光学晶体
透镜以提高产能，通过激光源和光学透镜的组合，ILS TT DS设备可以同时用于激光刻删和激光掺杂两个工艺步骤;这对于提高晶体硅电池的效率至关重要。据介绍，ILS TT DS设备利用激光源和光学器件
产能。通过激光源和光学透镜的 组合，ILS TT DS设备可以同时用于激光刻删和激光掺杂两个工艺步骤；这对于提高晶体硅电池的效率至关重要。InnoLas公司近来向一家太阳能制造大厂交付了几套上述设备
InnoLas ILS TT DS: 新设备概念：激光刻槽和选择性发射极激光掺杂
InnoLas Systems的 ILS TT DS设备装备有激光器和双光学透镜以提高
被称为谷的量子自由度，体现出谷圆二色光选择性及量子输运特性。除了特异的光学性能，二硫化钼还是一个只有0.6纳米厚的超强度弹性晶体薄膜，可以承载11%的弹性应变。冯济与合作者通过基于密度泛函之GW近似，求解
的科研方向。哥伦比亚大学的James Hone教授在《自然-光学》同期的News and Views上对冯济的工作发表评述，也对弹性应变工程的潜力给予高度评价。这项工作是与MIT材料系和核工程系的李巨
University, India 碲化镉（CdTe）是具有闪锌矿（立方）晶体结构的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物。以体结晶形式时，它是具有直接带隙=1.45eV的理想半导体，对太阳能的转换非常有用。这在原理
上使CdTe是薄膜太阳能电池应用的最好材料。根据CdTe的物理、化学、光学及电子学性质，它被认为是优良的光吸收半导体材料。它常常是把硫化镉夹在中间形成太阳能电池的p-n结。即使效率较低（16.5%），但
用的是甲硅烷SiH4(硅烷)和三氯硅烷SiHCl3(TCS)。在加热到分解温度时，气体经历如下反应：硅烷的分解温度约为420℃。但在此温度下，单个硅原子的动能太低不能形成晶体结构。因而，低温大气压
分解将形成非晶结构。基于硅烷的CVD反应器工作温度范围常常是在650℃-800℃范围内。有些设计采用在更高温度下对珠粒后处理以确保形成晶体结构。TCS的分解温度约为468℃。但是存在一些分解温度更高、而且
索比光伏网讯: （稀土掺杂NaYF4无序结构晶体的结晶学位置对称性破缺现象示意图） 稀土掺杂无序结构晶体是一类庞大的发光和激光材料体系，因其优良的光学性能在激光、绿色照明光源、平板显示、生物探针等
。由于稀土离子的发光与所替代的基质阳离子格位有密切的关系，稀土掺杂无序结构发光材料的发光强度取决于稀土离子周围的晶体场环境，因此利用稀土离子如Eu3+作为灵敏的结构探针研究其所处格位对称性的破缺机理
AshokK.Sood博士表示，单结量子阱太阳能光伏电池在非聚光条件下的理论转化效率高达45%。5.可挠式非晶硅太阳能光伏电池日本媒体近日报导，TDK已研发出一款可挠式太阳能电池，藉由光学设计的改良，该款太阳能光伏电池在
电池以价格低廉的玻璃、塑胶、金属箔片作为基底，再镀上1/200毫米的多层薄膜材料组成可在阴天及散射光下发电，适用于高楼林立的城市环境，比传统的晶体硅太阳能光伏电池薄98%，成本降低一半，被称为下一代非常
徘徊在高端小众市场之内，并不如晶体硅电池一样在全球市场普及起来。国内外长达30多年的历程，如今，聚光发电有望走出高门深户，开始进入大众时代。 聚光发电目前被认为是最有发展潜力的第三代光伏技术。中科院院士
何祚庥在接受媒体采访时介绍道：第三代光伏发电技术，核心是引入了现代光学技术，从半导体技术转向了现代光学技术，这是光伏产业未来的发展方向。这里的核心技术是聚光。根据爱因斯坦的光电定律，发电量和光的强度
截至目前，发展成熟的光伏发电技术已有两代，第一代是晶体硅光伏板发电，有单晶硅和多晶硅的区别。其优点是光电转化率较高，缺点是售价较贵而且生产单晶硅耗能较高，易污染环境。第二代是花样品种繁多的
薄膜电池（西站屋顶运用的便是此项技术），优点是材料用量少，对光照条件要求低，售价也较低，但光电转化率仅有晶体硅的一半，占地面积也比晶体硅多。为突破这两代光伏技术的瓶颈，科技人员正在探索研究第三代
组件具有非常高的比表面积，在紫外光的激活作用下，会表现出很强的氧化性，能有效分解附着在电池组件玻璃面板上难以洗去的有机物，如鸟粪、油脂等。另外，在紫外线的长期作用下，太阳电池的晶体硅会慢慢老化
波谷，变化规律呈现出一致性。资料表明，太阳能光伏系统的发电量取决于太阳辐射强度、温度、阴影和晶体结构。如果没有人为对实验区域作出改动，在同一时刻，三个区域中上述因素基本相同，可以推断各区之间当日发电量的
