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22.8%的高转换效率，其基本结构如图2a所示。1999年，UNSW的该团队再次宣布其PERL太阳电池(如图2b所示)转化效率达到24.7%。与传统的单晶硅太阳电池相比，PERL太阳电池的主要特点和优势包括
提供更高的势垒阻挡其隧穿，因而该层具有载流子选择性。TOPCon太阳电池的隧穿氧化层钝化接触结构的能带图和其结构示意图如图6a、b所示。 Fraunhofer研究所采用N型FZ硅片，正面采用普通

FZ硅片上实现了22.8%的高转换效率，其基本结构如图2a所示。1999年，UNSW的该团队再次宣布其PERL太阳电池(如图2b所示)转化效率达到24.7%。与传统的单晶硅太阳电池相比，PERL
隧穿氧化层，而电子则能够轻易达到。相比于电子，超薄氧化层也会为空穴提供更高的势垒阻挡其隧穿，因而该层具有载流子选择性。TOPCon太阳电池的隧穿氧化层钝化接触结构的能带图和其结构示意图如图6a、b所示

数据，由Fig.3-5b图可知电池片左下角黑色区域的电压高达440mV，腐蚀掉正面电极及氮化硅薄膜后扫描方阻(Fig.3-5c)后明显看出黑色区域的方阻比其他区域偏高，导致此区域与现有烧结工艺不匹配而
，最终提升电池片的光电转换效率。由附表3可知此电池片有很低的Voc和Isc，从Fig.3-6a、b可知铝背场出现异常，腐蚀掉铝层后发现(Fig.3-6c)电池片的背面的90%以上的区域含有氮化硅薄膜，由于

厚度和折射率的影响实验采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法制备氮化硅薄膜,使用PD-220N型镀膜机,源气体采用硅烷和氨气,基片采用单面抛光的硅片。由于本实验是3因素(射频功率A、沉积温度B
摘要:利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积给定折射率的氮化硅薄膜,通过正交实验法对衬底温度、NH3流量和射频功率3个对氮化硅薄膜沉积速率影响较大的工艺参数进行全局优化和调整,得到了氮化

frit），在高温烧结时玻璃粉硼酸成分与氮化硅反应并刻蚀穿透氮化硅薄膜，此时银可以渗入其下方并与硅形成此种局部区域性的电性接触，铅的作用是银-铅-硅共熔而降低银的熔点。浆料可能造成的安全隐患及急救措施
能及附着力，综合考虑贵金属成本和可获取性因素，银是比较适合作为太阳能电池电极材料的。因为先前的减反射膜已经形成正面的电性绝缘，所以银浆一般掺有含铅的硼酸玻璃粉（PbO-B2O3-SiO glass

时间为5 min;处理后以去离子水清洗并烘干;在硅片背面沉积氮化硅薄膜作为制绒掩膜，沉积设备为Meyer Burger 公司的板式PECVD，沉积压强为0.15 mbar，沉积温度为450 ℃，微波功率
氧化铝/ 氮化硅叠层钝化，利用氧化铝中固定负电荷场钝化效应同烧结中形成的氧化硅的化学钝化，背面复合速率大幅降低至10 cm/s。PERC 电池背面抛光可降低背表面的比表面积以降低复合速率，也可增加电池

。正面采用氧化硅或氧化硅/氮化硅复合膜与n+层结合作为前表面电场，并形成绒面结构以抗反射。背面利用扩散法做成p+与n+交错间隔的交叉式接面，并通过在氧化硅上开金属接触孔，实现电极与发射区或基区
的接触。交叉排布的发射区与基区电极几乎覆盖了背表面的大部分，十分有利于电流的引出。结构见图1。　　图1（a）IBC电池基本结构图　　图1（b）IBC电池基本结构图这种背电极的设计实现了电池正面零遮挡

、HCPV-TDB3B156、HCPV-TDB125W。 8 9 10 11 12 1111118 下一页余下全文　　巨力
产品系列、全黑组件CS5A-M。　　百世德有限公司是全球最大的太阳能薄膜电池产品解决方案提供商，公司计划分阶段达到总产能为1GW的薄膜太阳能电池组件的设计产能。公司应用成熟的微晶硅薄膜技术生产面积

结构自始至终占主导地位，其它结构对太阳电他的发展也有重要影响。以材料区分，有晶硅电池，非晶硅薄膜电池，铜钢硒（CIS）电池，磅化镐（CdTe）电池，砷化稼电他等，而以晶硅电池为主导，由于硅是
％的填充因子和20．8％（AM1．5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术