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为您找到 “氮化硅薄膜”相关结果63 个
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综合
管式PECVD如何退火
氮化硅薄膜
工艺参数最佳?
来源:索比光伏
发布时间:2018-10-08 15:19:05
摘要:研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对
氮化
膜薄膜性能影响,测试了退火后
氮化硅薄膜
的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明,多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气,并
环境更有利于高折射率的获得。此外,还就膜厚和折射率随温度、环境变化的情况进行了详细的讨论。 1引言
氮化硅薄膜
制备在太阳能电池生产中起着减少硅片表面的反射、进而增加光的利用率的作用,是晶体硅
氮化硅薄膜
太阳能电池
光电转换效率
产业
光伏组件生产设备
管式PECVD钝化效果并不理想?不妨这样试试
来源:索比光伏
发布时间:2018-09-14 09:24:53
摘要:研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对
氮化
膜薄膜性能影响,测试了退火后
氮化硅薄膜
的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明,多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气,并
环境更有利于高折射率的获得。此外,还就膜厚和折射率随温度、环境变化的情况进行了详细的讨论。 1引言
氮化硅薄膜
制备在太阳能电池生产中起着减少硅片表面的反射、进而增加光的利用率的作用,是晶体硅
硅片
太阳能电池
晶体硅
表面钝化技术路线多样 谁主沉浮?
来源:索比光伏
发布时间:2018-08-02 09:45:02
理想的减反射膜材料。而且,钝化膜制备过程中还能对硅片产生氢钝化的作用,能显著改善硅太阳电池的光电效率。 在实际的晶体硅太阳能电池工艺中,
氮化硅薄膜
作为一种常见的钝化膜,其折射率在1.8~2.5,因此
化学气相沉积法同溅射法一样,可以通过改变沉积参数的方法制备不同应力状态的薄膜以满足不同的需要。这种方法根据等离子体的激发方式,用于生长
氮化硅薄膜
的PECVD设备一般分为两种类型:直接PECVD设备和间接
太阳能电池技术
硅片
钝化技术
魔鬼在细节~
氮化
硅镀膜工艺参数优化
来源:索比光伏
发布时间:2018-07-31 10:06:18
摘要:利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积给定折射率的
氮化硅薄膜
,通过正交实验法对衬底温度、NH3流量和射频功率3个对
氮化硅薄膜
沉积速率影响较大的工艺参数进行全局优化和调整,得到了
氮化
硅镀膜的最优工艺参数。 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的
氮化硅薄膜
作为理想的减反射膜,具有很好的表面钝化作用,已被广泛地用于半导体器件。沉积参数的设计和工艺安排都会显著影响
氮化硅薄膜
产量和质量
氮化硅薄膜
PECVD
光伏材料
光伏科技
单晶PERC工艺优化有哪些容易忽视的细节?
来源:索比光伏
发布时间:2018-07-30 14:23:06
玛雅设备来制备Al2O3/SixNy薄膜与背面保护
氮化硅薄膜
,高频信号发生器频率为13.56GHz。所用气体为三甲基铝(TMA)、高纯氩气、高纯氨气和高纯硅烷,实验时反应气体直接通入反应腔体内,反应
腔体压力为10~30Pa,反应温度为300~400℃。正面
氮化
硅使用中国电子科技集团公司第四十八研究所PECVD设备制备,高频信号发生器频率为40kHz。采用西安隆基M2单晶硅片。使用Sinton公司的
单晶PERC
PERC
PERC
从Al2O3钝化层看单晶PERC关键工艺优化
来源:索比光伏
发布时间:2018-06-28 10:46:11
复合速率,提高硅片少子寿命。2 Al2O3厚度对电池特性的影响 采用梅耶博格公司的玛雅2.1设备来制备Al2O3/SixNy薄膜与背面保护
氮化硅薄膜
,高频信号发生器频率为13.56GHz。所用气体
为三甲基铝(TMA)、高纯氩气、高纯氨气和高纯硅烷,实验时反应气体直接通入反应腔体内,反应腔体压力为10~30Pa,反应温度为300~400℃。正面
氮化
硅使用中国电子科技集团公司第四十八研究所
PERC电池
电池片效率
阿特斯荣获第十九届中国专利优秀奖!
