半导体

蓝绿激光器在众多领域应用广泛，但传统 III-V 半导体激光器存在制造复杂、成本高、带隙调节困难等问题。混合卤化物钙钛矿具有可调带隙和低成本溶液加工的优势，但卤素迁移导致的谱稳定性差限制了其应用

第一作者：高鹏(北京大学)通讯作者(单位)：赵清(北京大学)、孙宝全(苏州大学)、赵怡程(电子科技大学)文章介绍金属卤化物钙钛矿作为一种新兴的颇具前景的新型半导体材料，其独特的晶体结构、高的光吸收
系数、高的缺陷容忍度、出色的载流子特性和优异的光电性质，使其在光伏电池、发光二极管、光电探测器等半导体器件领域展现出优异的性能而备受关注。尽管钙钛矿具有带隙可调性，但其光吸收依然受限于1000 nm

偏差问题，具备强大的抗干扰性，可靠性高，能更好地满足精密制造需求，适配光伏、半导体和锂电池等高端制造领域。宇电AI-86X8系列通用型多回路温控器此外，宇电2025年推出的AI-86X8系列通用型多回
高可靠性也是光伏这一高端制造业的“硬需求”。近年来，在光伏行业高标准的基础上，宇电全方位导入国内半导体行业龙头质量管控标准，建立了全面的质量认证管理体系，凭借极低返修率持续获得光伏头部企业的信赖

范德华异质结构a，二维范德华异质结构的示意图(左)，由金属性石墨烯、半导体型MoS₂和绝缘性HfO₂组成;以及相邻二维纳米片之间通过与聚乙烯吡咯烷酮(PVP)表面活性剂发生C–H插入反应实现光交联过程的
导电的石墨烯、半导体型的MoS₂以及绝缘材料HfO₂三种功能不同的二维材料，构建了垂直堆叠的异质结构。其中，HfO₂的实现是通过对HfS₂片层进行氧化处理得到的。整个构建过程包括了旋涂二维纳米片、紫外

作为光伏电站的"心脏"，其性能直接决定收益上限。特变电工新能源1500V/450kW大功率组串式光伏并网逆变器深度融合第三代半导体(SiC)器件、磁集成、热集成等先进技术，成为光伏大基地大方阵的"全能
。效率与成本双优解第三代半导体(SiC)器件等技术的应用，可有效提高产品效率，降低系统损耗，直接转化为客户收益的增加;855-1400Vdc超宽满载电压范围进一步提升发电收益，1000Vac交流输出降低