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有限公司成立于2017年12月，注册资本金50亿元，是三安光电股份有限公司旗下全资子公司。泉州三安地处南安市石井半导体产业园，规划建设用地约2500亩，总投资333亿元。项目建设终期，将形成GaN业务、GaAs业务、集成电路业务、特种应用业务四大业务板块。

1. 钙钛矿电池前景广阔1.1 晶硅电池逐步接近效率天花板常用的光伏材料有 Si、Ge、CIGS、CdTe、GaAs 等，其中硅元素在自然界中资源丰富，可大量用于光伏行业。同时硅由于其禁带宽度为
。薄膜电池是指在玻璃或柔性基底上沉积若干层，构成 PN 结或 PIN 结的半导体光伏器件。其核心是吸收层材料，目前主要包括硅基薄膜、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)、砷化镓(GaAs

硅电池的最高公布效率)，接近29.1%(GaAs电池的最高公布效率)。研究人员还指出了大规模生产的潜力。新电池有望为不需要插电式充电的电动车提供动力，并推动其他移动应用，例如高空平台站、平流层电信平台等
(GaAs)或其他III-V材料;钙钛矿晶体薄膜。前者的生产成本是单个硅电池成本的几百到几千倍不等，严重限制了其应用。后者还不能在20年或更长的硅电池寿命期间提供必需的可靠性和有保障的输出。东芝的研发

部分的太阳光谱。其顶部结由磷化镓铟(GaInP)制成，中间是带有量子阱的砷化镓(GaAs)，底部是晶格不匹配的砷化镓(GaInAs)。经过数十年的研究，每种材料都经过了高度优化。高级科学家和光伏电池
设计师France说，一个关键因素是，虽然砷化镓(GaAs)是一种出色的材料，通常用于制作III-V多结电池，但它并不适合三结光伏电池的带隙，这意味着在光电流平衡方面并不是最佳的。在这里，我们通过

挪威科技大学(NTNU)的研究人员开发出一种新型的超高效光伏电池材料，其效率有望比目前的光伏组件提高一倍以上。在ACS光子学杂志上发表的一篇论文中，研究人员发现使用砷化镓(GaAs)制造的
的光伏组件，从而降低成本。砷化镓GaAs电池一直被认为效率最高的光伏电池，由于其在元素周期表上的位置也得名为III-V太阳能电池，其超高的光电转化效率让它在空间应用中常用。今年8月

，然后再将它们在压力下压在一起。III-V 族半导体层中的原子与硅形成键，成为电池， GaInP、AlGaAs 和硅子电池通过隧道二极管互连，堆叠在一起。最后使用湿化学去除 GaAs 衬底，连接
III-V 族半导体层 (GaInP/GaAs) 是另一种用于制造多结光伏电池的方法。与Wafer-bonding相比，该过程涉及的工艺步骤要少得多，在硅上直接生长可以避免使用昂贵的砷化镓

)、砷化镓(GaAs)、钙钛矿电池及有机薄膜电池等。相较于晶硅太阳能电池，薄膜太阳能电池材料消耗少、制备能耗低、生命周期结束后可回收、电池和组件生产在一个车间内完成，由于可在柔性衬底上制备，具有可卷曲
实验室最高转换效率分别达到23.4%及22.1%，量产组件转换效率也均达到或超过15%，发展前景已被业内广泛看好。具有超高转换效率的GaAs太阳能电池，凭借着其耐高温、耐辐射等特点，在空间应用、无人机

太阳能电池的目标迈进一大步。砷化镓(GaAs)和其他III-V材料(按照它们在元素周期表中的分组命名)是广为人知的高性能太阳能电池材料，它们在转换效率综合记录中占据大多数席位。但它们通常高达数百
了实现这个目标的一些方法。让GaAs层生长在硅衬底上是一个非常有前景的方式，能够剔除昂贵的锗原料，同时允许更大规模的生产。但这个方式生产的电池层瑕疵很多，限制了在太阳能电池中的性能。加拿大舍