,连续三年进入全球光伏装备制造业前十强
转变。2001年,48所凭借在半导体装备领域的深厚积淀,推出高温扩散炉和等离子体刻蚀机,以光伏装备作为推动企业进入市场的突破口,在创新开拓的道路上迈出了第一步。 无心插柳的转型,让48所成为国内

海润光伏科技股份有限公司非公开发行A股股票预案(修正案)来源:世纪新能源网 发布时间:2014-03-26 23:59:59

国内外先进设备:采购坩埚喷涂设备、线切割机,少子寿命测试仪、电阻率测试仪、红外探伤仪器检测设备等进口设备共计52台;采购烘箱、多晶硅数控磨面倒角机、自动清洗机、自动、自动脱胶机、超声波清洗机等

北极星编辑推荐(二十七):十大光伏PECVD设备企业来源:北极星太阳能光伏网(独家) 发布时间:2013-12-27 09:33:09

、新型储能材料、特种传感器和SOI材料等技术为主的骨干科研生产机构,是我国唯一以离子注入机为主的微电子装备供应商、以MOCVD设备为主的光电子装备供应商,是我国最大的太阳能光伏制造装备供应商、最大的磁性材料
制造装备供应商。48所太阳电池制造装备具备了"整线交钥匙"工程的能力,国内市场占有率达到80%以上,扩散炉、刻蚀机、PECVD等装备批量供应国际着名的无锡尚德太阳能电力有限公司等;磁性材料制造装备的

北极星编辑推荐(二十二):十大扩散炉企业来源:北极星太阳能光伏网(独家) 发布时间:2013-12-19 08:49:37

索比光伏网讯:扩散炉是太阳能电池片生产过程中的重要设备。纵观太阳能电池的发展史,提高光电转换效率、降低生产成本和能耗,毋庸置疑的成了加快太阳能电池推广的关键技术。而作为太阳能电池片形成P-N结的核心

中国太阳能光伏产业技术现状来源: 发布时间:2012-12-25 11:02:37

空白。包括:还原炉、CVD、PECVD设备、烧结炉和全自动丝印机、线切割机、自动分选机、自动、自动焊接机等、离子注入机。提高这些高价值的关键设备的国产化程度是进一步降低我国电池制造成本的有效途径

中国光伏产业技术现状来源:IT经理世界 发布时间:2012-12-25 10:33:13

、线切割机、自动分选机、自动、自动焊接机等、离子注入机。提高这些高价值的关键设备的国产化程度是进一步降低我国电池制造成本的有效途径。 正是由于中国光伏产业的崛起,全球光伏产品成本在10年里

前瞻晶体硅太阳能电池未来产业化——高效N型背结前接触和背结背接触晶体硅太阳能电池来源:中国科学院微电子研究所太阳能电池研究中心 发布时间:2012-11-05 17:35:02

2009 年,荷兰国家能源研究中心(ECN)采用液态 B 扩散技术在 N 型太阳能级衬底上形成背部p 型发射极,并实现了N型 125125cm 2电池片的规模化生产。然而,采用液态B扩散技术存在着扩散
研制的高效N型背结前接触太阳能电池。 图2: 中科院微电子研究所太阳能研究中心采用Al推进法形成p型发射极,研制的高效N型背结前接触太阳能电池 3 高效N型插指背结背接触

比亚迪股份有限公司2011年公司债券(第一期)上市公告来源:和讯网 发布时间:2012-07-13 11:50:43

项目建设合作合同》,分期建设总体规模为年   产太阳能电池1GW项目,其中一期年产太阳能电池100 MW项目、二期年产太阳   能电池300MW项目均已建成并投产,三期年产太阳能电池片600MW项目及

太阳能光伏丝网印刷设备来源: 发布时间:2012-05-25 13:25:44

印刷出现缺陷时才刮。15.铝背场烘干接片时,要求用拇指接触背场,其他四指接触正面的方式进行或接片工作,避免交叉污染。16.接片人员不能穿戴棉手套接片,只需使用PVC手套或PE手套接片。17.正电极
索比光伏网讯:丝网印刷是太阳能电池制造的重要工艺,它质量的好坏会对太阳能电池的性能特别是电性能产生重要影响。在太阳能电池的一般生产工艺中,经过扩散制结,等离子刻蚀去周边和PECVD制减反膜,下一工艺