化合物半导体

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中国光伏企业乱世求生之路来源: 发布时间:2012-08-16 14:20:59

材料。但是,无论是1000小时还是3400小时,以及目前此类电池所能达到的10%的光电转换效率,都没有显示出大规模应用的迹象。  (3)化合物太阳能电池化合物半导体材料,由于其组成元素和组合的多样性

【独家】光伏乱世求生篇之一——中国光伏企业财务风险分析来源: 发布时间:2012-08-16 11:58:54

效率,都没有显示出大规模应用的迹象。(3)化合物太阳能电池化合物半导体材料,由于其组成元素和组合的多样性,具有极多的种类和各种特性,这个特点有利于开发不同特性、各具特色的太阳能电池。具有代表性 的化合物

光伏企业动态每日速览(第三十八期)来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-08-13 08:35:59

技术的信心,也代表了我们的制造能力。我们拥有很多的大规模制造经验,自动化生产线和认证过程。  四、安科宣布完成商业及管理整治安科公司是一家基于化合物半导体元件和子系统的光纤和光伏发电市场的领先供应商

光伏每周技术资讯汇总来源: 发布时间:2012-08-03 13:33:07

。 于是,智能太阳能国际在新系统的单元上重叠使用了多种半导体,可分别有效转换长、中、短波长的光线。之前也有层压式化合物太阳能电池的解决方案用锗制成基板,使用砷化铟镓及磷化铟镓等。转换效率非常高,耐辐射性
能也很出色。不过,锗存在价格昂贵、产生热量多的弱点;而且,层压技术还处于开发状态,没有实现量产化。富田开发出了使化合物半导体实现多层化的自主技术。可自由组合使用硅类及有机类等多种单元,从而实现多层化

松下开发出可与植物同等效率吸收二氧化碳生成有机物的光合作用系统来源: 发布时间:2012-08-02 23:59:59

空气中的二氧化碳生成氧和碳水化合物的植物,使用阳光人工吸收二氧化碳,生成氧、甲酸、碳化氢和乙醇等。甲酸除了用于防腐剂及抗菌剂之外,目前还在探讨用于提取氢进行发电的燃料电池。 此次松下开发
的人工光合作用系统能够以与植物同等水平的效率吸收二氧化碳,生成有机物,生成的有机物量随着阳光照射量的增加而增加。该系统在照射阳光的光电极处使用LED照明等所使用的、具有高度光电子转换效率的氮化物半导体

日发售太阳能版热电联产系统,转换率超40%来源:日经能源 发布时间:2012-07-31 23:59:59

15%左右。 于是,智能太阳能国际在新系统的单元上重叠使用了多种半导体,可分别有效转换长、中、短波长的光线。 之前也有层压式化合物太阳能电池的解决方案用锗制成基板,使用砷化铟镓及磷化铟镓等。转换效率
非常高,耐辐射性能也很出色。不过,锗存在价格昂贵、产生热量多的弱点;而且,层压技术还处于开发状态,没有实现量产化。 富田开发出了使化合物半导体实现多层化的自主技术。可自由组合使用硅类及有机类等多种单元

多晶硅还原反应的影响因素来源: 发布时间:2012-07-31 13:25:42

。所以在实际生产过程中,温度并非越高越好。实际沉积过程中,半导体材料自气相向固态载体上沉积时都有最高温度Tmax,当反应温度超过这个温度时,随着温度的升高沉积速率反而下降,各种不同的硅卤化物有不同的
,反应温度高,硅的结晶性就好,而且表面具有光亮的金属光泽;温度越低,结晶变得细小,表面呈暗灰色。但反应温度也不能过高,因为:1) 硅与其他半导体材料一样,从气相往固态载体上沉积时有一个最高温度值

太阳能光伏电池的工作原理、工作效率、制造材料及大致构造来源: 发布时间:2012-07-30 15:28:18

。GaAs属于III-V族化合物半导体材料,其能隙为1.4eV,正好为高吸收率太阳光的值,因此,是很理想的电池材料。GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备主要采用 MOVPE和LPE技术,其中
半导体材料采用过渡金属Ru以及Os等的有机化合物敏化染料,大能隙半导体材料为纳米多晶TiO2并制成电极,此外NPC电池还选用适当的氧化一还原电解质。纳米晶TiO2工作原理:染料分子吸收太阳光能跃迁

太阳能电池的工作原理、工作效率、制造材料及大致构造来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-07-30 14:17:59

转换效率受到人们的普遍重视。GaAs属于III-V族化合物半导体材料,其能隙为1.4eV,正好为高吸收率太阳光的值,因此,是很理想的电池材料。GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备主要采用 MOVPE和

浅谈中国多晶硅行业现状及股票投资价值来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2012-07-16 08:46:58

其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。   近年来,在中央政府大力推广新能源政策的支持下,各地方省份也是积极跟进,培养优势产业。江西省
太阳能产业的飞速发展,全球对多晶硅的需求增长迅猛,市场供不应求。世界多晶硅的产量2005年为28750吨,其中半导体级为20250吨,太阳能级为8500吨。半导体级需求量约为19000吨,略有