低温多晶硅
N型代表，极限效率有望超30%，不仅能与IBC和钙钛矿等形成叠层电池，还具有高效率、高可靠性、可双面发电、低温工艺制程、薄硅片应用、温度特性好、无LID与PID效应等优点，受到国内外众多光伏企业密切
环节。工艺繁杂是TOPCon的痛点，且目前技术路线并不统一，多条技术路线并行。主要有三种，第一种是LPCVD
制备多晶硅膜结合传统的全扩散工艺;第二种是LPCVD 制备多晶硅膜结合扩硼及离子注入磷工艺
HJT均采用钝化接触技术来提高转换效率。其中，TOPCon电池以N型硅衬底，通过背面覆盖一层沉积在超薄隧穿氧化硅层上的掺杂多晶硅薄层，形成较好的钝化接触结构；HJT电池通过非晶硅薄膜的引入，能够兼具
TOPCon 正银与背银合计消耗量约为145.1mg/片，HJT双面低温银浆消耗量约为190mg/片，而PERC正银与背银合计仅为96.4mg/片。尤其是HJT，在银耗较高的情况下，还需要使用价格更高
核心产品产能供应。一是提高多晶硅等基础材料生产、光伏电池及部件制造智能化水平，提升智能光伏终端产品供给能力;二是自主研发高质量异质结电池用核心装备、突破高质量制造设备用分子泵、真空阀门、电源、真空计等
真空设备标准件、性能检测设备等制造技术;三是突破光伏逆变器用国产功率模块、控制器芯片、数字信号处理器等关键零部件规模化应用技术;四是掌握异质结光伏电池用低温银浆、溅射靶材等关键材料制造技术。六)发展
关键核心技术。地热领域。重点突破高原地区高温地热资源勘探、盆地油气与中低温地热资源一体化勘探、深部高温地热资源评价、井下高效换热、油气废井地热综合利用、中低温发电机组、地源高温热泵机组能量高效管理等关键
绿电认证、电力防灾减灾智能化成套装置设计制造、交通与电力融合等关键核心技术。晶硅光伏领域。重点突破高纯N型单晶硅料和硅棒制备、低能耗多晶硅生产工艺、超高纯原料氢气制备、多晶硅生产系统氯资源回收利用
降本增效是光伏产业发展的永恒主题，其中必然伴随着技术的升级与迭代，N型电池凭借更高的效率、低衰减特性、低温度系数、更优的弱光响应及更高的双面率等优势，发展潜力和市场空间逐步增大。目前产业化推进的N型
改造的性价比更合适；在设备选择上，TOPCon技术方案多样。主要分歧在隧穿层及多晶硅镀膜工艺上有所区别，目前的主流工艺是LPCVD+磷扩；PECVD工艺优势明显，目前正处于产业化验证期；PVD法主要
有色金属材料产业链，提升产业整体竞争力。2．超导材料。通过产学研用联合攻关，实现低温超导材料产业升级换代，突破高温超导材料批量化制备关键技术，开发出面向电力、能源、医疗和国防应用的超导电工装备，实现超导材料
特色产业链11 输变电装备产业链 上游：原材料和元器件中游：一次、二次输配电设备下游：电力生产、电网、工矿企业等用户12 太阳能光伏产业链 上游：多晶硅、单晶硅等原材料的生产中游：单晶/多晶硅片的加工，单晶
隧穿氧化层钝化接触电池(Tunnel Oxide Passivating
Contacts)，是一种使用超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层作为钝化层结构的太阳电池，同时兼具良好的接触性能，可以极大地提升
密度，可
以大幅减少少数载流子到达表层，另一方面也扮演着氢原子存储的作用，在热处 理时可提供充足的氢原子，通过饱和悬空键来弱化界面电子态。二氧化硅+掺杂多晶硅：隧穿作用和钝化作用。二氧化硅隧穿膜
：IBC(P型)TOPCon(单面)HJT分路线：TOPCon靠降银耗、薄片化;HJT靠低温银浆国产化、降银耗、薄片化、设备降本;IBC靠掩膜工艺优化、薄片化、设备降本。敏感性分析：效率、良率、CTM每
PERC产线，增加隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，主要有LP制备多晶硅膜+扩散、LP制备多晶硅膜+离子注入、PE制备多晶硅膜+原位掺杂三种方式HJT：全新产线但工艺流程简洁，增加本征非晶硅钝化层和异质结
中来光电科技有限公司组件技术研发负责人倪健雄据泰州中来光电科技有限公司组件技术研发负责人倪健雄介绍，针对行业在N型技术研发中的问题，中来首创了POPAID技术，即无绕镀单面沉积原位掺杂多晶硅层技术
2.0关键技术，使组件具备高效率、低衰减、高可靠、低温度系数、高双面率、轻质等优势，更适用于户用分布式光伏电站的应用特点。NIWA系列产品据介绍，NIWA产品背面采用中来纳米金属复合背板约
TOPCon至少占了10%的市场份额，甚至更多。异质结可能占百分之二三。纵观光伏行业，时不时“城头变幻大王旗”,技术路线的选择是最为关键的因素。从多晶硅到单晶硅，不少公司跌落，却也产生了隆基绿能这样的新王。而
?李仙德曾表示，相对于PERC，HJT有的优势如高效率、高双面率、低衰减、低温度系数，TOPCon都有且更甚。而HJT最突出的劣势，包括有设备投资高、银浆用量大、工艺良率低、薄片化在大尺寸趋势下可行性弱化等
