with Intrinsic Thin Layer,也被称为HIT,中文名为本征薄膜异质结。HJT电池为对称双面电池结构,中间为N型晶体硅,然后在正面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜,形成P-N结。而硅片 (物理化学气相沉积)两种路线。RPD与PVD的区别在于:1)RPD工艺采用蒸发镀膜法制备IWO导电薄膜(氧化铟掺钨),对硅衬底的轰击较小,薄膜导电性好,有望制备更高效率的电池,但缺点在于设备价值量更高
硬件成本下降的降本,边际难度越来越高。随着 PERC 转换效率逐渐接近天花板,电池片厂商开始相继布局具有更高效率,更低衰退率,更高发电量的 N 型太阳能电池技术,例如隧穿氧化钝化接触 电池(TOPCon),异质结电池(HIT)和背接触电池(IBC)等。
未来五年,随着材料技术和工艺技术不断进步,行业还能进一步地去降本。
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从周期到成长
光伏行业最近这一波上涨,最核心逻辑是,碳中和背景