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(ALD)技术形成的Al2O3层被用于进行背面钝化。沉积形成的Al2O3层还要进行一次后沉积退火，这一步被集成在随后的背面SiNx减反射膜(ARC)沉积工艺上，采用的是管式等离子增强化学气相沉积
传统多晶硅电池技术高出0.9%。图二：(a)多晶硅PERC电池的效率分布。(b)60 片和120片多晶硅PERC组件的功率分配。表一比较了多晶硅PERC和传统黑硅多晶硅电池的I-V特性

包括904nm的激光注入产生电子-空穴对(Fig.2-3a)，导致样品的电导率增加，当撤去外界光注入时(Fig.2-3b)，电导率随时间指数衰减，这一趋势间接反应少数载流子的衰减趋势，从而通过微波探测
电导率随时间变化的趋势得到载流子的寿命。 Fig.2-3a激光激发 Fig.2-3b微波探测 2.4方块电阻扫描(SHR) SHR测试探头在中心有一个激光源(Fig.2-4

漂浮式光伏系统是一种比较有趣的光伏应用，其中光伏组件安装在浮筒上，这样水面的高反射率就能够得到充分利用。此外，组件下方的阴影区域更加凉爽，为鱼类提供了适宜的生长环境。这样，水域就可以同时用来养鱼和发电
远超单面系统。测量结果显示，在相同的单位装机容量下，前者的发电量比后者高10%至30%。由于沙漠等太阳辐射强度和地面反射率均非常高的地区对于光伏系统的需求不断增长，双面发电解决方案越来越受到青睐

春光明媚的南昌，在一些小区楼顶，总能看到一个个屋顶电站的身影，反射着灿烂的阳光。在行业人士看来，光伏行业意料中的靴子该掉还是要掉。近日，江西省发改委公布了2018年光伏发电项目价格政策。其中
效应和用户经济效应的平衡。 B、利好：光伏技术升级组件和安装价格或下调虽然上网电价下调，短期看用户是增加了使用成本，但这其实预示着建光伏电站平价时代已经来临。业内人士汤经理主要从事的是家庭式的

; 5) 硅片正面沉积SiNx 减反射膜：SiNx 薄膜厚度78 nm，折射率2.08; 6) 硅片背面激光开窗：180 根线，线宽为40 m; 7) 印刷电极; 8) 高温烧结; 9) 测试分选
片，测试每片电池的电性能，并计算各项参数的平均值。图2a 为不同电阻率的掺镓硅片制成常规铝背场电池的电性能数据，图2b 为不同电阻率的掺镓硅片制成PERC 电池的电性能数据

镀膜的最优工艺参数。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的氮化硅薄膜作为理想的减反射膜,具有很好的表面钝化作用,已被广泛地用于半导体器件。沉积参数的设计和工艺安排都会显著影响氮化硅薄膜产量和质量
特性,即等离子体中的分子、原子、离子或活性基团与周围环境相同。而非平衡电子则由于电子质量小,其平均温度可以比其他离子高1至2个数量级。因此,引入的等离子体使得沉积反应腔体中的反应气体被活化,并吸附

为不同的情况：有的区域如E区、F区、G区1米高度以上区域，在5-7月份只有早上或者晚上存在光资源损失，同时存在散射光损失以及地面反射光损失;有的区域如E区、F区、G区1米高度以上区域，在3-4月份几乎没有
被光伏组件遮挡，但是存在散射光损失以及地面反射光损失;有的区域如E区地面，在冬至日始终被遮挡，但是仍然有光资源，这部分光照主要来自天空散射光和环境物体的漫反射光。在PVsyst软件中进一步模拟分析

elevated Temperature Induce Degradation，LeTID)。多晶PERC的LeTID比多晶Al-BSF电池高6%~10%左右。多晶PERC电池的LeTID与B
内吸收较为充分，因此为了更好地降低电池表面的复合速率，提高电池的短波响应，同时结合热生长SiO2的表面钝化特性、等离子体增强化学气相沉积法沉积SiNx有良好的减反射以及体钝化特点，研究人员对晶体硅

Degradation，LeTID)。多晶PERC的LeTID比多晶Al-BSF电池高6%~10%左右。多晶PERC电池的LeTID与B-O对无关，表现为掺Ga不起作用;与体内的复合有关，而与表面钝化特性
金属接触，有效降低背表面的电子复合速度，同时提升了背表面的光反射。 PERC电池实验室制备采用了光刻、蒸镀、热氧钝化、电镀等技术，而产业化PERC工艺采用了PECVD(或ALD)法钝化、激光开孔

。 3、PERC组件对于发电量的影响 (以下内容节选自亚化咨询《PERC技术专刊》) 目前的高效组件以PERC组件为主，PERC组件基于以下两大优势可以实现多发电： a) 优秀的低辐照性能 b
) 更好的功率温度系数 1、PERC电池优秀的低辐照性能 PERC电池具有更高的开路电压和更优的红外背反射性能。小于标准光强下的相对效率主要由开路电压的变化来决定，常规电池的相对开路电压低于PERC

高效的新型晶体硅太阳电池。其主要优势有：1) 采用低温技术，整个烧结工艺可在200 ℃左右完成，减少能耗，降低成本;2) 光电转换效率高;3) 稳定性好，没有形成B-O复合体而导致的光衰效应
完全接触，而PERC 太阳电池铝背场是通过激光开窗的空洞区域与硅片进行局部接触。图3 为n 型晶体硅太阳电池结构示意图。n型晶体硅太阳电池较p 型晶体硅太阳电池具有少子寿命高、光致衰减小等

实现，都使用区别于常规晶体硅电池制造技术的技术，总结下来，提高晶体硅太阳能电池转换效率主要有以下三个方向： (1)提高光学利用率优化电池片表面陷光结构以及减反射膜，减少正面金属遮挡，甚至转移
至背面形成IBC结构来减少入射光的损失;背面进行平整化处理，增加背反射层将透射光重新反射入硅片表面形成二次反射从而增加光学吸收;设计双面电池结构，增加背面入射光，实现更大的光学吸收利用; (2)减少内部

会更进一步提升至70张)，而多晶为59片(出片量数据均包含B片)。由于单晶的“长晶”成本更高，更细的金刚线带来的出片量的提升明显更有利于单晶硅片的成本降低，所以我们现在看到的就是：单晶企业普遍
从而十分有利于光线的吸收，所以单晶金刚切硅片完全不影响单晶电池的制绒过程。而对于多晶硅片，则没这么幸运，多晶片的酸制绒工艺并不有利于降低硅片反射度，所以对于金刚线切割生产的多晶硅片需要额外叠加“黑硅

、P型高效电池技术技术1：PERC技术 1)基本解释 PERC技术：采用Al2O3膜对背表面进行钝化，可以有效的降低背表面复合，提高开路电压，增加背表面反射，提高短路电流，从而提高电池效率
化现状技术2：PERC+SE技术在PERC技术上，进一步采用选择性发射极和局部B掺杂。目前Solarworld公司采用选择性发射极结构产线效率达到21.4%，Trina 也采用此技术在

雾霾天气相对于更多，空中悬浮物会对太阳光进行吸收和反射，导致组件表面接收的阳光大幅度降低。如果雾霾天气长期持续，光伏组件表面的颗粒物累积，在组件表面就会形成遮挡，造成电池组件表面污染，导致发电量
和性能都会得到很好的保障。运维到位了，不仅发电量高，收益有保障，而且也能减少故障发生的机率，一旦出现问题也能及时发现，及时应对解决。另外，市面上光伏电站逆变器都带有监控模块，业主和注重