来源:索比光伏
发布时间:2018-02-06 09:28:55
此次获奖专利,首次提出了一种抗PID晶体硅太阳能电池的制作方法。本专利通过臭氧氧化的工艺,在硅基底与
氮化
硅之间迅速的生成一层薄而致密的氧化硅层,该氧化硅层既满足抗PID的需求,又避免了氧化硅层过厚带来
的减反效果降低的问题,完美解决了本领域中抗PID和维持光利用率难以取舍的矛盾问题,做到二者兼顾,并且所得的氧化
硅薄膜
还具有良好的钝化效果。 使用该技术工艺生产的阿特斯专利组件产品不仅抗PID
阿特斯
中国专利优秀奖
光伏企业
甘肃西北永新涂料1.1MW屋顶光伏电站并网发电
来源:索比光伏
发布时间:2018-02-02 14:05:35
%),平均每天约3000度。项目总发电量为131万度,可占到去年整个园区总用电量约18%,并可相当于减排二氧化碳1306吨、减排二氧化硫39吨、减排
氮化
物20吨、减排碳粉尘356吨。该电站的非晶
硅薄膜
屋顶光伏电站,该电站的主体部分安装在西北永新涂料有限公司,由此也成为国内涂料行业首家采用分布式太阳能能源的涂料企业。甘肃西北永新涂料有限公司1.1MW屋顶光伏电站该屋顶电站共安装7800块非晶
硅薄膜
光伏要闻
施正荣:仅以此文悼念我的师兄、朋友和同事Stuart Wenham 教授
来源:索比光伏
发布时间:2017-12-27 09:55:25
月,我改变了博士论文的研究课题,开始从事多晶
硅薄膜
太阳能电池的研究。工作的主要内容是釆用液相生长法(Solution Growth)将多晶
硅薄膜
生长在玻璃上,从而降低硅材料的用量,以期降低光伏电池的
,系统学习,否则无法有效参与课题组的讨论并做出贡献。1993年年底,Martin和Stuart 提出了多层p-n结多晶
硅薄膜
电池的设计发明,并进行了大量的理论计算和实验研究。1994年年底,该项发明成功
尚德
施正荣
光伏企业
教授
施正荣:仅以此文悼念我的师兄、朋友和同事Stuart Wenham教授
来源:索比光伏
发布时间:2017-12-27 09:32:04
生产。1994年,我曾陪Martin和Stuart去云南半导体器件厂和北京太阳能研究所洽谈埋栅电池技术转让事宜。1989年9月,我改变了博士论文的研究课题,开始从事多晶
硅薄膜
太阳能电池的研究。工作的主要内容是
釆用液相生长法(Solution Growth)将多晶
硅薄膜
生长在玻璃上,从而降低硅材料的用量,以期降低光伏电池的制造成本。这是当年UNSW光伏研究中心的一个重要研究方向,我有幸能够近距离地跟
施正荣
尚德
光伏行业
光伏要闻
太阳能电池片科普系列——丝网印刷篇
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-29 12:07:06
frit),在高温烧结时玻璃粉硼酸成分与
氮化
硅反应并刻蚀穿透
氮化硅薄膜
,此时银可以渗入其下方并与硅形成此种局部区域性的电性接触,铅的作用是银-铅-硅共熔而降低银的熔点。浆料可能造成的安全隐患及急救措施
太阳能电池
光伏技术
光伏发电
三层
氮化
硅减反射膜工艺
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-02 10:48:01
短路电流,从而有效的提高了多晶太阳电池的光电转换效率。
氮化硅薄膜
作为表面介质层在传统晶硅太阳电池制造中被广泛应用,它能够很好地钝化多晶硅片表面及体内的缺陷和减少入射光的反射。
氮化
硅膜层中硅的含量增高
氮化硅薄膜
的折射率为2.15左右,厚度为25nm,第三层
氮化硅薄膜
的折射率为2.0以内,厚度为50nm。 PECVD镀完膜厚,通过反射率测试仪分别对采用双层和三层
氮化
硅膜工艺的实验片在波长300
光伏材料
多晶硅片
光伏原材料
超级干货 | 单面抛光在PERC,电池中应用的研究!
来源:索比光伏
发布时间:2017-10-16 18:17:59
时间为5 min;处理后以去离子水清洗并烘干;在硅片背面沉积
氮化硅薄膜
作为制绒掩膜,沉积设备为Meyer Burger 公司的板式PECVD,沉积压强为0.15 mbar,沉积温度为450 ℃,微波功率
氧化铝/
氮化
硅叠层钝化,利用氧化铝中固定负电荷场钝化效应同烧结中形成的氧化硅的化学钝化,背面复合速率大幅降低至10 cm/s。PERC 电池背面抛光可降低背表面的比表面积以降低复合速率,也可增加电池
单面抛光
电池
|
光伏要闻
超级干货 | 电池工艺对组件衰减的影响!
