单晶铸锭

使硅棒中氧的含量有一定幅度提升，从而增加了硼-氧对的数量，硼氧对在经过光照处理时会形成少子寿命低的BO5，影响电池片的输出功率，最终增加了单晶硅电池的LID光衰值。多晶采用铸锭的方式生长，主要工艺步骤
多晶铸锭工艺生产单晶。B.采用磁控拉晶工艺或着区熔单晶工艺，减少氧含量的引入，提高单晶硅棒的品质。C.由掺硼改为掺镓，避免硼氧复合的出现。　　4、结论本文简单描述了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了

寿命低的BO5，影响电池片的输出功率，最终增加了单晶硅电池的LID光衰值。 　　多晶采用铸锭的方式生长，主要工艺步骤为加热，融化，长晶，退火，冷却步骤。多晶铸锭时坩埚底部热量通过冷却装置把热量带走

单晶是单一的结构，所以晶体结构更为完美，多晶结构是无数个单晶的结合体。从晶体品质来说，业内做技术的人员非常清楚，无论是位错密度还是杂质含量，单晶都好于多晶的水平。直拉单晶硅的晶体品质优于铸锭多晶，决定

水平。直拉单晶硅的晶体品质优于铸锭多晶，决定了单晶电池转换效率优势。 而在电站质量方面，超过30年发电实践，单晶是唯一经受长期验证的技术路线。实质的发电收益对于抱着长期持有为目的或以未来交易为目的

硅电站长期衰减比多晶硅低至少3%以上，单晶硅电站投资回报率(IRR)比多晶电站至少高2.78%。综上所述，单多晶材料性能对比，单晶VS多晶，行业公认单晶有绝对优势。二、铸锭与拉晶成本对比单晶拉棒与

有绝对优势。 二、铸锭与拉晶成本对比 单晶拉棒与多晶铸锭成本均主要由设备折旧费、人工费、水电费、辅料费、原料损耗等构成，单炉产出是单晶拉棒与多晶铸锭成本差异的主要原因。目前，多晶铸锭主流炉型G6的

光谱响应波段更宽(拓展至红外波段)，具有更高的光学利用率。晶科研发的黑硅电池量产效率已经达到20.13%。II代多晶技术, 效率堪比单晶，但CTM/LID等较单晶更低; 可采用传统多晶原料及铸锭工艺制备

合格率逐渐提高，市场可供应的残次品晶圆越来越少。当人们希望普及硅基太阳能电池的时候，还没有出现专门的太阳能单晶硅生产设备，半导体晶圆生产太阳能电池的成本令人望而生畏，人们转而使用浇铸、铸锭、定向凝固的
单晶硅棒，如下图所示：多晶晶体的生长工艺本身决定了它无法生长出大面积单一晶向的晶体（单晶），多晶的本质就是大量的小单晶的集合体，如下图所示：多晶铸锭的小单晶颗粒之间的晶界会降低电池的发电能力，多晶铸锭

提高，市场可供应的残次品晶圆越来越少。当人们希望普及硅基太阳能电池的时候，还没有出现专门的太阳能单晶硅生产设备，半导体晶圆生产太阳能电池的成本令人望而生畏，人们转而使用浇铸、铸锭、定向凝固的方法生产
硅棒，如下图所示：多晶晶体的生长工艺本身决定了它无法生长出大面积单一晶向的晶体（单晶），多晶的本质就是大量的小单晶的集合体，如下图所示：多晶铸锭的小单晶颗粒之间的晶界会降低电池的发电能力，多晶铸锭本身简单