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，在清洗制绒后通过热氧生长的方法在硅片表面形成一层较薄的氧化层，然后根据丝网印刷前电极的图案在氧化层上开槽，再用弱碱清洗激光损伤层。这样，在扩散时，没有开槽的区域由于氧化层的阻挡作用形成浅扩，开槽的
较高，普通多晶硅可能满足不了要求; 三、氧化层厚度和均匀性需要控制得较好，因为这直接影响到n+层的扩散质量; 四、需解决丝网印制的精确对位，对位越精确，n++层的宽度就可越窄，效率提高越多

制备方案。该方案要点是，在清洗制绒后通过热氧生长的方法在硅片表面形成一层较薄的氧化层，然后根据丝网印刷前电极的图案在氧化层上开槽，再用弱碱清洗激光损伤层。这样，在扩散时，没有开槽的区域由于氧化层
常规片要大，对硅片质量要求较高，普通多晶硅可能满足不了要求; 三、氧化层厚度和均匀性需要控制得较好，因为这直接影响到n+层的扩散质量; 四、需解决丝网印制的精确对位，对位越精确，n++层的宽度就可

足够聚焦。过去几年我们在引领导电银浆本土化浪潮的同时积极推动了金刚线切割、黑硅制绒、无网结、PERC等新技术与新工艺在行业内的快速切换。未来，我们也将根据客户需求及市场变化趋势做好布局工作。随着
多晶技术、不同背钝化工艺的PERC LDSE技术、n-TOPCon钝化接触技术等的大规模量产。未来，高效电池与组件技术不断涌现、百花齐放，多样化发展的趋势会更加明显。但从行业长期健康、有序发展的角度

大尺寸硅片方面，荣德已经实现全面可定制化改造，可批量供应156.75/157/158.75/163/166等各种尺寸。 ●在黑硅方面，荣德已经全部实现了单面黑硅制绒，结合PERC电池工艺，有更多的效率增益
中国有句老话，三十年河东，三十年河西。这两年，由于多晶遇冷和单晶火热，单多晶技术路线的争论又被重新翻出来。面对单晶来势汹汹的竞争，一众多晶企业要么改旗易帜，多元化经营，转投单晶阵营，要么搬迁

已经实现全面可定制化改造，可批量供应156.75/157/158.75/163/166等各种尺寸。 ●在黑硅方面，荣德已经全部实现了单面黑硅制绒，结合PERC电池工艺，有更多的效率增益。时事维艰
中国有句老话，三十年河东，三十年河西。这两年，由于多晶遇冷和单晶火热，单多晶技术路线的争论又被重新翻出来。面对单晶来势汹汹的竞争，一众多晶企业要么改旗易帜，多元化经营，转投单晶阵营，要么搬迁

的晶粒，而多晶是由无数个不同晶向的均匀小晶粒构成，位错密度较之直拉单晶要高2个数量级左右。铸锭单晶鑫单晶G3，其位错密度上更接近于直拉单晶，晶胞个数降到个位数。铸锭单晶硅片采用与直拉单晶相同的碱制
绒，制绒后表面微观结构与直拉单晶一样，同样为规整的金字塔结构。尽管在铸锭单晶整张硅片不到1%的面积里，偶尔会出现个别不同晶向的晶胞，但是整个大方锭产出的铸锭单晶硅片中，出现这一现象的硅片占总产品的比例