化合物半导体

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新能源知识:光伏材料来源:EnergyTrend 发布时间:2013-12-24 13:44:28

问题是光电转换效率偏低,目前国际先进水准为10%左右,且不够稳定,随着时间的延长,其转换效率衰减。多元化合物太阳电池:多元化合物太阳电池指不是用单一元素半导体材料制成的太阳电池。现在各国研究的品种繁多,大多数

北极星编辑推荐(二十二):十大扩散炉企业来源:北极星太阳能光伏网(独家) 发布时间:2013-12-19 08:49:37

专用设备研发制造厂家。致力于为半导体集成IC电路分立器件、MEMS、太阳能电池、半导体照明LED及磁性材料厂家提供先进的专用设备,工艺涵盖化合物半导体晶体生长(及提纯、合成等)、外延、薄膜淀积(氮化硅

日本研究人员在InGaN中形成量子点,为利用所有波长太阳光开辟道路来源:日经BP 发布时间:2013-12-18 07:21:32

、从而提高将太阳能转换为电能的效率;另一种是扩大可利用的太阳光波长范围,不仅局限于特定范围的太阳光。就化合物半导体型太阳能电池而言,可利用的太阳光波长范围取决于使用的半导体材料的元素种类及晶体结构中特有

日本研究机构在InGaN中形成量子点 为利用所有波长太阳光开辟道路来源:日经BP社 发布时间:2013-12-17 23:59:59

提高将太阳能转换为电能的效率;另一种是扩大可利用的太阳光波长范围,不仅局限于特定范围的太阳光。就化合物半导体型太阳能电池而言,可利用的太阳光波长范围取决于使用的半导体材料的元素种类及晶体结构中特有的带隙

盘点第一批入围11家多晶硅企业来源:OFweek 发布时间:2013-12-16 10:58:24

生产基地(洛阳新区、偃师)和一个国家级重点工程实验室。主要经营高纯多晶硅、气相白炭黑、高纯四氯化硅、高纯硅化合物产品、无水氯化氢等产品,并提供硅化合物技术服务。 中硅高科是拥有自主知识产权的多晶硅生产
导向,用技术创新持续推动产业化、规模化,提高企业综合竞争力。 公司一期年产300吨多晶硅项目是国家和省市十˙五期间半导体硅材料产业的重点建设项目,于2003年6月28日开工兴建,2005年12月

话说第一批入围11家多晶硅企业(图)来源:OFweek 太阳能光伏网 发布时间:2013-12-16 09:35:06

、高纯硅化合物产品、无水氯化氢等产品,并提供硅化合物技术服务。中硅高科是拥有自主知识产权的多晶硅生产企业,工艺技术具有能量综合利用、物料闭路循环两大特点,符合大规模、低单耗、高品质、清洁生产的发展方向
十五期间半导体硅材料产业的重点建设项目,于2003年6月28日开工兴建,2005年12月建成投产。以年产300吨多晶硅项目为依托,公司于2005年12月18日开工兴建二期年产700吨多晶硅项目。该项

北极星编辑推荐(十四):十大多晶硅企业来源:北极星太阳能光伏网(独家) 发布时间:2013-12-04 10:54:15

、特变电工新疆硅业有限公司特变电工新疆硅业有限公司,是由特变电工股份有限公司联合东方 电气集团峨嵋半导体研究所于2008年2月20日在乌鲁木齐国家级高新技术开发区注册成立的,注册资金9.4亿元
、太阳能电池片、太阳能电池组件、支架等太阳能系统相关组配件的制造;太阳能光伏并/离网发电;风光互补工程设计、生产、安装和运营管理;电力工程总承包和调试运行。导入特变电工和峨嵋半导体研究所先进的产品制造

砷化镓太阳电池与Si电池、硅光电池的比较来源: 发布时间:2013-11-26 09:40:01

太阳电池的最佳材料的物性,他们指出Eg在1.2~1.6eV范围内的材料具有最高的转换效率。目前实验室GaAs电池的效率最高已经能够达到50%。GaAs太阳电池是一种Ⅲ~Ⅴ族化合物半导体太阳电池,与Si
太阳电池随着MOCVD技术的日益完善,Ⅲ~Ⅴ族三元、四元化合物半导体材料(GaInP、AlGaInP、GaInAs)的生长技术取得重大突破,为多结叠层太阳电池研制提供了多种可供选择的材料。砷化镓电池与硅

美国研究小组展示光伏电池结构的新架构来源: 发布时间:2013-11-21 14:01:44

电池技术中的化合物半导体材料可比。该研究由佩恩大学文理学院(PennsSchoolofArtsandSciences)化学系教授AndrewM.Rappe及研究专员IlyaGrinberg领导,连同
新型化合物的具体属性。每个化合物始于一个母材料,该材料向最终的材料注入光伏本体效应中的极性方面。所谓母材料,即能够削减化合物带隙的材料。随后,这两种材料均被研磨称细粉末,混合在一起,在炉中加热,直至两者

新能源知识:太阳能电池片的分类来源: 发布时间:2013-11-06 11:09:42

索比光伏网讯:太阳能电池按结晶状态可分为结晶系薄膜式和非结晶系薄膜式(以下表示为a-)两大类,而前者又分为单结晶形和多结晶形。按材料可分为矽薄膜形、化合物半导体薄膜形和有机膜形,而化合物半导体薄膜形