单晶生长
，全世界都在应用。
他的学术贡献
提出了掺氮控制极大规模集成电路用直拉硅单晶微缺陷的思路，系统解决了氮关缺陷的基础科学问题，促进了其在国际上的广泛应用。
提出了微量掺锗控制晶格畸变的思路，发明了微量
掺锗硅晶体生长系列技术，系统解决了相关硅晶体的基础科学问题，实现了实际应用。
研究了纳米硅等的制备、结构和性能，成功制备出纳米硅管等新型纳米半导体材料，为其器件研究和应用提供了材料基础。发表SCI
、省部级科技一等奖4项。获全国五一劳动奖章，中国青年科技奖，全国优秀科技工作者，浙江省十大时代先锋等荣誉。
研究领域：长期从事超大规模集成电路用硅单晶材料、太阳能光伏硅材料、硅基光电子材料及器件
、纳米硅及纳米半导体材料等研究工作。
学术贡献：主要从事半导体硅材料研究，取得了系列创新成果。提出了掺氮控制极大规模集成电路用直拉硅单晶微缺陷的思路，系统解决了氮关缺陷的基础科学问题，促进了其在国际上的
、金融债券减杠杆、直接融资的大金融背景下，却迎来了提升比例的逆生长，穿越周期，实现自身价值的跨越式生长。
与本次中国上市公司系列榜单发榜同期，隆基股份从两市3300多家上市公司中脱颖而出，上榜A股范围内
低于1亿元，三年复合增长率大于20%， 净资产收益率(加权)大于10%。代表了两市最具持续盈利能力和增长能力的企业。
以光伏为代表的新能源产业近年来取得飞速发展。隆基股份作为全球最具影响力的单晶
，随着行业市场对光伏高效产品的追逐，基于高品质单晶硅材料的高效电池发展路径日渐清晰，单晶产品市场占有率大幅度提升已是必然趋势。环欧国际的母公司中环股份依托晶体生长技术优势，一方面通过扩产满足客户对
2017年11月16日，中环股份环欧国际扬州基地揭幕，扬州市宝应县委书记、县长王逍霄、中环股份总经理秦玉茂、行业同仁及媒体代表共同出席并见证了这一专注高效单晶组件研发和制造的产业基地成功落成，为
太阳能光伏产业多晶硅片大多来源于定向凝固多晶铸锭方法。定向凝固多晶硅锭中心区硅棒底部常出现阴影区域，对多晶硅锭的品质及铸锭得料率有一定的影响。经实验研究分析，中心硅锭底部出现阴影的原因是在晶体生长
初期，打开隔热笼，边角长晶速度相对比中心长晶速度快，固液界面呈凹状，熔体中杂质在硅锭中心底部沉积，造成硅锭红外探伤图上出现阴影。通过多晶铸锭炉热场结构的改进及工艺的优化，使得晶体生长初期边角长晶速度变慢
容量有望保持高位。3. 光伏设备行业作为上游行业，单晶替代多晶趋势明确。重点荐股：晶盛机电(300316,股吧)：国内晶体硅生长设备龙头，受益光伏行业复苏、半导体行业爆发。
。面向全球市场的国内光伏制造商，将受益于全球光伏规模增长。分环节看，多晶硅料优质产能扩张，进口替代加速;硅片不受双反约束，且单晶渗透力度加大，出货延续高景气;电池挤出台厂落后产能，非双反地区产能仍存
块“硫化镉”太阳能电池。
1941年奥杜在硅上发现光伏效应。
1954年5月美国贝尔实验室恰宾、富勒和皮尔松开发出效率为6%的单晶硅太阳能电池，这是世界上第一个有实用价值的太阳能电池，同年威克首次
工业硅提纯、高纯多晶硅生产、单晶硅棒和多晶硅锭生产三个环节的能耗高，但是光伏电池在20年的使用寿命期内能够不断产生能量。据测算在我国平均日照条件下，光伏发电系统全寿命期内能量回报超过其能源消耗的15 倍
晶晶体生长炉，整体技术已处于国际领先水平。 据了解，今后国内拉晶晶体生产企业，采用全自动连续拉晶晶体生长炉，不但有着原材料易取优势，更在生产能耗方面有着独特优势，按照目前全国太阳能单晶硅的产量为20
本身具有长波响应好的特点，结合双玻组件双面受光条件，可在早晨和傍晚实现发电量的增益，下图为三组光伏阵列单日的发电量跟踪曲线，将nPERT双玻组件在两种不同反射条件下与常规P型单晶进行比较，可见在早晚
证明对P型硅(c-Si)的场钝化效果好过热生长的SiO的钝化效果。图8 不同钝化层在N+掺杂面的Implied-Voc和少子寿命5、存在问题及展望nPERT双面电池由于其优异的性能、高可靠性和高发
索比光伏网讯: 投资要点光伏回暖+单晶替代多晶趋势明显，龙头单晶设备商显著受益2016 年底中国光伏累计装机容量77.42GWh，到2020 年规划达到150GWh，接近翻倍；但根据最新的装机数据
得以实现，光伏设备行业的市场空间会进一步打开。国内硅片巨头相继公布单晶扩产计划，单晶硅的渗透率有望从目前的26%提升至50%以上。按照2016 年晶体硅产能77GWh,单晶硅为20GWh,单晶硅目前渗透
