黑硅PERC电池
黑硅PERC 多晶太阳电池采用背抛光工艺，其背面刻蚀深度在4.00.2 m，在800～1050nm的光学波长范围内，其反射率较常规刻蚀制备的黑硅多晶太阳电池提升了10% 左右;采用氧化铝及氮化硅钝化制备的黑硅PERC 多晶太阳电池，
如果说P型和N型电池是光伏电池技术的分路口，那么两种电池结构所衍生的电池片技术算是开启光伏电池百家争鸣的发展路线。作为光伏产业的重要研究环节，电池片技术一直是提效降本理念核心之一，本期集邦咨询旗下新能源
国家能源局、工信部以及国家认监委21日联合下发《关于提高主要光伏产品技术指标并加强监管工作的通知》，对最新的光伏组件市场准入效率及领跑者技术指标作出了规定，其中，领跑者基地多晶组件和单晶组件技术指标分别
摘要：以金刚线切割的多晶硅片为基础，正面是低反射率的亚微米级绒面，结合SiOx/SiNx薄膜保证正面的钝化效果。背面采用AlOx/SiNx
协鑫集成近日宣布，其自主研发的多晶干法黑硅PERC电池平均量产效率已达到20.1%，最高效率达到20.6%，再次实现了产业化多晶电池平均效率的突破。负责该项研发的张淳博士表示，经过研发攻关，目前协鑫集成已有效解决了
协鑫集成近日宣布，其自主研发的多晶干法黑硅PERC电池平均量产效率已达到20.1%，最高效率达到20.6%，再次实现了产业化多晶电池平
中国光伏业者协鑫集成成功在多晶PERC电池的基础下叠加黑硅技术，使电池的转换效率突破20.6%，创下多晶电池的新纪录。协鑫集成的量产多晶PERC电池转换效率可达20.1%，且在加入俗称干法的离子反应法(RIE)黑硅蚀刻工艺
协鑫集成近日宣布，其自主研发的多晶干法黑硅PERC电池平均量产效率已达到20.1%，最高效率达到20.6%，再次实现了产业化多晶电池平
协鑫集成近日宣布，其自主研发的多晶干法黑硅PERC电池平均量产效率已达到20.1%，最高效率达到20.6%，再次实现了产业化多晶电池平均效率的突破。据了解，金刚线多晶是多晶必要的路径之一，但过于光亮的硅晶圆片会让电
