PERC时代红利的逐步消失,太阳能电池迎来了从P型到N型的转型关键期。从材料角度,N型电池具有杂质少、纯度高、少子寿命高、无晶界位错缺陷以及电阻率容易控制等先天优势。由于少子寿命高有利于对外输出电流
,异质结电池生产步骤较少,仅制绒清洗、非晶硅镀膜、TCO膜制备、丝网印刷等4个环节。由于制程工艺少,生产良率更容易控制。在应用方面,除了高转换效率,高背面率、低衰减、低温度系数、弱光响应等特性也让下游用户
) 效率更高的TBC/HBC电池,只需背面印刷银浆,银浆耗量比TOPCon/HJT电池低;且背面银浆不必考虑栅线遮挡问题,可适当加宽栅线,从而降低串联电阻,提高FF。比TOPCon/HJT电池更低的银浆
降低表面少子浓度,降低表面复合速率的同时还可以降低串联电阻,提升电子传输能力。
自推出一代IBC电池后,SunPower不断往两个方向升级IBC电池技术:1)更简化的制程,及更低成本工艺;2)更好的
,EVA材料在遭遇水解后会生产醋酸,与光伏玻璃中的Na发生反应,从而腐蚀电池栅线,导致串联电阻的升高,组件性能大幅衰减。
为了解决PID现象,POE胶膜应运而生,目前渗透率正在逐渐提升。与EVA胶膜相比
用的场景也显著差异。
材料中VA含量直接影响胶膜的粘结强度,VA含量越低,产品特性就越接近低密度高压聚乙烯(LDPE);VA含量越高,产品特性就越接近橡胶。光伏级EVA材料需要具备28%-33%的VA
人体阻抗和所处环境的状况有极大的关系,环境越潮湿,人体的阻抗越低,也越容易遭受电击。接地是防止电击的一种有效的方法。电气设备通过接地装置接地后,电气设备的电位接近地电位.由于接地电阻的存在,电气设备对地
电位总是存在的,电气设备的接地电阻越大,发生故障时,电气设备的对地电位也越大,人触及时的危险性也越大。但是,如果不设置接地装置,故障设备外壳的电压就和相线对地电压相同,比起接地电压还是高出很多的,因此
和低金属接触电阻率的优势,促进太阳电池的转换效率迈上了一个新的台阶,使TOPCon电池成为行业公认的继p-PERC之后的主流电池结构之一。
TOPCon电池产业化进展
鉴于N型TOPCon电池高
接触区域的J0c高于钝化区域。但p+ poly和n+ poly的金属接触复合,即使穿刺会破坏钝化接触结构的情况下也可以使金属复合远远低于常规发射极/背场。
金属接触电阻率优势
除金属接触复合外
,电学性能相对较差,涂层容易出现气泡引起线路故障,易粉化、泛黄,维修性差;
03、有机硅披覆胶因具有独特的硅氧主链结构和分子间低作用力,其形成的涂层电学性能优良,尤其介质损耗因数和介电常数比其它类低
,耐高低温性能优异、可耐200℃高温,同时表面张力低和水汽不易渗透,具有良好的柔韧性能及疏水性能,防撞击性能好,能很好地释放外界施加的压力,因此也被称作弹塑性有机硅涂料。
此外,有机硅类披覆胶维修
商。
▍N 型硅料工艺要求高,龙头厂商更具优势。伴随着 N 型电池发展,N 型硅料需求量快速提升。N 型料掺杂磷元素,少子寿命要比 P 型高出 1-2 个数量级,温度系数低导致高温条件下可获得加高输出功率
,短期成本偏高,优点在于N 型少子寿命要比 P 型高出 1-2 个数量级,温度系数低导致高温条件下可获得加高输出功率,电池效率做得更高,是未来硅料发展方向。
N 型硅料生产工艺要求高,目前
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3)方法三:原位掺杂。PECVD制备多晶硅膜并原位掺杂工艺。该方法沉积速度快,沉积温度低,还可以用PECVD制备多晶硅层,简化很多流程,实现大幅降本。气体爆膜现象已经得到解决,稳定性有待
提升、成本降低和可靠性提升。1)多主栅技术通过增加主栅数量,提高电池的受光量,多主栅缩短细栅线电流传输距离,降低串联电阻损耗可使晶硅组件功率相对5主栅提升约5W;2)可抵消焊带和EVA成本的增加,从
电流水平较低。采用相同尺寸线缆即可。而在高辐照、大型跟踪+双面的项目中,往往会根据实际走线线缆长度、综合压降要求及系统损耗,选用不同线径线缆。在此情况下,大电流组件所用到的大线径线缆占比会高于低电流
组件,但非低电流组件全部使用细线缆,大电流组件全部搭配粗线缆简单粗暴的一刀切。
在此前182代表公司发布的DNV测算文章中,针对线缆对PR的影响没有给出详细数据对比,且假设210全部搭配粗线缆,182
采用PERC背钝化接触技术后,由于AL2O3/SiNx均为介质绝缘膜,为实现电学接触,需对介质膜进行局域开孔,由此造成载流子需通过二维输运才能被金属电极收集,造成横向电阻输运损耗,FF随着金属接触
态密度,多数载流子浓度远高于少数载流子,降低电子空穴复合几率的同时,也增加了电阻率形成多数载流子的选择性接触。在选择性接触区域,多子传输导致电阻损失,同时少量少子向金属接触区迁移导致复合损失,前者对应接触电阻