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投资的40万美金，共同组建了无锡尚德太阳能电力公司。从2001年起，尚德的扩张速度可谓惊人。2002年9月，尚德第一条10MW太阳电池生产线正式投产;2005年第三季度电池产能B达到120MW
纽约证券交易所上市的无锡尚德，带动随后在中国和海外上市的许多中国光伏公司形成了高起点的国际太阳能发电产业生态圈。 2011年，中国企业占据了全球晶体硅太阳能电池厂家的前 5 席，表明了全球正在向低成本

立以来，形成了电力变压器、电力电子、蜂窝材料四大产业，在江苏、上海、江西、仪征、香港等地发展形成15家控股、全资子公司。2004年，中电电气集团董事长陆廷秀与世界晶体硅太阳能电池转换效率保持者赵建华
。2015年9月10日，由于MVPHS未能达到1500万美元最低市值，违反了《纳斯达克上市规定》第5450(B)(3)(C)条之规定，中电光伏第三次收到了纳斯达克的退市警告。在宣布收到退市警告后

电流。同时，背部采用优化的金属栅线电极，降低了串联电阻。通常前表面采用SiNx/SiOx双层薄膜，不仅具有减反效果，而且对绒面硅表面有很好的钝化效果。目前IBC电池是商品化晶体硅电池中工艺最复杂
IBC太阳电池。其中，2014年在N型CZ硅片上制备的第三代IBC太阳电池的最高效率达到25.2%。资料显示，SunPower量产效率达25%，LG量产效率达24.5%。国内天合光能一直致力于

烧结过程中，粉末系统总的表面自由能必然要降低，这就是烧结的动力学原理。 b. 烧结时，颗粒由接触到结合，自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能降低，系统转变为热力学中更稳
1. 丝网印刷原理&作用 1.1 原理刮刀挤压印刷油墨，并借助刮刀面和网版网结的阻拦，使印刷油墨呈现出逆向滚动状态，当油墨行至网版未被乳胶膜阻挡的电极图形区时即向下穿透网孔接触印刷基材(硅片

m。使用Gemini Sigma 300SEM 场发射扫描电镜观察抛光效果，如图1 所示。从图1 中可以看出，5000 倍放大观察，硅片部分区域存在凹凸;而图1b 是20000 倍观察
1.1 实验准备 1) 物料：采用p 型多晶硅片，尺寸规格为156.750.25 mm，厚度为190 m，电阻率为1～3 cm。 2) 化学品：时创PS30 抛光剂，台湾长阳IP1257-L 型氧化铝

大直径直拉单晶产能，12英寸晶体部分进入工艺评价阶段。公司在8英寸半导体硅片生产方面已经具备了丰富的经验，为公司未来扩大8英寸产品产能，增加12英寸产品生产奠定了基础。 (二)雄厚的技术研发实力
证券交易所上市、以人民币标明股票面值、以人民币认购和交易的普通股元、万元、亿元指人民币元、人民币万元、人民币亿元硅片指由硅棒切割形成的薄片，是光伏行业及半导体行业的基础原材料 SEMI指国际半导体

转换效率突破25%：含本征非晶硅薄膜的非晶硅/晶体硅异质结(HIT/HJT)电池由于非晶硅薄膜优秀的钝化效果，转换效率近年在晶硅电池中位居前列，纯HJT电池的实验室转换效率已达到25.11%。异质结是
半导体材料组成的太阳能电池均可称为异质结太阳能电池，与之相对的是同质结电池，即p-n结由同种半导体材料组成。目前实际商业应用的晶硅太阳能电池基本均为同质结电池(p-n结由晶体硅材料形成)，而产业中一般所提到的

中的B-O(硼氧对)对引起的，而厂家通常是通过降低硅片中的氧含量、采用掺镓、掺硼、光照+退火等方法可以有效抑制光衰。与常规的掺硼相比，镓掺杂更视作一种防止光诱导降解(LID)的有效方法
10月10日讯，晶澳宣布，晶澳已经与日本信越化工就后者持有的有关在晶体硅电池应用中掺杂镓的专利达成了协议。据晶澳表示，该协议在东京的签字仪式上敲定。单晶硅的LID衰减主要是由电池片

PID(Potential Induced Degradation)即电位诱发衰减。一些光伏电站实际经历表明，光伏发电系统的系统电压存在对晶体硅电池组件有持续的电位诱发衰减效用，产生原因主要为玻璃
图2 PID测试前后组件正面(A)背面(B)曲线 Source: Luo W, Hacke P, Terwilliger K, et al. Elucidating potential

第二届非晶硅/晶体硅异质结（HAC）光伏技术发展与国产化道路论坛将于12月6-7日在江西南昌举行。论坛宗旨非晶硅/晶体硅异质结
(HeterojunctionofAmorphousSiliconandCrystalline Silicon, 以下简称 HAC)光伏技术，包括 n 型超薄硅片材料技术、基于 HAC 的太阳电池及其组件技术、和配套辅材与产线装备技术，逐渐登上了光伏技术

