低电阻
，晶硅电池的效率提升是以采用新钝化技术为特征的。TOPCon具有完美钝化原理，载流子的选择率高，接触电阻低，是目前产业升级完美技术路线。TOPCon电子选择性材料SiOx/n+ Poly-Si与空穴选择性
化学气相沉积法，该技术优点是工艺成熟、集成度高，成膜质量好，装备产能大，控制简单容易;但难于镀膜速度慢，成膜率低，同时存在二次掺杂、绕镀、石英件沉积严重等问题。LPCVD技术是各技术路线中被最广为接受
现象。
在光伏组件端：
我们应研发耐候性更好的原材料：
1. 选用绝缘EVA材质，具有抗PID能力，EVA的抗PID控制在5%(PID192h);
2. 更好的低水透背板，水蒸气透过率应
料进行封装，增加外部电路与内部电池的绝缘电阻，降低漏电流现象，另外无边框组件在实验中相较于有边框组件，有较好的抗PID特性，因此边框也是我们研究PID的重要因素。在光伏系统端，我们可以对电站进行负极接地
逆变器)。 连接器作为关键零部件，其低的接触电阻和长期可靠性，能够保障电站高效和安全运行。相反，持续升高的接触电阻则会大幅提升项目的安全风险，严重的可导致火灾事故。2010-2017年，英国58起
《低氧超薄大尺寸N型单晶硅片》的项目背景、技术成果及创新、国内外技术比较等方面作了详细汇报。本项目创新开发低氧、低径向电阻率偏差的大尺寸N型单晶硅棒技术，成功解决N型单晶氧含量高带来同心圆和低转换效率
(STC标准测试条件)时，210至尊组件因电阻损耗引起的发电量损失相较传统540W组件更少，因此210至尊组件低辐照性能较传统540W组件更优异。以2021年6月的数据为例，银川CPVT实证基地辐照量
前景下，具备高功率、高效率、高可靠、高发电量的210至尊超高功率组件顺应了国家有规模、有效益的发展要求，无论是分布式屋顶还是大型地面电站场景下，都将是更优解。
本文将从户外发电量实证、低辐照性能、遮挡
28mg，降本的幅度不大。
但该降本路径的发展近期有了重大突破，金石能源推出的低银耗技术，将低温银浆的使用量降低的技术推向一个新高度，其低温银浆单耗为13mg/W，相比较于常规异质结电池28mg/W
各路径的发展现状看，低银耗技术是降低成本最有效方案，金石能源的低银耗技术降本效果最为突出。
低银耗质结技术解密
据悉，低银耗异质结技术采用背面PVD镀铜层，是金石能源的一项
今年2月初，公司收到2家产线客户发来的驻厂调研需求，签订保密协议后，产线客户各派技术团队进驻工厂，对异质结微晶化的掺杂层工艺技术及相应PECVD设备、低银耗工艺和异质结电池量产线的运行进行跟线、取样
下旬分别派出技术团队进行为期3天的驻厂调研。
客户在基地量产线调研
简报评价
微晶+低银耗技术已具备产业化条件
《驻厂调研简报》重点对微晶化的掺杂层工艺PECVD设备的稳定性、微晶电池
NXH40B120MNQ，该功率模块是专为光伏逆变器应用研发的一款产品，能够满足在光伏储能应用中实现高功率效率所需的低反向恢复电流和快速导通与关断功能，侧面地展示了安森美在碳化硅功率器件领域的技术优势
。
功率模块拓扑 图源：安森美
上图为该全碳化硅功率模块的内部电路拓扑，模块内部由两个相互独立升压级和一个热敏电阻构成，其中MOSFET采用的是耐压等级为1200V，导通电阻为40m的碳化硅
效应降低表面少子浓度，从而降低表 面复合速率，同时降低串联电阻，提升电子传输能力。电池背表面为叉指状排列的 p+ emitter(p+发射极)和 n+BSF(n+背场区)。
其中，前者与 N 型硅基
的 Emitter 和 BSF 区域为 p+非晶 硅和 n+非晶硅层，在异质结接触区域插入一层本征非晶硅钝化层。HBC 电池具有高质量的钝化效果和低的温度 系数，并同时具备大短路电流和高开路电压的双重优势
。冬季户外温度低，有些地区达到零下几十度，虽然线缆在敷设时可能做了保温处理，但经过温度反复升降，可能导致线缆的外层破损，如发现应及时更换。
多检查直流侧端子及PV线缆
直流侧
接地电阻值一般要介于 4~10;工作接地的接地电阻一般要小于1。低电压电力设备总容量不超过100kVA时，接地电阻不允许超过10。主要目的是当雷电发生时，使浪涌电流快速导入大地，最大程度保护设备及人
