化合物半导体

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日本太阳能电力产业现状及发展规划来源:中国商务部 发布时间:2013-01-21 15:19:37

九州分行制订了九州太阳电池产业生产规划。如果昭和壳牌石油等各公司大幅增产规划进展顺利,2012年年产能预计将扩大10倍,占世界总产量1成。如果再进一步嫁接到地产等相关产业,太阳能电力产业有望继半导体
、汽车产业之后,成为九州地区核心产业之一。 (一)九州地区发展太阳能电力产业优势明显。 九州地区日照时间较长独栋建筑较多,具备普及太阳能的自然条件。生产领域与太阳电池技术相通的半导体产业较多

光伏技术发展战略目标和技术路线图来源: 发布时间:2013-01-16 11:08:08

半导体材料的不同,分为:硅基薄膜太阳电池、化合物薄膜太阳电池(含Ⅱ-Ⅵ族:碲化镉-CdTe,以及扩展Ⅱ-Ⅵ族:铜铟镓硒-CIGS,铜锌锡琉-CZTS等)、有机和染料敏化太阳电池。薄膜太阳电池原材料成本低
伏特作为电压的单位使用。光生伏特效应就是光电效应,是德国物理学家赫兹于1887年发现的。光电效应就是太阳能电池工作的基本机理:太阳光照在半导体P-N结上,形成新的空穴-电子对,在P-N结电场的作用下

石墨烯“进军”太阳能电池来源: 发布时间:2012-12-27 10:20:27

使用的一种透明电极。格瑞特克说:目前,ITO是透明电极材料的首选,如在触摸屏幕智能手机上使用。但是该化合物中铟的价格高昂,而石墨烯则由无处不在、价格低廉的碳所组成。格瑞特克表示,石墨烯可能是替代ITO
的新材料。除了成本较低外,它还有诸如柔韧性佳、重量轻、机械强度与化学稳定性高等优点。由于石墨的稳定性和惰性结构,要直接在纯净石墨烯的表面构建半导体纳米结构而又不影响其电性能和结构,具有较高的挑战性

惊!日本研发太阳能电池换率可望至85%来源:世纪新能源网 发布时间:2012-12-26 23:59:59

Dot;由化合物半导体所制成、尺寸为数奈米 )来提高转换率的研究,惟和量子点太阳能电池相比,采用石桥晃教授等人所研发的新技术的太阳能电池更易于进行生产。日经新闻曾于2011年4月25日报导指出
,惟石桥晃教授等人藉由采用多款不同种类的半导体材料,可将太阳光大半转换成电力,就理论上来看,可将太阳能电池的转换率提高至85%的水准。报导指出,石桥晃教授等人目前已完成原理的确认阶段,并计划于早期内进行

惊闻:日本太阳能电池转换率可望达85%来源: 发布时间:2012-12-25 11:39:31

指出,石桥晃教授等人所研发的新技术主要是顺着光前进的方向,依序排列多种半导体薄膜,以藉此依序吸收紫外光、可视光和红外光。据报导,目前虽有藉由依序堆叠不同尺寸的「量子点(QuantumDot;由化合物半导体

日本太阳能电池新技术转换率可望大增至85%来源: 发布时间:2012-12-25 11:21:59

教授等人所研发的新技术主要是顺着光前进的方向,依序排列多种半导体薄膜,以借此依序吸收紫外光、可视光和红外光。据报导,目前虽有藉由依序堆叠不同尺寸的「量子点(Quantum Dot;由化合物半导体所制成

中国光伏业的勃兴与困境:离不开的一个人和企业!来源: 发布时间:2012-12-25 08:51:46

,光伏电池应运而生。在从光到电的具体实现上,目前已经产业化的半导体太阳能电池材料分为三大类:一是晶硅材料;二是多元化合物薄膜材料;三是聚合物多层修饰材料。以上三大类材料各有优劣,目前产业化规模最大的是
靠价格战。短短几年,中国光伏产业规模做到世界第一,并不掌控核心原材料生产技术,95%以上的产品靠海外市场消化,高科技产业做成了血汗工厂。光伏电池利用的是半导体材料构成的P-N结对光照的敏感性和P-N结

中国光伏业勃兴与困境:离不开的一个人和企业来源: 发布时间:2012-12-25 08:48:59

,当代科技解决了把电子的单向流动从水滴变成涓流再变成巨川的理论和工业化,光伏电池应运而生。在从光到电的具体实现上,目前已经产业化的半导体太阳能电池材料分为三大类:一是晶硅材料;二是多元化合物薄膜材料;三是
工厂。光伏电池利用的是半导体材料构成的P-N结对光照的敏感性和P-N结的光电转换性,是半导体材料从弱电应用向强电应用的跨越性发展。简而言之,半导体P-N结在受到光照时电子会从结的一边单向地跑到另一边

【电力术语】高效光伏发电来源:日经BP社 发布时间:2012-12-20 23:59:59

索比光伏网讯:太阳能光伏发电是一种把太阳光转换为电能并以电力形式输出的发电方式。其基本原理是,利用PN结半导体受到光照就会产生电压的物理现象来输出电流。日本的《JIS C 8960光伏发电术语》对其
转换成电能,或者重叠多种材料,将太阳光中含有的多种波长的光有效地转换成了电能。2012年5月夏普发布的转换效率达到全球最高的43.5%的太阳能电池单元就重叠了三种化合物。 此外,目前业界正在

用超声喷雾热解淀积系统合成CdTe薄膜及特性分析来源:SEMI 发布时间:2012-12-16 23:59:59

University, India 碲化镉(CdTe)是具有闪锌矿(立方)晶体结构的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物。以体结晶形式时,它是具有直接带隙=1.45eV的理想半导体,对太阳能的转换非常有用。这在原理