主栅线

。 2、拼片使用三角焊带技术将原先电池主栅遮挡的光线再次利用，常规5BB焊带宽1mm，总计5根，合计遮挡5mm，遮挡占比为5156.75=3.18%,拼片技术把焊带遮挡的这部分光线又全部拿回来了。 但
问题。叠瓦在这些方面殊途同归，使用叠焊的方式解决了主栅遮光的问题同时有解决了片间距对光的浪费。所以仅从封装屏占比这个维度，二者是旗鼓相当的(尤其考虑拼片也可以轻松叠焊，从而彻底消灭片间距)。 但是在

下游电池片以及组件封装新技术不断涌现，带来转化效率提升，摊低光伏整体成本。这些技术主要包括PERC、SE、MBB(多主栅)、半片、叠瓦、双面等。 双面组件可吸收被环境反射的太阳光，从而对组件的光电流和
、多主栅以及叠瓦技术，也对电池片功率提升有极大的增强作用。 3.单晶多晶路线之争:单晶效率优势逐渐体现 3.1单多晶技术路线分化出现在产业链最前端，转型难度大 从目前看，光伏的技术路线主要分为

/m2)MBB功率增益主要来自两个方面：电学增益-多主栅缩短细栅线电流传输距离，降低串联电阻Rs，进而降低电阻损耗;光学增益-增加了入射角0时的电池受光量。而在实际环境中，辐照量往往低于1000W/m2

相关损失的热情。另外，降低来自电池金属电极的遮光损失和提升主栅的数量也能进一步提升电池电流。另外，随着硅片和电池工艺的进步，如今只需对全尺寸电池进行筛选操作，而不用在切割工艺后再次测量半切片电池，从而
的半切片电池在进行层压封装后，在激光开槽边缘更容易发生碎裂，而采用优化TLS工艺切割的半切片电池更容易在主栅位置处发生开裂，如图六所示; 该现象可以在4-PB试验下的EL成像上看到。在低应力下LSC

，栅线和焊带设计需要进一步优化。 在今年日本展会上，也看到多主栅组件的出现越来越普遍，其中不少厂家就选择了搭配半片技术，如正泰、韩华Q-Cells、航天、中来、尚德及天合等。展出的多主栅组件大多使用

MBB黑硅PERC多主栅产品是协鑫下一步的发展主流，其特殊的栅线设计，使电池表面受光面积更大，电池银浆耗量更低。 目前协鑫集成已有效解决了多晶PERC电池的衰减问题。经电池LID衰减测试，相对电池效率

类型的的黑硅绒面结构的不同，正银浆料在不同黑硅绒面上的表现也不相同。干法黑硅和普通多晶相比，对浆料的要求区别不大。湿法黑硅相比正常多晶绒面，使用普通正银的主栅焊接拉力可能丢失大于50%，更严重的情况下，细
，PERC与黑硅技术在单晶和多晶上将得到普遍采用。 黑硅技术助力多晶电池提效降本 对于多晶电池而言，黑硅技术并非是一项新技术。该技术主要是源于2017年金刚线切多晶硅片的普及从而得到推广。 金刚线

。半片组件本质上是源自划片工艺，只是把大电池片进行垂直于主栅线的划片而已，为什么能提高组件整体功率呢? 光伏组件在工作过程中，电池片上细栅线、主栅线、焊带、汇流条都是电流的传输通道。常规光伏电池片产生的电流

、黄河水电435W的TOPCon组件叠加的技术多达5种以上。 纵观SNEC，半片基本已成为组件技术标配，多主栅也有越来越多的厂商进入，更多的是以半片搭配多主栅技术。另外值得一提的是，不同于此前主推的

、无主栅IBC电池 其特点是背面只印刷细栅线，无需印刷绝缘胶和主栅，相比主栅式IBC电池，制备工序简单、成本较低。但该类型的IBC电池在制作组件时需要专门的设备配套，且有较高的精度要求，导致组件端成本