反应器

中间槽内进行H2活化，然后后通过给料仓进入氢化反应器。一般硅粉进入氢化反应器主要有三个部位，反应器顶部、反应器中部和反应器底部，这三个部位进料各有优势，后续进行详细的分析。STC和H2分别经过加压、汽化

月，在测试中，这项工艺的参数都被调制最低，以检验SST氯氢化反应技术在最恶劣情况下的最低转化率。在测试中，流化床反应器的反应时间减少60%，反应温度设为最低，在这样的情况下，氯氢化反应的转化率为

产能小于100吨/年的工厂中这是不合算的。大规模工厂的提高要求详细的化学工程分析，增加采用工艺模型和优化工具。这些系统的反应器设计和扩大规模需要多学科建模方法，这涵盖化学动力学、粒子成核及生长
、流体动力学模型和反应器模型等领域。因此，本文重点是提供多晶硅生产中目前所用的技术和最新进展，以及一些正在出现的新概念和发展中的新技术。想法是从化学工程的角度观察问题，确定这一领域进一步发展的挑战和机遇。希望

550℃，由于反应器中同时发生吸热反应和放热反应，放热反应释放的热量被吸热反应吸收，其反应热利用率较高，因此冷氢化工艺综合电耗较低，同时，其一次三氯氢硅合成效率比热氢化工艺高，达到25%。B.还原炉大型

的多晶硅组件碳排放量和行业领先的年度能源投资回收期，部分是由于REC的流化床反应器工艺，和其他工艺相比，其生产硅可节省能源达90%。

碳排放量和行业领先的年度能源投资回收期，部分是由于REC的流化床反应器工艺，和其他工艺相比，其生产硅可节省能源达90%。

一个复杂的问题。等离子体本身是由电子、离子等带电电荷组成的准中性气体,因此,它的状态容易受到外界条件的影响而发生变化。衬底表面的带电状态、反应器壁的薄膜附着、电源的波动、气体的流速等都会改变等离子体的

，等离子产生的高硅烷（HOS簇）会进入膜中，引起光劣化。因此，日本产综研将等离子CVD反应器内用网状金属隔开，使等离子区远离基板。这样扩散速度较慢的簇状高硅烷就会被排出去，不会到达基板。另外，此次方法的

CVD进行成膜时，等离子产生的高硅烷(HOS簇)会进入膜中，引起光劣化。因此，日本产综研将等离子CVD反应器内用网状金属隔开，使等离子区远离基板。这样扩散速度较慢的簇状高硅烷就会被排出去，不会到达基板

，气体的解离程度很低，通常在10-5～10-1之间，在一般的等离子体或活性离子反应器中气体的解离程度约为10-5～10-4，若解离程度到达10-3～10-1则属于高密度等离子体。等离子体形成的原理