来源:索比光伏
发布时间:2017-09-29 18:29:59
: 依据上述原理可根据组件钢化玻璃或镀膜玻璃与EVA的不同折射率,设计相应的
氮化硅薄膜
的折射率,达到组件的光学最佳匹配。 1.2电学损失 电池引起的电学损耗包括电池片串联时电流不匹配、焊条与
摘要:多晶硅电池片经封装成组件,功率会有相应的损失,称之为封装损耗。多晶硅电池工艺中细微的差异就会导致组件衰减的不同。针对
氮化
硅膜厚与折射率、扩散均匀性、电池片摩擦情况引起的组件衰减进行了详细的研究
电池工艺
组件
|
光伏要闻
半导体硅晶圆:能为太阳能光伏发电带来什么新希望?
来源:索比光伏
发布时间:2017-04-07 09:58:55
上层的涂有
氮化
硅的抗反射层,以及由银制成的背面发射层,从而可以有效的降低再次辐射。 对此,Peter Bermel 说: 在研究中,我们使用了现成的硅晶圆作为设计和制造的平台,制成一种结构能够吸收
走下去。 柔性 通过这种硅晶圆结构,研究人员探索出了由
硅薄膜
制成的选择性吸收器,薄膜的柔性会带来更多的潜在优势,例如可以应用到弯曲的结构,例如聚光太阳能发电系统用到的,像镜子一般的槽式抛物面。这种
太阳能光伏发电
光伏发电
多晶硅
你了解商业化高效晶硅光伏电池技术吗?
来源:索比光伏
发布时间:2016-02-01 00:01:59
。正面采用氧化硅或氧化硅/
氮化
硅复合膜与n+层结合作为前表面电场,并形成绒面结构以抗反射。 背面利用扩散法做成p+与n+交错间隔的交叉式接面,并通过在氧化硅上开金属接触孔,实现电极与发射区或基区
征层i-和p-及n-型非晶
硅薄膜
,形成n-型硅和非晶硅异质结结构(HIT)太阳电池。非晶硅(a-Si:H)材料的带宽在1.7eV左右,远大于晶体硅1.1eV的带宽,因此此种HIT电池结构对于电池表面
晶硅光伏
高效晶硅
光伏电池
详解钝化接触太阳能光伏电池
来源:索比光伏
发布时间:2015-10-19 09:40:28
晶硅太阳能电池的表面钝化一直是设计和优化的重中之重。从早期的仅有背电场钝化,到正面
氮化
硅钝化,再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、
氮化
硅等介质层的钝化局部开孔接触的PERC/PERL设计。虽然这一结构
氮化
硅(SiNx:H)薄膜用作电池正面的减反射膜。其中原因之一在于相对合适的折射率,但更重要的原因则在于
氮化
硅优良的的钝化效果。
氮化
硅除了可以饱和表面悬挂键,降低界面态外,还通过自身的正电荷,减少正面n
太阳能电池
光伏组件
产业
钝化接触太阳能电池
来源:索比光伏
发布时间:2015-07-03 13:17:59
晶硅太阳能电池的表面钝化一直是设计和优化的重中之重。从早期的仅有背电场钝化,到正面
氮化
硅钝化,再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、
氮化
硅等介质层的钝化局部开孔接触的PERC/PERL设计。虽然这一结构
SiO2钝化电池表面,并取得不俗的开路电压和效率。SiNx:H 第一次进化90年代,科研机构和制造商开始探索使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备含氢的
氮化
硅(SiNx:H)薄膜用作电池
电池技术
储能技术
光伏电池
光伏勾勒绿色生活
来源:索比光伏
发布时间:2015-05-26 15:22:55
硅片上下表面相互绝缘。然后把硅片在HF溶液中完全去除扩散过程中产生的磷硅玻璃(PSG)。 PECVD:通过微波电能使反应气体电离,在局部形成等离子体,在基片上沉积出氢
氮化硅薄膜
。增强对光的吸收性的
光伏发电
中利腾晖
家庭电站
【刘工总结】光伏组件封装材料总结之太阳能电池的制作工艺
来源:索比光伏
发布时间:2014-12-14 23:59:59
,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体SiH4和NH3,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜即
氮化硅薄膜
。一般情况下,使用这种
35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层
氮化
硅减反射膜。现在工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源
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