多晶硅铸锭红外探伤阴影问题浅析

太阳能光伏产业多晶硅片大多来源于定向凝固多晶铸锭方法。定向凝固多晶硅锭中心区硅棒底部常出现阴影区域，对多晶硅锭的品质及铸锭得料率有一定的影响。经实验研究分析，中心硅锭底部出现阴影的原因是在晶体生长初期，打开隔热笼，边角长晶速度相对比中心长晶速度快，固液界面呈“凹”状，熔体中杂质在硅锭中心底部沉积，造成硅锭红外探伤图上出现阴影。通过多晶铸锭炉热场结构的改进及工艺的优化，使得晶体生长初期边角长晶速度变慢，固液界面的“凹”度变小，甚至使固液界面变平或微“凸”，底部杂质向硅锭四周扩散，可消除多晶硅锭中心区硅棒阴影。

目前，主流单晶电池企业通过提升单晶硅片发电效率，减小相对多晶的成本劣势，使多晶硅片的主导地位受到极大的挑战，为保持多晶硅材料在晶硅太阳能行业中的优势地位，多晶硅铸锭技术和多晶硅锭品质必须不断的提高，并且降低制造成本。

影响多晶硅锭质量提升的因素有很多，比如硬质点[3]、微晶[4]、低少子寿命[5]以及硅锭阴影等。多晶硅锭阴影大多出现在硅锭中心区硅棒底部，对多晶铸锭的得料率有较大影响。多晶硅锭中心区硅棒底部产生阴影有两种可能，一种可能是长晶过程中固液界面产生了较大的过冷度，产生晶粒尺寸小于1mm2的细晶区域即微晶[6];另一种可能是晶体生长初期阶段[7]，晶体从硅熔体四周底部开始生长，边角长晶速度相较中心长晶速度快，固液界面[8]的形状呈“凹”状造成熔体中杂质无法及时排出，聚集在硅锭中心部位，造成硅锭中下部阴影。红外探伤仪能够穿透200mm深度的硅块，纯硅料对这个波段的红外光线吸收率很低，但是如果硅材料中存在杂质、微裂纹、空洞、微晶区等缺陷，这些缺陷对红外光线有吸收、反射、散射作用，导致红外射线的损失，利用红外探测器检测透过硅材料的红外光线，分析红外光损失，可以实现对硅材料体内的杂质、裂纹、空洞、微晶区等缺陷进行分析及精确定位，以便对其进行切除，有效减少线锯断线的风险。

本文针对因多晶硅生长初期固液界面“凹”造成的硅棒底部阴影，对多晶铸锭炉热场结构及铸锭工艺进行了优化，通过改动铸锭炉热场中侧面加热器的位置，调整多晶硅长晶初期固液界面，使熔体中杂质由中心区域向四周扩散，消除了硅棒底部阴影。

1、实验过程

1.1主要设备与仪器

实验使用的多晶铸锭炉为中国电子科技集团公司第四十八研究所研发生产的R13680-1/UM型多晶硅铸锭炉，其加热器为顶侧五面加热结构。实验硅锭经过开方后，实验硅棒用红外探伤仪检测阴影。实验主要设备与仪器见表1。

1.2实验过程

实验使用R13680-1/UM多晶硅铸锭炉，投料量控制在620kg，铸锭工艺相同。设定侧面加热器与顶部加热器的距离为a，三次实验铸锭炉侧加热器的位置分别为a、a+40mm、a+80mm，三次实验各制备了1个硅锭。开方检测后，截去头尾少子红区，实验硅棒进行红外探伤检测，根据硅棒阴影区长度及阴影硅棒在实验锭中的分布，分析侧面加热器位置对多晶硅中心区硅棒底部阴影的影响。

2、实验结果与分析

2.1不同侧面加热器位置硅棒中心区硅棒的底部阴影

2.1.1侧面加热器位置a

第1次实验，侧面加热器与顶部加热器相对距离为原始距离a，制备得实验锭1。实验锭1开方后得到25根小硅棒，根据头尾少子红区进行截断，然后进行红外探伤。图1为实验锭1中阴影硅棒的分布情况，图2为实验锭1中心区硅棒C13的红外探伤图。

实验锭1中心区域硅棒C13尾部阴影高度在90mm左右，截去头尾少子红区，阴影高度约45mm，阴影主要分布在硅锭的中心C区，颜色较深。