功率半导体
将分享单级60KW零无功单向AC-DC电源模块及单级双边1500V40KW单向DC-DC电源模块，其效率突破96%、体积缩小30%的技术突破，将为大功率充电与储能场景提供新选择;德芯半导体MEMS研发
、锦浪科技、永联科技、德珑磁电、德芯半导体、东睦科达等全球顶尖企业和研究机构的权威专家，围绕SiC/磁材等议题展开深度交流，共绘产业技术升级与商业化发展蓝图。一、头部企业破局之道：TI、瑞萨的系统性
系列等，满足了不同用户的多样化需求。此外，大功率三相光伏逆变器ASW
250-330kW HT系列，集聚爱士惟16年来积淀的技术实力，为地面电站而生。█ 隆基6月11日，在第18届(2025)国际
太阳能光伏展(SNEC)上，隆基正式发布其全新研发的HIBC技术及量产组件产品。HIBC开创行业先河，首次依托2382mmX1134mm黄金尺寸实现功率700W+，量产组件效率更是逼近26%，全面引领
光伏手机背板吸引众多目光，这是行业首次将钙钛光伏电池应用在移动终端领域，能够实现最高2W的充电功率，在绿色低碳的同时有效缓解续航压力，也为移动终端产业的迭代升级创造了新的应用场景。同时，BOE(京东方
成果的亮相。本次发布新品以“能源+媒体”双核驱动为核心理念，设计集聚商业模式创新和能量无穷无尽的概念，采用分体式柔性充电方案，最大输出功率高达250KW，配备正反面各1块55英寸屏幕及1块10.1英寸
结构之间的关系，为金属有机框架材料的设计和筛选提供指导。通过机器学习方法筛选新型四元半导体化合物
：获取四元半导体化合物的相关数据，如元素组成、晶体结构、电子性质等，利用机器学习算法(如决策树
、朴素贝叶斯等)建立模型，对化合物的性能进行预测和评估，筛选出具有潜在应用价值的新型四元半导体化合物，为新材料的研发提供理论支持和方向。穿插讲解内容(约 1 小时)A1 模型性能的评估方法 ：交叉验证
：原材料丰富，核心光活性层(钙钛矿)为直接带隙半导体可通过溶液法(如旋涂、刮刀涂布)或干法(如热蒸发)
在相对低温下制备，显著降低能耗和设备成本。柔性潜力：可在柔性基底(如塑料/薄膜)上制备，为可穿
：核心!测量Voc、Jsc、FF，计算PCE。需注意钙钛矿电池可能存在迟滞(Hysteresis)现象，即正反扫J-V差异，需采用标准测量协议(如稳定功率输出SPO)量子效率(EQE/IPCE)：测量
改进导致钙钛矿太阳能电池的功率转换效率高达26.4%，钙钛矿组件的效率为23%，碳基钙钛矿电池的效率为23.1%。在这种新方法中，抑制簇聚集路径涉及故意引入相对于常规方案过量的配体分子。这些配体与锡离子
沉积中成核动力学的基本理解。调控配体含量作为控制成核途径的杠杆，为其他氧化物半导体中类似结构的方法开辟了道路，有可能彻底改变SnO₂以外的电子传输层的制造。其影响延伸到钙钛矿光伏的更广泛背景下，其中
界面的情况。我们发现，在环境空气中退火并不会对半导体薄膜的光电性能产生不利影响;相反，经环境空气退火处理的样品会发生表面改性，通过硬
X
射线光电子能谱测量确定，这会导致能带弯曲增强。我们
观察到界面载流子动力学发生变化，从而改善了CsPbI₃钙钛矿太阳能电池中的载流子提取。光谱测量表明，由于环境空气退火，陷阱态密度降低。因此，基于空气退火CsPbI₃的n-i-p结构器件实现了19.8%的功率转换效率，开路电压为
1.23 V。
)，GuoshangZhang**(河南省科学院), Stefaan De
Wolf*(斯德哥尔摩大学)， Jing Wei*(北京理工大学魏静)研究背景根据朗伯定律，半导体中光的穿透深度随深度呈指数衰减。因此
₂，从而提升了功函数，并推动钙钛矿从 n 型向弱 n 型(n⁻
型)转变。这一变化改善了载流子的分离效率，并实现了空穴与电子传输的平衡。最终，优化后的 PSCs 实现了高达 26.13% 的冠军功率
半导体领域转型。中晶微电在射频芯片、功率器件等领域的研发积累，或将与上市公司现有产线形成技术互补。本文所述信息均来源于公开渠道，旨在为读者提供相关信息，不构成投资建议。读者在做出任何投资决策时，应充分考虑个人风险承受能力，并咨询专业机构意见。
控制钙钛矿晶体生长，从而形成薄膜形貌，一直是钙钛矿光伏发展的基础。MAPbI3钙钛矿一直是此类半导体的主力材料，其成分相对简单，效率高，吸引了工业规模生产。尽管如此，其不稳定性阻碍了其进一步开发利用
”探讨了不同类型和时间的反溶剂对MAPbI3钙钛矿结晶的影响。这种方法能够控制晶体微应变，同时降低不必要的陷阱密度。这种效应影响了器件性能，使MAPbI3太阳能电池的功率转换效率接近22%。重要的是
