苏州大学李耀文&西南交通大学黄鹏《Angew》:可逆苯环扭转SAM,动态调控钙钛矿界面应变

来源:先进光伏发布时间:2025-11-12 16:26:50

论文概览

钙钛矿太阳能电池作为最具潜力的新一代光伏技术,虽然实验室效率已突破27%,但其商业化进程一直受限于长期稳定性问题。究其根源,钙钛矿薄膜在制备和运行过程中产生的残余应变是关键因素。这种应变源于刚性基底与柔软钙钛矿晶格之间的热膨胀系数失配,进而引发界面缺陷、非辐射复合和化学降解。

传统应变调控策略主要依赖外部插入层,但往往会阻碍电荷传输并增加工艺复杂性。针对这一挑战,本研究创新性地从分子构象工程角度出发,设计了一种具有热驱动苯环扭转功能的自组装单分子层,实现了应变动态释放与电荷传输的协同优化

苏州大学李耀文&西南交通大学‪黄鹏研究团队创新性地设计了一种"Torsioner SAM"的咔唑基自组装单分子层空穴传输材料。该分子的3,6-位的苯环取代基能够随温度变化发生可逆扭转,扭转角度随温度线性调节,速率达0.07°/K。这一特性使Torsioner SAM在钙钛矿沉积(约100°C)和设备工作温度范围内(25-85°C)都能有效发挥应变缓冲作用。当温度降低时,苯环逐渐恢复原始构象,释放储存的弹性势能。这种分子层面的动态调节能力使得Torsioner SAM能够持续耗散由温度波动引起的附加应力。与传统刚性界面材料不同,Torsioner SAM的柔性特征使其可以像"分子弹簧"一样,通过可逆的构象变化来缓冲热应力,从而显著降低晶格畸变的累积效应。

相应光伏器件在稳定性与效率方面实现了协同突破。在热稳定性测试中,器件在ISOS-D-2I协议下经历1000小时65℃等温老化后,仍能保持91.3%的初始效率;而在模拟昼夜温差的ISOS-T-1协议下,经过200次25-85℃热循环后效率保持率高达94.4%,展现出卓越的环境适应性。

技术亮点

1.分子设计:双苯环构象调控:在咔唑基自组装单分子层的3,6位引入苯环取代基,分子结构具备温度响应能力,可随环境变化自动调节构象

2. 双苯环构象调控:随着温度变化,苯环能够发生可逆扭转,扭转角度与温度呈线性关系,调节速率为0.07°/K。这种精确的分子运动使Torsioner SAM能够像"分子弹簧"一样,动态调节界面应力,显著降低晶格畸变的累积效应。

深度精读

1:分子弹簧机制解析

图1揭示了Torsioner SAM通过可逆热驱动苯环扭转释放钙钛矿应变的分子机制。研究表明,苯环扭转角随温度以0.07°/K的速率线性增加,这种动态构象变化有效缓解了界面晶格失配引发的残余应变。光谱实验证实,Torsioner SAM在加热时出现可逆的荧光猝灭和拉曼峰位移,而刚性结构的Fixer SAM无明显变化。分子动力学模拟显示,苯环扭转角从300K的39.18°增至420K的48.07°,这种"分子弹簧"效应为钙钛矿电池的热稳定性突破提供了关键解决方案。。

2:应变释放效果验证

图2通过多维度表征证实Torsioner SAM显著降低钙钛矿薄膜残余应变。X射线衍射分析显示,Torsioner修饰的薄膜残余应变仅为0.0095%,较Fixer样品降低62%。掠入射XRD的sin²ψ法量化结果表明,Torsioner将残余拉应力从13.50 MPa降至3.84 MPa。纳米力学 mapping 进一步揭示薄膜平均杨氏模量降低46.7%,证实应变有效释放。变温拉曼光谱证实Torsioner SAM能抑制热致晶格畸变,为器件稳定性提升提供机制解释。

图3:光电性能全面提升

图3系统展示了Torsioner SAM对钙钛矿器件光电性能的显著提升作用。时间分辨荧光谱显示载流子寿命从1355.9 ns延长至1904.0 ns,荧光量子产率从2.09%提升至5.83%,表明非辐射复合得到有效抑制。空间电荷限制电流测试证实陷阱密度降低43%,器件开路电压提升至1.199 V。冠军器件效率达26.26%,1 cm²大面积器件也实现24.24%的效率。电致发光量子效率从1.22%提高到6.35%,非辐射电压损失显著降低,验证了Torsioner SAM对器件综合性能的优化效果。

图4:稳定性突破

图4展示了Torsioner SAM在提升钙钛矿太阳能电池稳定性方面的卓越表现。在ISOS-D-2I标准下,器件在65°C环境中运行1000小时后仍保持91.3%的初始效率,显著优于对照组的80.3%.热循环测试(ISOS-T-1,25-85°C)显示,经过245次循环后效率保持率达94.4%。原位荧光测试表明,Torsioner修饰的薄膜在900秒加热后仍保留77.5%的初始荧光强度,而对照组仅剩38.2%。扫描电镜证实Torsioner能有效抑制界面孔洞形成,陷阱态密度分析显示其可显著抑制浅能级和深能级缺陷的产生。

文献来源

Lingying Ren, Peng Huang, Weijie Chen, Yansheng Chen, Zhijie Gao, Wenlei Lv, Yaowen Li, Angew. Chem. Int. Ed. 2025, e21774.

https://doi.org/10.1002/ange.202521774

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