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中环股份 2018年上半年项目： 8-12 英寸半导体直拉单晶研发，立 8-12 英寸集成电路级抛光片，8 英寸半导体抛光片，钻石线切割超薄硅片项目，整体太阳能级单晶硅材料。
2017年：无线充电用高磁导率铁氧体磁片项目、单晶PERC电池量产化项目、高容量18650型汽车动力锂电池项目、DMS321-B高强度、高性能注塑PPS-铁氧体颗粒料等。

根据传统的扩散方法，硅片将单面或双面掺杂。一旦磷出现在背面，就必须被除去。除非采用激光边缘隔离技术。背面抛光并不需要添加专门的工艺和设备。只需在清洗时改变用于蚀刻的化学试剂。
背面抛光工艺多晶硅太阳能电池背面抛光工艺既是一步单独的工序又是为下一步背面钝化镀膜的准备工序。需要去除背绒面的原因是，与抛光表面相比，带有随机金字塔结构的表面复合速度较高。

由图2 可知，对于单面制绒的硅片，由于硅片刻蚀前不存在金字塔表面结构，在低刻蚀量条件下，刻蚀不需要抛光金字塔结构，只起到了去边缘和背面清洗作用，实现了低刻蚀量下的背面抛光( 见图2a)。
未加掩膜的硅片经过制绒和扩散工艺后，通过调节刻蚀清洗工艺时间，实现不同背面刻蚀量单面减重分别为0.21、0.43、0.67 g，分别记为b 组、c 组和d 组。