光伏蚀刻设备

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帝科推出DK92正银技术平台,率先兼容双面氧化铝镀膜工艺 引领PERC技术多元化发展来源:索比光伏网 发布时间:2017-10-18 13:40:05

技术的发展趋势。PERC技术因优异的效率优势和合理的成本必将成为太阳能光伏行业新的工艺基准。为加速光伏行业向PERC技术切换并持续降低PERC电池的量产成本,光伏设备供应商推出了各种类型的背钝化镀膜工艺

超级干货 | 单面抛光在PERC,电池中应用的研究!来源:光伏盒子 发布时间:2017-10-16 18:17:59

内反射。平整的表面使得钝化膜沉积更加均匀,对于业内常用的梅耶博格公司的Maia 系列PECVD 设备,可降低沉积时间,节省三甲基铝耗量。 目前,背面抛光技术路线有两种:1) 增加酸刻蚀清洗工序的刻蚀量
酸抛光。光伏产业已广泛使用金刚线切割的单晶硅片,该硅片表面的微观粗糙度比砂浆切割低25% 以上。以此表面作为PERC 电池背抛光面,或可获得更优的抛光效果。 本文研究一种基于金刚线切割单晶硅片的

可穿戴设备又进一步 平面石墨烯可自折叠成3D结构来源:科技日报 发布时间:2017-10-10 23:59:59

索比光伏网讯:据物理学家组织网9日报道,美国约翰*霍普金斯大学和麻省理工学院的科学家合作,利用全新方法让平面石墨烯自折叠成3D几何形状。发表在最新一期《科学进展》杂志上的这一成果,将为用石墨烯研制
可穿戴电子设备、活细胞胶囊和折叠式晶体管等带来更广阔的前景。作为一种新型纳米材料,石墨烯因具有超薄、强度大、导电导热性能强等特性,10年来经常出现在新闻报道中,在生物传感器和可穿戴电子设备领域带来系列

协鑫打造全球最大湿法黑硅生产基地来源:扬州晚报 发布时间:2017-09-17 23:59:59

索比光伏网讯:9月8日,伴随着吊装机械的轰鸣声,首批黑硅生产设备进入扬州协鑫光伏新建成的厂房,这意味着这个黑硅厂房正式启用并即将投产,也意味着黑硅这个太阳能光伏行业的黑科技,将在扬州实现量产。而这

协鑫集成一跃成为全球多晶黑硅量产最大规模企业来源:索比光伏网 发布时间:2017-06-26 09:00:57

最大规模的企业。 走进徐州鑫宇光伏科技有限公司的制绒车间,两台干法黑硅制绒设备正在高速运行,工人只要放入片盒,一切交由机器完成,一台机器每天能完成7万片电池片的制绒。通俗地讲,黑硅技术就是在
近日,协鑫集成宣布,其自主研发的多晶干法黑硅PERC电池平均量产效率已达到20.1%,实现了产业化多晶电池平均效率的突破,成为国家"光伏领跑者计划"鼓励推广的技术,协鑫集成也一跃成为全球多晶黑硅量产

协鑫集成徐州鑫宇光伏项目总规模2GW 一、二期工程2017年将全面投产来源:索比光伏网 发布时间:2017-06-26 08:58:31

径,但过于光亮的硅晶圆片会让电池片外观产生线痕问题、也会因常规酸制绒得到的高反射率而降低转换效率,所以必须再多加一道表面蚀刻的制程处理,业界普遍称之为黑硅技术。应用黑硅技术能形成亚微米级的凹坑,提升
入射光的捕捉,因此在硅晶圆端降本、电池片端提效两方面都可以同时兼顾。 2016年10月,由协鑫集成电池事业部研发团队带领的电池研发团队进驻位于沛县经济开发区的徐州鑫宇光伏电池基地,开始多晶黑硅PERC

协鑫集成多晶干法黑硅PERC电池平均量产效率达20.1% 再次实现产业化多晶电池平均效率突破来源:索比光伏网 发布时间:2017-06-25 23:59:59

索比光伏网讯:协鑫集成近日宣布,其自主研发的多晶干法黑硅PERC电池平均量产效率已达到20.1%,最高效率达到20.6%,再次实现了产业化多晶电池平均效率的突破。负责该项研发的张淳博士表示,经过研发
降低成本的新路径,但过于光亮的硅晶圆片会让电池片外观产生线痕问题、也会因常规酸制绒得到的高反射率而降低转换效率,所以必须再多加一道表面蚀刻的制程处理,业界普遍称之为黑硅技术。应用黑硅技术能形成亚微米级的

协鑫集成干法黑硅电池量产来源:徐州市人民政府 发布时间:2017-06-05 07:44:27

新路径,但过于光亮的硅晶圆片会让电池片外观产生线痕问题、也会因常规酸制绒得到的高反射率而降低转换效率,所以必须再多加一道表面蚀刻的制程处理,业界普遍称之为黑硅技术。应用黑硅技术能形成亚微米级的凹坑,提升
入射光的捕捉,因此在硅晶圆端降本、电池片端提效两方面都可以同时兼顾。 2016年10月,由协鑫集成电池事业部研发团队带领的电池研发团队进驻位于沛县经济开发区的徐州鑫宇光伏电池基地,开始多晶黑硅

太阳能多晶发展崭露曙光 关键黑硅技术拼快拼量来源:Energytrend 发布时间:2017-05-30 23:59:59

索比光伏网讯:单晶、多晶产品的势力消长一直是太阳能市场重要的观察点,而单晶自2016年起籍着效率与成本优势重回主流,多晶厂商为了寻求出路,使得金刚线切片搭配黑硅蚀刻处理的方案重新受到重视,不少厂商
年的发展来看,采用添加剂的直接蚀刻方法最具竞争力方法。对多晶厂商而言,添加剂蚀刻无需增加任何设备就可以维持效率,封装后维组件持目前270W的主流瓦数,搭配金刚线切片将带来强大的性价比优势。目前几乎所有

CSEPV2017中国(深圳)国际太阳能光伏大会暨展览会将于12月21日举办来源:全球新能源网 发布时间:2017-05-11 23:59:59

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