化合物半导体

到1kWh6美分以下。这一水平低于煤炭和燃气，与页岩气相同。产业界最初是半信半疑，直到最近，越来越多的人开始相信这个目标能够实现。第一太阳能经营的业务，是利用低成本高效率的化合物半导体碲化镉制造薄膜模块

劣化的案例。不过，长期稳定的发电对收益有很大影响，因此，估计今后这种现象会越来越受关注。CIGS光伏电池使用由铜(Cu)、铟(In)、硒(Se)、镓(Ga)、硫(S)这5种元素构成的化合物半导体
索比光伏网讯:日本产业技术综合研究所(以下简称产综研)3月18日宣布，开发出了不容易发生PID劣化现象的CIGS型化合物类光伏电池板。PID是Potential Induced

，长期稳定的发电对收益有很大影响，因此，估计今后这种现象会越来越受关注。CIGS光伏电池使用由铜（Cu）、铟（In）、硒（Se）、镓（Ga）、硫（S）这5种元素构成的化合物半导体，可通过厚度仅2m的
日本产业技术综合研究所（以下简称产综研）3月18日宣布，开发出了不容易发生PID劣化现象的CIGS型化合物类光伏电池板。PID是Potential Induced Degradation的缩写

的案例。不过，长期稳定的发电对收益有很大影响，因此，估计今后这种现象会越来越受关注。CIGS光伏电池使用由铜（Cu）、铟（In）、硒（Se）、镓（Ga）、硫（S）这5种元素构成的化合物半导体，可通过
索比光伏网讯:日本产业技术综合研究所（以下简称产综研）3月18日宣布，开发出了不容易发生PID劣化现象的CIGS型化合物类光伏电池板。PID是Potential Induced

，此项技术使得CPV拥有在太阳光垂直入射条件下系统光电转换的最大效率。CPV电池是以砷化镓GaAs为代表的耐高温III-V族化合物组建而成，所以在低温及高温环境下衰减很低，电池成本因此降低
。 　　并且，CPV技术特点存在着可复制优势。由于CPV所采用的半导体材料少，规模化能力高，单位土地面积上可以实现更高的发电功率，从而使得聚光光伏产业减少土地的占用面积。以2米高支柱支撑的CPV主体面板促使

光伏产业的主流技术。而本质上，聚光发电和聚光热发电系统只是用廉价的聚光材料替代昂贵的半导体材料，所以当半导体材料廉价到和聚光材料相近时，所有的聚光发电系统均没有生存的意义了。 一位从事平板光伏发电领域
竞争优势。HCPV技术最适合应用于大型电厂，特别是在阳光日照充足、干燥、低湿度的地区 。 目前HCPV 的核心技术-三结化合物电池和高倍聚光技术的开发和制造已经突破了国外企业的封锁，目前在国内

，而且可行性也不高。他们认为，薄膜电池才是目前光伏产业的主流技术。而本质上，聚光发电和聚光热发电系统只是用廉价的聚光材料替代昂贵的半导体材料，所以当半导体材料廉价到和聚光材料相近时，所有的聚光发电系统均
应用于大型电厂，特别是在阳光日照充足、干燥、低湿度的地区 。目前HCPV 的核心技术-三结化合物电池和高倍聚光技术的开发和制造已经突破了国外企业的封锁，目前在国内实现大规模量产的企业有国内上市企业

，太阳能电池的能效就减少一次。该团队的设计尽量减少层级。也就减少了损耗。他们用铌酸钾和铌酸钡镍合成钙钛矿型晶体。这种晶体比目前使用的太阳能薄膜电池化合物半导体吸收光线高6倍，转移密度高50倍。而且

（Se）、镓（Ga）、硫（S）五种元素组成的化合物半导体。这种电池也叫作CIGS型，基本都属于同一类别。与高效率的晶体硅型太阳能电池板相比，这种电池的转换效率虽然低几个百分点，但高温时的发电损耗低
不相上下。掛川厂长表示：化合物半导体的分子构造不会被光破坏，单元永远具备发电性能。其他有可能导致劣化的因素还有隔离板、密封材料（EVA）等有机构件，这是晶体硅型也同样存在的课题。但晶体硅型太阳能电池的

通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。 　　多晶硅*分类
。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在