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单晶单面和双面PERC电池生产工艺单晶单面PERC电池的生产工艺相对简单，主要步骤包括单晶生长、切片、研磨、抛光、扩散和金属化等。
单晶单面和双面PERC电池优点单晶单面和双面PERC电池各自具有独特的优点和挑战。单晶单面PERC电池具有较低的光衰减，适合用于需要长时间稳定运行的应用场景。

显而易见，与传统的单面设计相比，双面电池的发电功率更佳，可有效降低电站的平均发电成本。相应的，双面电池的生产工艺也比较复杂，其背面不能使用不透光的常规背板，叠加其它生产工艺导致成本略高。
：不含硅，也重要光伏逆变器：光电上网的最后一块拼图光伏发电站：产业的终端光伏硅料：掌控产业上游多晶硅材料是以工业硅为原料，经一系列的物理化学反应提纯后达到一定纯度的电子材料，它是制造硅抛光片

显而易见，与传统的单面设计相比，双面电池的发电功率更佳，可有效降低电站的平均发电成本。相应的，双面电池的生产工艺也比较复杂，其背面不能使用不透光的常规背板，叠加其它生产工艺导致成本略高。
光电上网的最后一块拼图光伏发电站：产业的终端 portant;" alt="" / 光伏硅料：掌控产业上游多晶硅材料是以工业硅为原料，经一系列的物理化学反应提纯后达到一定纯度的电子材料，它是制造硅抛光片

组件技术趋势，从电池封装产品如何运用单面电池变成了双面。中环是如何来理解的，中环始终是秉承协同创新、联合创新，我们占有了技术上的几个领先的位置。
2002年全球首先将多线切割应用在硅材料加工上，2007年中环股份A股上市后又开始了DW项目的研发，2012我们把全球首个DW切片工厂展现在世界，到了2017年半导体12英寸抛光片，2019年G12夸父系列

双面 PERC 电池主要应用于双玻组件、使用背板封装的单面PERC 电池和具有透明背板的组件等场景。
PERC 技术仅需在 BSF 基础上增加两道工序即可完成升级改造：PERC 技术在常规 BSF 电池基础上增加背面钝化层沉积和激光开槽两道工序，此外，针对背部抛光需对基于化学湿台的边缘隔离步骤稍作调整

TS+背面采用抛光技术，使得硅片制绒加工成本降低40%以上，达2-3分/瓦;同时，具备更高反射率的背表面，为背钝化技术的实施提供可靠的材料基础，大大降低多晶PERC工艺的背抛光成本。
保利协鑫TS+系列黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化效果，效率更高而成本更低，性价比显著提升。

目前，钙钛矿沉积工艺还不适用于制绒表面，因此底电池的正面需要进行抛光。不过，只要背面是制绒表面，正面抛光只会造成些微损耗。
相较单面电池组件，双面电池组件能够将光伏系统的发电量提高10-20%，但新增成本却微乎其微。在集中式光伏系统中，双面电池组件已是大势所趋，而且此类电站将是光伏装机项目中的主力军。

中环股份 2018年上半年项目： 8-12 英寸半导体直拉单晶研发，立 8-12 英寸集成电路级抛光片，8 英寸半导体抛光片，钻石线切割超薄硅片项目，整体太阳能级单晶硅材料。
东方日升 2018年上半年项目：电池片研发方面：N/P型单晶双面太阳电池制备工艺的研究、高效太阳电池激光技术应用的研究、黑硅电池与组件材料匹配性研究、背抛光技术技改的研究等。

保利协鑫TS+第二代黑硅片采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，背面抛光更适用于PERC技术。未来金刚线+黑硅PERC技术将成为300W+多晶组件的标配。
金善明在常州论坛上就表示，目前保利协鑫TS+二代黑硅片，创造性地采用了正面制绒+背面抛光这一独特的工艺，正面优质的表面陷光结构与背面高亮的平整表面相互结合，PERC工艺中背抛简单，大大降低了其背抛光成本及压力

根据传统的扩散方法，硅片将单面或双面掺杂。一旦磷出现在背面，就必须被除去。除非采用激光边缘隔离技术。背面抛光并不需要添加专门的工艺和设备。只需在清洗时改变用于蚀刻的化学试剂。
背面抛光工艺多晶硅太阳能电池背面抛光工艺既是一步单独的工序又是为下一步背面钝化镀膜的准备工序。需要去除背绒面的原因是，与抛光表面相比，带有随机金字塔结构的表面复合速度较高。

TS+背面采用抛光技术，使得硅片制绒加工成本降低40%以上，达2-3分/瓦;同时，具备更高反射率的背表面，为背钝化技术的实施提供可靠的材料基础，大大降低多晶PERC工艺的背抛光成本。
保利协鑫TS+系列黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化效果，效率更高而成本更低，性价比显著提升。

TS+背面采用抛光技术，使得硅片制绒加工成本降低40%以上，达2-3分/瓦；同时，具备更高反射率的背表面，为背钝化技术的实施提供可靠的材料基础，大大降低多晶PERC工艺的背抛光成本。
保利协鑫TS+系列黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化效果，效率更高而成本更低，性价比显著提升。

刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑;碱槽的主要溶液为KOH;H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。
三、刻蚀在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面，造成短路通路。

刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为KOH；H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。
三、刻蚀在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面，造成短路通路。

该类型硅片在保利协鑫最新研发的“鑫绒面”亚微米多孔制绒技术基础上，实现正面“鑫绒面”，背面“抛光面”的单面黑硅结构，进一步提升多晶硅片的产品性能。
保利协鑫发布单面黑硅片新品——鑫多晶TS+系列单面黑硅片新产品。

由图2 可知，对于单面制绒的硅片，由于硅片刻蚀前不存在金字塔表面结构，在低刻蚀量条件下，刻蚀不需要抛光金字塔结构，只起到了去边缘和背面清洗作用，实现了低刻蚀量下的背面抛光( 见图2a)。
单面制绒硅片在Δn=1015 cm-3 条件下，对应的少子寿命为230 μs，远大于通过刻蚀量增加实现抛光硅片的少子寿命。这一方面得益于低表面粗糙度，另一方面是因为其表面在纳米尺度上是十分平整的。