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但区熔单晶的工艺比直拉单晶困难得多，目前国内走在最前面的是中环股份。目前中环股份区熔硅单晶抛光片产量全球第三，国内第一。
区熔法是极高纯硅单晶生产的首选技术，由于不用坩埚，避免了来自坩埚的污染，而且还可以利用悬浮区熔进行多次提纯，所以单晶的纯度高，同时Fz单晶的氧含量比直拉硅单晶(见半导体硅材料)的氧含量低2～3个数量级，

、区熔单晶硅棒及硅片等光伏产品，光伏发电和风力发电等新能源发电项目及蜂窝式中低温SCR烟气脱硝催化剂。
晶盛机电相继开发出具有完全自主知识产权的全自动单晶炉、多晶铸锭炉、区熔硅单晶炉、蓝宝石炉、碳化硅炉等晶体生长设备，同时开发并销售晶体加工、光伏电池和组件等装备，致力于打造光伏产业链装备技术和规模双领先的装备龙头企业

但区熔单晶的工艺比直拉单晶困难得多，目前国内走在最前面的是中环股份。目前中环股份区熔硅单晶抛光片产量全球第三，国内第一。
区熔法是极高纯硅单晶生产的首选技术，由于不用坩埚，避免了来自坩埚的污染，而且还可以利用悬浮区熔进行多次提纯，所以单晶的纯度高，同时Fz单晶的氧含量比直拉硅单晶(见半导体硅材料)的氧含量低2～3个数量级，

公司主导产品电力电子器件用半导体区熔硅单晶硅片综合实力位于国内第一，全球第三，市场占有率18%(国内市场占有率超过75%)，光伏单晶位居世界第二。
另一方面单晶拉棒实现的连续加料技术使得单炉产量显著上升，单晶方棒成本以更快的速度下降，因此多晶硅对单晶硅建立的价格优势逐渐缩减，两者之间价格正越来越趋近。

CFz(直拉区熔)，采用直拉与区熔两种工艺相结合的方式拉制硅单晶，兼顾两者优点，可有效降低氧含量，提高少子寿命。
中环已经实现大直径区熔硅单晶技术产业化，可生产出具有高纯度、高寿命、抗辐射等特点的高品质单晶硅，用于太阳能电池，转换效率可达24%-26%。

5)采用区熔单晶硅技术。区熔单晶硅技术不仅有效抑制了直拉工艺中大量氧进入硅晶体的固有缺陷，而且彻底解决了P型(掺硼)太阳电池的光衰减现象。
3 结束语本文从发生光衰减的原理出发，讨论了如何抑制或减弱单晶电池的光衰减，结合我公司的现状与行业内的技术革新，给出了具体的应对措施：使用N型硅片、优化减反膜、掺镓、采用磁控直拉硅单晶技术或区熔单晶硅技术

其中晶盛机电承担的02专项300mm硅单晶直拉生长设备的开发、8英寸区熔硅单晶炉国产设备研制两大项目，均已通过专家组验收。
图表1 半导体硅片生产工艺流程图表2 半导体硅片主要生产设备及厂商 1、拉晶：直拉法是主流，国内已实现单晶炉国产化将多晶硅拉制成单晶硅棒主要有两种技术工艺，直拉法(CZ法)和区熔法(FZ

5英寸区熔单晶硅棒的质检合格报告及6英寸区熔单晶硅棒的成功拉制，意味着我公司的区熔单晶硅炉研制项目取得了重大技术成果！
同时公司研制的区熔单晶炉之前拉制出的5英寸区熔单晶硅棒经第三方检验，结果显示该5英寸区熔单晶硅棒品质合格，各项指标均达到了设计要求。

C、利用区熔单晶硅工艺（FZ）改进单晶硅棒产品质量区熔单晶硅工艺避免了直拉工艺中大量氧进人硅晶体的固有缺陷，从而彻底解决了P型（掺硼）太阳电池的早期光致衰减现象。
B、利用磁控直拉硅单晶工艺（MCZ）改进单晶硅棒产品质量此工艺不仅能控制单晶中的氧浓度，也使硅单晶纵向、径向电阻率均匀性得到改善这种工艺已在国内部分拉棒公司开始试用。

、抛光片、区熔硅单晶硅片、直拉硅单晶硅片等多个产品;半导体器件方面，则包括大直径玻璃钝化芯片、各类二极管等。
若按产品进一步划分，该公司的主营产品则为新能源材料方面，其以单晶产品居多，包括单多晶硅棒(片)、高效单晶PERC电池片、高效太阳能组件等;电力方面，该公司建立多座地面光伏电站;半导体材料方面，其生产包括腐蚀片