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电池、聚合物多层修饰电极型太阳能电池、纳米晶太阳能电池四大类，而多元化合物半导体薄膜形又分为非结晶形(a-Si:H，a-Si:H:F，a-SixGel-x:H等)、ⅢV族(GaAs,InP等)、ⅡⅥ族
，因此，并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代产品。砷化镓（GaAs）III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率,抗辐照能力强,对热不敏

及铜锢硒薄膜电池等。砷化镓(GaAs)III-V族化合物光伏电池的转换效率可达40%。GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率，抗辐照能力强，对热不敏感，适合于制造高效单结
电池。但是GaAs材料的价格不菲，因而在很大程度上限制了GaAs电池的普及。硫化镉、碲化镉薄膜光伏电池的效率较非晶硅薄膜光伏电池效率高，成本较晶体硅光伏电池低，并且也易于大规模生产，但镉有剧毒

普遍在8%-10%左右；存在光电效率衰退效应，稳定性不高。多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、碲化镉及铜锢硒薄膜电池等。砷化镓(GaAs)III-V族化合物
光伏电池的转换效率可达40%。GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率，抗辐照能力强，对热不敏感，适合于制造高效单结电池。但是GaAs材料的价格不菲，因而在很大程度上限制了GaAs

，至此也被汉能收入旗下。除了CIGS薄膜技术之外，汉能还在补足自己在薄膜技术其他领域的短板。曾屡创柔性砷化镓（GaAs）太阳能电池转换率记录，却又财务状况不太好的AltaDevices（阿尔塔设备公司
），自然被汉能看在眼里。阿尔塔能够生产世界上转换效率最高的柔性砷化镓（GaAs）太阳能电池片，产生的效能比单晶硅技术提高8%,比多晶硅高出10%；相同面积下，其产生的效能可达普通柔性太阳能电池的2到3