光学晶体
已经存在几种制造硅有源层的技术，本文将讨论其中的三种。
薄膜PV基础
第一种技术是制作外延(epitaxial)薄膜太阳能电池，从高掺杂的晶体硅片(例如优级冶金硅或废料)开始，然后
太阳能电池，即将一层厚度只有几微米的晶体硅淀积在便宜的异质衬底上，比如陶瓷(图2)或高温玻璃等。晶粒尺寸在1-100mm之间的多晶硅薄膜是一种很好的选择。我们已经证实，利用非晶硅的铝诱导晶化可以获得高质量的
关注光伏的希望在下游
风云录：英利拥有光伏材料与技术国家重点实验室和国家能源光伏技术重点实验室两大研发平台，掌握了从高纯硅料制备、高质量晶体硅生长、超薄硅片切割、高效太阳能电池、长寿命光伏组件到
多伦多大学半导体材料科学博士学位，之后他作为博士后研究员在多伦多大学从事半导体光学设备和太阳能电池的研究，先后在国际一流杂志和国际会议上发表论文10余篇。
人物语录：丢掉幻想准备战斗看衰光伏的人会大跌眼镜
面前暴露出的问题比危机本身更值得关注光伏的希望在下游风云录：英利拥有光伏材料与技术国家重点实验室和国家能源光伏技术重点实验室两大研发平台，掌握了从高纯硅料制备、高质量晶体硅生长、超薄硅片切割、高效
进一步深造，并先后于1990年获得加拿大曼尼托巴大学固体物理学硕士学位，1995年获得多伦多大学半导体材料科学博士学位，之后他作为博士后研究员在多伦多大学从事半导体光学设备和太阳能电池的研究，先后在国际
PID的组件，中盛在去年的SNEC展会上就展过了，比很多厂家早了一年。
《光能》：什么是抗PID组件？
郑直博士：过去几年的研究表明，存在于晶体硅光伏组件中的电路与其接地金属边框之间的高电势差
。
《光能》：高效电池和组件方面我们做了哪些工作？
郑直博士：除了常规的高效电池的研发以外，现在我们同时在做降低CTM损失的工作，CTM也就是光伏电池制成组件过程中的效率损失，包括光学损失和电学损失。从这两个方面着手改进，可以提升组件最终的转换效率。
、热电、电催化、光热、非线性光学、光存储等领域有着重要应用，是近年来的研究热点。特别是铜锌锡硫（Cu2ZnSnS4，即CZTS）等材料由于组成元素储量丰富、无毒，因而在太阳电池、光探测器、热电转换等领域
过程，获得了尺寸均一、物相单一的银铋硫（AgBiS2）与铜锑硫（Cu3SbS3）纳米晶。所合成材料具有独特的介电与近红外吸收等性能。相关结果发表在英国皇家化学会的《晶体工程通讯》(CrystEngComm 15
单晶矽电池低，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对环境造成严重的污染，因此，并不是晶体矽太阳能电池最理想的替代产品。砷化镓(GaAs)III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料
具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率,抗辐照能力强,对热不敏感，适合于制造高效单结电池。但是GaAs材料的价格不菲,因而在很大程度上限制了用GaAs电池的普及。铜铟硒薄膜电池(简称CIS)适合
、光伏组件封装材料的整体需求以及这些材料与其它组件部件间的相互作用进行了综合介绍。前言光伏组件结构晶体硅(c-Si)光伏组件通常由太阳能玻璃前盖、聚合物封装层、前后表面印刷有金属电极的单晶或多晶硅电池
影响都是负面的。其中，由组件内部非活性区域引起的损失只影响组件效率而不会降低实际功率输出。能影响功率输出的因素可以分为光学和电学因素；其中电学损失主要是由电池间的串联电阻引起的。电池封装后会出现某些
及工艺制造、半导体封装、光学设计制造、自动化控制、机械设计制造、金属加工等领域。HCPV行业的产品包括了多结电池片外延材料、光电转换芯片、光接收器组件、聚光器、光伏模组、双轴跟踪器等。优势明显与硅基
，晶体硅及薄膜太阳能电池的理论转换能大约能达到28%，而多结的III-V族电池理论转换率可超过60%，可见，目前聚光电池转化效率已达到了40%左右，但其可提升的空间还是很大的。成本仍是关键现在的问题是
太阳能电池。这些太阳能电池主要用于聚光光伏设备中，聚光光伏技术（CPV）是指将汇聚后的太阳光通过高转化效率的光伏电池直接转换为电能的技术。利用光学元件将太阳光汇聚后再进行发电的聚光太阳能技术，被认为是
改进材料和优化结构之外，被称为晶圆接合的新程序在研发过程中发挥了关键作用。凭借这一技术，我们能将两个半导体晶体有序地结合起来，而不是让其胡乱地堆积在一起。利用这种方式，我们能生产出最佳的半导体结合
，包括了晶体硅电池、薄膜电池以及其他材料电池。其中硅电池又分为单晶电池、多晶电池和无定形硅薄膜电池等。
对于太阳能电池而言，最重要的参数是光电转换效率，在实验室所研发的硅基太阳能电池中，单晶硅电池
塔特，德国）和哈梅林太阳能研究所（ISFH，Emmerthal，德国）已经使用离子注入指叉背结背接触（IBC）技术，产生出了22.1％的高效晶体硅（C-Si）的太阳能光伏（PV）电池。
这是一个
