单晶拉晶

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钱晶:拓宽低融资渠道 加快推进光伏平价上网来源:世纪新能源网 发布时间:2016-11-06 23:59:59

2016年中国领跑者项目中累计中标频率和规模也排名第一。对于如何促进光伏度电成本进一步下滑,钱晶表达了她的一番独到见解。 就产品技术而言,未来10年晶硅电池仍将占据产业主流地位。随着多次工艺的成熟
、出片率的提升以及金刚线切割等技术的导入,其制造成本有望进一步下滑。与此同时,伴随黑硅电池、单晶PERC、双面组件、半片电池、N型电池薄片化与叠瓦组件等各类新兴技术的日臻完善,以及不断扩大的规模经济

晶科能源:拓宽低融资渠道 加快推进光伏平价上网来源:索比光伏网 发布时间:2016-11-04 11:29:30

年中国领跑者项目中累计中标频率和规模也排名第一。 对于如何促进光伏度电成本进一步下滑,钱晶表达了她的一番独到见解。 就产品技术而言,未来10年晶硅电池仍将占据产业主流地位。随着多次工艺的成熟、出
片率的提升以及金刚线切割等技术的导入,其制造成本有望进一步下滑。与此同时,伴随黑硅电池、单晶PERC、双面组件、半片电池、N型电池薄片化与叠瓦组件等各类新兴技术的日臻完善,以及不断扩大的规模经济、更具

共推全球能源转型 晶科能源参加国际能源变革论坛来源:索比光伏网 发布时间:2016-11-04 10:22:40

晶、出片率、金刚线切割的成本都是可以下降,晶硅的竞争优势是会进一步保持。黑硅电池,单晶PERC,双面组件,半片电池,N型电池薄片化技术趋势,叠瓦组件的成熟,以及不断扩大的规模经济、更具竞争力的供应链
度电多少钱。原来讲垂直一体化程度,现在讲产业链整合程度,甚至生态链整合程度,这个生态链的环节太大了。 第一,就产品技术而言,我认为晶硅电池在现在还是未来10年里,都还应该是主流地位。而且,随着多次拉

晶科能源出席国际能源变革论坛 共话可再生能源成本下降前景来源:索比光伏网 发布时间:2016-11-04 10:10:09

内的年度盛会,并就可再生能源成本下降的前景和途径和与会嘉宾展开了一番深入的探讨。钱晶表示:从技术路线上而言,无论是现在还是未来10年,晶硅太阳能电池都会处于主流地位。随着多次技术的应用、出片率的
提升以及金刚线切割成本的下降,晶硅电池的竞争优势将进一步凸显。与此同时,随着黑硅电池、单晶PERC、双面组件、半片电池、N型电池薄片化、叠瓦组件等诸多前沿技术的日趋成熟,加之不断扩大的规模经济以及更具

光伏企业如何平抑降价负面影响?来源:一财网 发布时间:2016-11-02 08:57:48

美元/公斤,同时继续增强电池、、切片等创新研发,从而使得整个光伏产业链能通过创新实现成本控制。当多晶硅、组件和电池等终端产品的产能急速放大、产品终端售价又无法被拉起,良好的产品成本控制优势也就凸显
了。隆基股份董事总裁李振国也表示,单晶的非硅成本在2010年时约30美元/公斤,但今天它已是7.5美元/公斤,大概用了六年的时间(下降了70%以上),这是十分巨大的技术进步。这种成本的大幅度降低

【焦点】光伏企业如何平抑降价负面影响?来源: 发布时间:2016-11-02 00:58:59

,部分大型光伏公司可能每天都累积着数十万甚至上百万元的库存。就在10月30日,协鑫集团董事长朱共山也对第一财经记者表示,计划用5年时间把多晶硅的成本降至8美元/公斤,同时继续增强电池、、切片等创新
研发,从而使得整个光伏产业链能通过创新实现成本控制。当多晶硅、组件和电池等终端产品的产能急速放大、产品终端售价又无法被拉起,良好的产品成本控制优势也就凸显了。隆基股份董事总裁李振国也表示,单晶的非硅

深度探析光伏企业如何平抑降价负面影响来源:一财网 发布时间:2016-11-01 23:59:59

,部分大型光伏公司可能每天都累积着数十万甚至上百万元的库存。就在10月30日,协鑫集团董事长朱共山也对第一财经记者表示,计划用5年时间把多晶硅的成本降至8美元/公斤,同时继续增强电池、、切片等创新
研发,从而使得整个光伏产业链能通过创新实现成本控制。当多晶硅、组件和电池等终端产品的产能急速放大、产品终端售价又无法被拉起,良好的产品成本控制优势也就凸显了。隆基股份董事总裁李振国也表示,单晶的非硅

【科普神文】您想了解的大部分光伏热点,答案都在这里来源: 发布时间:2016-10-27 09:24:59

成本下降空间仍然很大,继续提升性价比。单晶会考虑连续技术,但是成本比较高,也是未来的一个方向。对于今天所讲的内容,我做了一些总结分享给大家:1、十年来,多晶硅和硅片等光伏材料的大幅度降本,为
硅烷流化床法。这种方法目前还存在很多问题,但是这几年所有的问题都在逐步解决。硅片方面,进一步降本的空间在金刚线切多晶配合黑硅技术。2015年,主要的几家单晶企业投入了相应的技术改造,全面推广金刚线切单晶

单晶硅与多晶硅电池衰减特性研究来源:顺风光电 发布时间:2016-10-13 23:59:59

B-O复合体存在抑制作用。这也是导致多晶硅电池衰减低于单晶硅电池的原因之一如图2所示。另外,影响LID的因素还有分凝系数,O在硅中的分凝系数为1.25,对于CZ-Si来说,过程中头部先凝固,因此

【干货】单晶硅与多晶硅电池衰减特性研究来源:顺风光电 发布时间:2016-10-13 15:52:02

是陶瓷坩埚,其主要化学成分SiO2(99%)、Al2O3(0.5%)、GaO(0.5%)和Si3N4涂层;而CZ-Si过程中采用石英玻璃坩埚,其主要化学成分是单一高纯度的SiO2(100%),并且
LID的主要因素之一,LID值跟B浓度成正比,与O浓度平方成正比;所以说,多晶硅O含量偏低是导致多晶硅电池衰减偏低的主要原因(如图1所示)。 其次是碳含量,碳的分凝系数以及和铸锭过程中的热场分布的