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热烈祝贺光伏专委会副主任杨德仁当选中国科学院院士

发表于:2017-11-28 16:28:06     来源:索比光伏网

11月28日,中国科学院公布了2017年新增院士名单。中国可再生能源学会光伏专委会副主任杨德仁当选中国科学院院士。


杨德仁,男,汉族,1964年4月出生,江苏扬州人,1983年11月加入中国共产党,1991年6月参加工作,浙江大学半导体材料专业毕业,研究生学历,博士。现为中国可再生能源学会光伏专委会副主任,浙江大学材料科学与工程学院教授,浙江大学硅材料国家重点实验室主任,博士生导师。2017年当选为中国科学院院士。

1981年9月至1991年6月为浙江大学材料科学与工程学院(系)本科、硕士和博士研究生。1993年浙江大学材料科学与工程博士后流动站出站,晋升副教授,其间在日本东北大学金属材料研究所访问研究。1995年初赴德国FREIBERG工业大学工作,1997年5月被浙江大学特批晋升教授,1998年初回国在浙江大学工作。

2000年受聘教育部长江学者奖励计划特聘教授,2002年获国家杰出青年科学基金,2011年获评浙江省特级专家,2007年和2013年担任两期“硅基光电子发光材料与器件”领域的973项目首席科学家,2017年获国家自然科学基金委创新研究群体项目。2008年至今兼任国家重大科技专项(02)专家组成员。

1998年起,先后任硅材料国家重点实验室副主任、主任;2003年起,先后兼任半导体材料研究所副所长、所长。

作为第一完成人,曾获国家自然科学奖二等奖2项、省部级科技一等奖4项。获全国五一劳动奖章,中国青年科技奖,全国优秀科技工作者,浙江省“十大时代先锋”等荣誉。

研究领域:长期从事超大规模集成电路用硅单晶材料、太阳能光伏硅材料、硅基光电子材料及器件、纳米硅及纳米半导体材料等研究工作。

学术贡献:主要从事半导体硅材料研究,取得了系列创新成果。提出了掺氮控制极大规模集成电路用直拉硅单晶微缺陷的思路,系统解决了氮关缺陷的基础科学问题,促进了其在国际上的广泛应用;提出了微量掺锗控制晶格畸变的思路,发明了微量掺锗硅晶体生长系列技术,系统解决了相关硅晶体的基础科学问题,实现了实际应用;研究了纳米硅等的制备、结构和性能,成功制备出纳米硅管等新型纳米半导体材料,为其器件研究和应用提供了材料基础。发表SCI论文680余篇,参编英文著作5部,授权国家发明专利130余项。

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