结构式一般为ABX3，其中A和B是两种阳离子，X是阴离子。这种奇特的晶体结构让它具备了很多独特的理化性质，比如吸光性、电催化性等等，在化学、物理领域有不小的应用。2009年，Tsutomu
晶硅组件。光致增益钙钛矿光致增益的原因比较复杂，原理在业界现在还没有完全弄清楚。范斌说，但有个机制可以确定，我们在显微镜下观测到，经过长时间光照，钙钛矿晶体的尺寸会逐渐变大，小晶体会互相融合变成

不同粒径的单晶籽晶铸锭高效多晶硅锭，得出粒径范围在1mm～4mm引晶效果最好，粒径大于4mm或粒径小于1mm时，晶体中位错密度都偏高导致少子寿命降低。权祥等研究硅粉、硅颗粒和碎硅片3种籽晶对引晶效果的影响
引言随着光伏行业的迅猛发展，多晶硅电池凭借其较高的性价比一直占据光伏市场的主导地位。但在多晶铸锭工艺过程中由于铸锭工艺的局限性，使得硅晶体存在位错、晶界、氧化物等缺陷，这些缺陷成为少数载流子的

N型基体材料高的少子寿命;选用掺磷的N型硅材料形成的电池则没有光致衰减效应的存在。因此，N型晶体硅电池的效率不会随着光照时间的加长而逐渐衰减。N型电池前表面没有任何电极的遮挡。电极和硅片是采用定点
接触，减少了金属电极与硅片的接触面积，从而使载流子在电极表面复合的几率大为减少，进一步提高了开路电压。N型晶硅组件在弱光下表现出比常规组件更优异的发电特性，在雾霾，阴雨天有更多的发电量。也就是意味着

提供更高的势垒阻挡其隧穿，因而该层具有载流子选择性。TOPCon太阳电池的隧穿氧化层钝化接触结构的能带图和其结构示意图如图6a、b所示。 Fraunhofer研究所采用N型FZ硅片，正面采用普通
关键点为氧化物的生长和本征多晶体硅的沉积。首先在硅片两面进行热氧化或是紫外臭氧氧化，生长氧化硅层。然后通过LPD技术沉积本征多晶硅，再运用离子注入技术，形成P、N型的多晶硅和单晶硅。利用光刻胶作为

，降低切割阻力，并保证切割出来的成品表面光滑。4.冷却性能：可以有效的散发热量，降低切割应力。线切的作用就用多线切割机将硅棒切割成符合要求的硅片的过程。线切割方式对切割脆性晶体切片的加工表面机械
是硅片价格不能够一降再降的根本原因。在太阳能电池片发展的这十几年里，硅片的厚度一降再降，直接大幅度的拉低了太阳能电池的基础成本价格，为这个光伏产业链做出了突出贡献，接下来就让我们认识一下切片工序到底是

) 问题电池的来源 1. 硅材料自身的缺陷 2. 电池制造的原因 1) 去边不彻底、边缘短路 2) 去边过头，P型层向N型层中心延伸，边缘栅线引起局部短路 3) 烧结不良，正电极或背电极与硅片
) 电池分选测试时的误判 a) 分选测试仪自身误差 b) 测试仪与测试仪之间的差异 c) 分选测试仪的误动作 2) 电池自身的衰减不一致 3) 人为的混片如电池上信息不准确，有可能贴错

用文字形式，介绍了晶硅太阳能电池的发电原理。属于科普级别，非常通俗易懂。太阳能电池发电原理一、N型半导体与P型半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体，原子之间形成共价键，其
空穴。因此，掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为P型半导体。无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。图3-1a：N型半导体图3-2b：P型

FZ硅片上实现了22.8%的高转换效率，其基本结构如图2a所示。1999年，UNSW的该团队再次宣布其PERL太阳电池(如图2b所示)转化效率达到24.7%。与传统的单晶硅太阳电池相比，PERL
，标志着晶体硅研发制造的最高水平。作为IBC电池产业化领导者的美国SunPower公司已经研发了三代IBC太阳电池。其中，2014年在N型CZ硅片上制备的第三代IBC太阳电池的最高效率达到

一种切割小块晶体硅块的方法，可以有效提高工作效率，提升硅片切割合格率。 1.引言破锭结束后，需要对每一块硅块进行检验，若发现硅块中存在杂质，必须使用带锯机将杂质部分切割去除，这样剩余部分就会
为环氧树脂胶，A胶与B胶比例为1：1)，混合均匀后，将胶水涂抹在托盘上，使用刮胶铲将胶水刮均匀，然后将玻璃粘接在托盘上。 (3)选择要粘接的小块晶体硅块，对硅块进行分组，保证四条晶棒的小块总长度偏差